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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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電動汽車因其在質(zhì)量、功能簡單性以及最重要的能源效率方面的環(huán)保特性而變得越來越流行。功能推力由電動機驅(qū)動,與內(nèi)燃機相比,電動機的結(jié)構(gòu)簡單。在能源效率方面,...
2022-07-21 標簽:電動汽車電力系統(tǒng)SiC 633 0
隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展,市場對不間斷電源(UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設(shè)計人員面臨...
SiC設(shè)計分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進行比較
本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計算過程,供設(shè)計工程師在選擇功率開關(guān)器件時參考!
安森美豐富的SiC方案解決新一代UPS的設(shè)計挑戰(zhàn)
隨著云計算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展,市場對不間斷電源 (UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設(shè)計人員面...
在IGBT時代,門極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域,還未...
2022-06-06 標簽:電壓SiC開關(guān)頻率 3498 0
25 kW SiC直流快充設(shè)計指南:DC-DC級的設(shè)計考慮因素和仿真
作者:安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec ? 在“開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁” [1-3] ...
本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下(包括雪崩模式和發(fā)散振蕩)的性能,并研究了它們在利用零電壓開關(guān)的電路中的性能。
2022-05-07 標簽:SiC電壓開關(guān)共源共柵 3154 0
智能混合信號無橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰(zhàn)
評估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦??焖僦烽_關(guān)采用GaN HEMT,交流電同步整流器采用Si-MOSFET,在整個電源電壓范圍內(nèi)...
盡管電動汽車歷史不遜于內(nèi)燃機車,但它實實在在地被全世界主要國家推廣,發(fā)生在最近十年。相比于已在市場中接受了數(shù)十上百年考驗的內(nèi)燃機車,電動汽車存在許多的不...
我們都知道功率半導體器件屬于電力電子開關(guān),開關(guān)速度非???,1秒可以開關(guān)上千次(kHz),高速功率器件可達到幾十kHz,甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...
硅片在大口徑化的同時,要求規(guī)格的嚴格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格,因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā),實現(xiàn)了無蝕刻化,無拋光化。雖然在單晶SiC...
控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導通電阻,阻斷電壓等重要的電學參數(shù)。
IGBT 和 SiC 電源開關(guān)有哪些市場和應用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功 率半導體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進,大功率應 用的...
2022-03-18 標簽:IGBT電源開關(guān)SiC 8342 0
PI推出集成SiC MOSFET的車規(guī)級反激式開關(guān)IC
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)這幾年電動汽車發(fā)展異?;馃?,銷量是節(jié)節(jié)攀升,其續(xù)航能力也在不斷取得突破。但里程焦慮還沒有徹底解決,為了應對該問題,汽車廠商...
高可靠性SiC MOSFET芯片優(yōu)化設(shè)計
以特斯拉Model 3為代表的眾多電動汽車量產(chǎn)車型成功應用SiC MOSFET芯片,表明SiC MOSFET在性能、可靠性和綜合成本層面已得到產(chǎn)業(yè)界的認...
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