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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

引言人們對用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2343 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 5021 0

首款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“，可提升電源效率4%！

工業(yè)三相供電（400 VAC to 690VAC）的功率變換系統(tǒng)，其母線電壓通常高于600V，母線電壓范圍在300Vdc-1000Vdc。

2021-10-11 標(biāo)簽：MOSFET 電源設(shè)計 SiC 2114 0

國產(chǎn)高壓SiC MOSFET介紹及競品分析

工業(yè)4.0時代及電動汽車快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰，S...

2021-09-15 標(biāo)簽：MOSFET SiC 工業(yè)電源 1.1萬 0

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

SiC MOSFET并聯(lián)的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快，對一些并聯(lián)參數(shù)會更為敏感。

2021-09-06 標(biāo)簽：英飛凌 pcb MOSFET 4634 0

仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)...

2021-08-31 標(biāo)簽：IGBT SiC 英飛凌科技 2299 0

確保SiC驗證測試準(zhǔn)確度，有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號

在功率電子系統(tǒng)中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因為它可以毫無問題地添加到電路的任意節(jié)點中。

2021-07-13 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)SiC 碳化硅 2433 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機(jī)會使用這項技術(shù)，但工業(yè)電機(jī)驅(qū)動正獲得最大的興趣和關(guān)注。

2021-07-04 標(biāo)簽：SiC 電機(jī)驅(qū)動器碳化硅 2527 0

淺談柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度...

2021-06-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率元器件 3157 0

追求盡善盡美–電動車中的SiC半導(dǎo)體

本文探討了SiC FET共源共柵結(jié)構(gòu)是如何提供最佳性能和一系列其他好處的。

2021-05-12 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電動車 SiC 1192 0

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動

基于硅IGBT的傳統(tǒng)逆變器和轉(zhuǎn)換器占據(jù)市場主體（占比超過70%），這主要歸功于工廠生產(chǎn)線中的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用和第一代風(fēng)力和太陽能逆變器。

2021-04-12 標(biāo)簽：電動汽車逆變器功率轉(zhuǎn)換器 1101 0

【當(dāng)代材料電學(xué)測試】系列之四：寬禁帶材料測試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。

2021-03-26 標(biāo)簽：萬用表 SiC GaN 1178 0

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會指出，他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...

2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動 3425 0

如何通過柵極驅(qū)動技術(shù)實現(xiàn)SiC性能的最大化

SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢源于它們的帶隙，價帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。電子從低能價帶移動到高能導(dǎo)帶使材料導(dǎo)電。

2021-02-20 標(biāo)簽：電動汽車 IGBT 電源開關(guān) 2837 0

SiC光伏并網(wǎng)逆變器是什么有什么樣的作用

人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如SiC光伏并網(wǎng)逆變器。

2021-01-03 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 4515 0

SiC助力功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用結(jié)溫升高，將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計格局

Yole Development 的市場調(diào)查報告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用的需求一直推動著結(jié)溫升高，目前已達(dá)到150℃。

2020-11-16 標(biāo)簽：電動汽車電力系統(tǒng)CISSOID 2075 0

相對于硅（Si）和碳化硅（SiC），GaN有哪些優(yōu)勢

最終的器件是額定電壓為650 V的FET，具有4 V的高閾值，小于15mΩ的導(dǎo)通電阻以及類似于單芯片的封裝。

2020-12-07 標(biāo)簽：晶體管 SiC GaN 3852 0

SiC如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械，化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 8283 0

寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)：緩慢的開關(guān)沿可減少過沖和EMI

在寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關(guān)...

2021-03-18 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 緩沖器 8013 0

如何混合Si和SiC器件實現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案

在現(xiàn)代時代，隨著電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）領(lǐng)域的所有進(jìn)步對具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加，尤其是在電動汽車充電點的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...

2021-03-22 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 整流器 5108 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

+關(guān)注

Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

+關(guān)注

采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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