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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?
中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...
車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...
SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、...
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅(SiC)的獨特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù),Vincotech 處于領(lǐng)先地位。...
SiC FET(即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后,功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。
2023-10-19 標(biāo)簽:MOSFETJFETDC-DC轉(zhuǎn)換器 489 0
隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng),采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)...
如今,追求功率密度和效率是當(dāng)今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動力,包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費電子產(chǎn)品、電動汽車和自動駕駛汽車等。
? 隨著我們尋求更強大、更小型的電源解決方案,碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行,特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域,如汽車驅(qū)動...
除牽引逆變器外,輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關(guān)頻率提升。開關(guān)頻率的增加通常允許減小無源元件(如變壓器、...
駐波效應(yīng)是什么?如何產(chǎn)生的?有什么危害?如何抑制駐波效應(yīng)?
駐波效應(yīng),在先進(jìn)光刻制程中一個不可忽視的現(xiàn)象,能引發(fā)一系列的光刻質(zhì)量問題,以至于嚴(yán)重影響著圖案的精度。
Bourns SiC SBD產(chǎn)品系列已經(jīng)擴展到十個額外型號
額外的650和1200V SiC SBD型號滿足當(dāng)今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布,它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢壘二...
基于長線列紅外焦平面探測器冷箱組件開展焦面熱應(yīng)力變形研究
隨著紅外焦平面探測器陣列規(guī)模的不斷擴大,由多層結(jié)構(gòu)低溫?zé)崾湫巫儗?dǎo)致的杜瓦可靠性問題愈發(fā)突出,對焦面低溫形變的定量化表征需求越來越迫切。
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
設(shè)計出色功效的電子應(yīng)用時,需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標(biāo)簽:SiC氮化鎵電子開關(guān) 2858 1
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