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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

變頻器的分類和發(fā)展趨勢

變頻器的分類方法有多種，按照主電路工作方式分類，可以分為電壓型變頻器和電流型變頻器；按照開關方式分類，可以分為PAM控制變頻器、PWM控制變頻器和高載頻...

2023-08-09 標簽：控制系統(tǒng)變頻器運動控制 2052 0

為什么不用SiC來做IGBT？未來是否會大規(guī)模的使用SiC來做IGBT呢？

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。

2023-08-08 標簽：MOSFET 驅(qū)動電路 SiC 1565 0

什么是半導體材料？半導體材料的發(fā)展之路

半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業(yè)的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現(xiàn)代信息社會的飛速發(fā)展。

2023-08-07 標簽：集成電路半導體材料 SiC 4455 0

SiC MOSFET的設計和制造

首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 標簽：芯片 MOSFET 晶圓 2274 0

SiC外延片測試需要哪些分析

對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標準。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層...

2023-08-05 標簽：測試儀 SiC 紅外光譜 2739 0

碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？

SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。主流制造襯底的方式首先以物理氣相升...

2023-08-04 標簽：SiC 碳化硅 1478 0

碳化硅二極管與硅相比的八大優(yōu)勢

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-08-04 標簽：二極管半導體晶體管 1677 0

SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎？

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-03 標簽：二極管半導體 SiC 623 0

SiC MOSFET柵極驅(qū)動電路的優(yōu)化方案

在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

2023-08-03 標簽：MOSFET 開關電源驅(qū)動電路 1913 0

800V電驅(qū)動系統(tǒng)解讀

由于電池仍然是電驅(qū)動系統(tǒng)的最主要成本構成，因此以最高效的方式使用電池提供的能量是很重要的，從電能到機械能的轉(zhuǎn)換效率即電驅(qū)動系統(tǒng)效率就顯得及其重要。

2023-08-01 標簽：電動機逆變器驅(qū)動系統(tǒng) 1626 0

碳化硅（SiC）芯片設計的一些關鍵考慮因素

芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構成。

2023-08-01 標簽：MOSFET 芯片設計 SiC 1648 0

高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標簽：電源整流器德州儀器 2622 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)勢和應用

碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖...

2023-07-28 標簽：半導體 SiC 碳化硅 3302 0

PFC拓撲比較：交錯式升壓拓撲與圖騰柱拓撲

電子設備越來越多地接入電網(wǎng)，這增加了電網(wǎng)的失真幾率，也使配電網(wǎng)絡容易產(chǎn)生問題。為緩解這些問題，電源設計需要先進的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路來滿足嚴格...

2023-08-02 標簽：功率因數(shù)PFC SiC 2918 0

碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因

在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小。

2023-07-26 標簽：二極管 emi SiC 818 0

瞻芯電子比鄰驅(qū)動系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片介紹

比鄰驅(qū)動(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。

2023-07-21 標簽：MOSFET SiC 驅(qū)動芯片 8146 0

碳化硅MOSFET的應用場景

碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境下...

2023-07-21 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1661 0

IGBTs給高功率帶來了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款IGBT產(chǎn)品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（...

2023-07-20 標簽：IGBT 晶體管 SiC 1105 0

新能源電機絕緣系統(tǒng)關鍵參數(shù)-PDIV（一）

直奔主題，下圖為典型的雙電極電壓（極性從正極到負極交替變化的電壓）沖擊圖。

2023-07-18 標簽：二極管 MOSFET SiC 3138 0

SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特...

2023-07-18 標簽：變壓器 SBD SiC 865 0

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