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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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作者:James Victory,安森美電源方案事業(yè)群 TD 建模和仿真方案研究員 在電力電子和電路仿真領(lǐng)域,精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實性取決于各個器...
碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望
隨著全球?qū)﹄妱悠嚱蛹{度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預(yù)計,將來功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運作商會更積極地參與到這...
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。
用于三相功率轉(zhuǎn)換的橋式拓撲的SiC MOSFET
效率、生產(chǎn)力和立法是當今電力應(yīng)用的主要市場驅(qū)動力。利用更少的能源生產(chǎn)更多的產(chǎn)品,節(jié)約能源成本,更加關(guān)注更好的轉(zhuǎn)換效率和更小、更輕的系統(tǒng)。 在這方面,功率...
2024-04-29 標簽:三相功率轉(zhuǎn)換SiC 2812 0
SiC技術(shù)已廣泛應(yīng)用于電動汽車、工業(yè)、可再生能源/電網(wǎng)和其他應(yīng)用的中壓和高壓應(yīng)用中。為了充分發(fā)揮其優(yōu)勢,系統(tǒng)開發(fā)人員必須首先抵消其更快的開關(guān)速度帶來的不...
在當今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其卓越性能,成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品,它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來。
不同的熱膨脹系數(shù) (CTE) 會產(chǎn)生應(yīng)力并導(dǎo)致故障。嵌入到 AlN(周圍有銅層)等陶瓷基板上可以提供與SiC更好的 CTE 匹配,同時還可以創(chuàng)建所需的隔...
在 IP65 保護系統(tǒng)中,所有組件的耗散功率只能通過其表面(主要是散熱器)排出。因此,嵌入式系統(tǒng)中使用的逆變器的設(shè)計必須限度地減少功耗,并使用良好的熱界...
2024-05-03 標簽:嵌入式系統(tǒng)逆變器SiC 508 0
什么是SiC boat?SiC boat有幾種不同的制作工藝?
SiC boat,即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中,裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。
在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗
使用電機試驗臺的測試結(jié)果,按照油耗測試方法WTLC進行了模擬行駛仿真,確認了第4代SiC MOSFET對電耗的改善效果。
短路引起的 SiC MOSFET 電學(xué)參數(shù)的退化受到了電、熱、機械等多種應(yīng)力的作用,其退化機理需要從外延結(jié)構(gòu)、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進行論證分析。
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M...
2024-04-10 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管SiC 1705 0
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