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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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EAB450M12XM3簡(jiǎn)介:Wolfspeed首款車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊
如今,許多市場(chǎng)都受益于碳化硅(SiC)技術(shù)所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì),尤其是汽車行業(yè)。相對(duì)于傳統(tǒng)硅(Si)組件,SiC 的性能更高,使系統(tǒng)的開關(guān)速度、工作溫度、功率密...
SpeedFit 2.0 允許用戶模擬 AC/DC 應(yīng)用的六種不同的單相拓?fù)洹_@些拓?fù)錇橛性磫蜗嗌龎耗J诫娐?,用于功率因?shù)校正(PFC)應(yīng)用。PFC 的...
使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)
電動(dòng)汽車(EV)車載充電機(jī)(OBC)可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式,充電功率從電動(dòng)機(jī)車等應(yīng)用中的不到2 kW,到高端電動(dòng)汽車中的22 kW不等。傳統(tǒng)...
2023-05-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電動(dòng)機(jī)SiC 2322 0
SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度
牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車(EV)幾乎所有能量的消耗源。因此,驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率,同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器IGBT 1385 0
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無(wú)論是前道工藝還是后道工藝,半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC半導(dǎo)體器件 911 0
碳化硅技術(shù)助力綠色環(huán)保替代方案進(jìn)入良性循環(huán)
大幅提高可再生能源(尤其是太陽(yáng)能和風(fēng)能)的投資回報(bào)率(ROI),意味著需要提升儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)的效率、容量、功率密度和成本效益。由于不斷增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車...
優(yōu)化汽車應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真
Wolfspeed EAB450M12XM3 是一款車規(guī)級(jí) SiC 功率模塊,已針對(duì)牽引逆變器市場(chǎng)進(jìn)行了優(yōu)化。這款功率模塊具備很多優(yōu)點(diǎn),但設(shè)計(jì)人員還是要...
SpeedVal Kit平臺(tái)采用模塊化方法簡(jiǎn)化評(píng)估
新一代功率半導(dǎo)體將以碳化硅(SiC)技術(shù)為推動(dòng)力,服務(wù)于快速增長(zhǎng)的純電動(dòng)汽車(BEV)市場(chǎng)和充電基礎(chǔ)設(shè)施,滿足日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,并滿足工業(yè)和可再生...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 433 0
SpeedVal Kit生態(tài)系統(tǒng)簡(jiǎn)化碳化硅部件評(píng)估過程并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間
新一代功率半導(dǎo)體的高功率應(yīng)用正在越來(lái)越多地使用碳化硅 (SiC) 部件,來(lái)滿足電動(dòng)汽車 (EV)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏?、更高效?..
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 622 0
Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應(yīng)用需求
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無(wú)限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境...
本文我們將重點(diǎn)介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達(dá)峰”目標(biāo),并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
為什么礦機(jī)電源對(duì)效率和可靠性要求越來(lái)越高
作為半導(dǎo)體材料,SiC具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),這便給SiC器件帶來(lái)了諸多特征參數(shù)方面的提升,比如更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)...
SiC的耐高壓能力是硅的10倍,耐高溫能力是硅的2倍,高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品,采用SiC材料可縮小體積50%,降低能量損耗80%。同樣,G...
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電源系統(tǒng) 3950 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。
連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展
連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡(jiǎn)稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國(guó)外機(jī)構(gòu)已具備了...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
所謂第三代半導(dǎo)體,即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氮化鋁...
在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如,在談?wù)摴β拭芏葧r(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...
SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。
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