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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

探討改變電動汽車市場的氮化鎵IC

氮化鎵提供更低的開關損耗、更快的開關速度、更高的功率密度、更好的熱預算、從而提高電動汽車的功率輸出和能效，且降低了重量和成本。

2018-07-17 標簽：電動汽車 igbt SiC 5163 0

MOS管的構造,工作原理,特性,電壓極性和符號規(guī)則的詳細資料概述

隨著社會的進步和發(fā)展，MOS管在電子行業(yè)的應用越來越廣泛，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅專家”，必須來科普一下這方面的知識。

2018-07-15 標簽：半導體 MOS管 SiC 1.1萬 0

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是...

2018-07-15 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.1萬 0

入了解SiC MOSFET實現(xiàn)建議和解決方案示例

對于電網(wǎng)轉換、電動汽車或家用電器等高功率應用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢，包括更快的開關速度、更高的電流密...

2018-07-04 標簽：MOSFET SiC 開關損耗 9890 0

通過RECOM的DC/DC轉換器驅(qū)動的SiC技術

在許多人的頭腦中，電力電子與可再生能源及電動力緊密關聯(lián) 換言之：數(shù)百伏的電壓以及中等到高功率范圍的功率輸出。樂高盒式模塊化電源（即 DC/DC 轉換器...

2018-06-29 標簽：轉換器 SiC DC/DC轉換器 6216 0

SiC材料到底有多大的作用？

億緯鋰能采取多元化品類并存路線，包括鋰原電池、復合電源、消費類鋰離子電池及動力/儲能電源系統(tǒng)等。在動力方面的主要產(chǎn)品類型包括：圓柱三元(18650/21...

2018-06-22 標簽：SiC 2.0萬 0

SiC/GaN功率開關完整的系統(tǒng)解決方案

驅(qū)動 SiC/GaN 功率開關需要設計一個完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，這些 IC 經(jīng)過精密調(diào)整，彼此配合。于是這里的設計重點不再只是以開關為中心……

2018-06-22 標簽：功率開關 SiC GaN 5625 0

高頻驅(qū)動，有利于外圍元器件的小型化

在PWM逆變器驅(qū)動時的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開關頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%，總體損耗顯著降低。...

2018-06-15 標簽：元器件逆變器 SiC 5042 0

為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動芯片,需要考慮幾個方面?

SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...

2018-06-15 標簽：MOSFET SiC 驅(qū)動芯片 2.6萬 0

介紹 SiC 新功率元器件

使用SiC的新功率元器件技術

2018-06-26 標簽：元器件 sic rohm 6400 0

SiC材料做成的器件又會有什么過人之處呢？

圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對...

2018-06-09 標簽：mosfet 功率器件 SiC 9917 0

SiC和GaN功率半導體在混合動力和電動汽車的主傳動系逆變器中的應用

SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管（晶體管、開關管）。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，帶來體積...

2018-06-05 標簽：電動汽車半導體 SiC 6936 0

SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景

本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。

2018-05-28 標簽：sic 半導體器件 1.1萬 1

三菱電機SiC功率模塊的發(fā)展里程碑

2015年4月，Bodo’s Power上報道了三菱電機1款800 A/1200 V的全SiC 2in1模塊（FMF800DX-24A）[3]。為了有效...

2018-05-26 標簽：三菱電機 SiC 功率模塊 1.3萬 0

控制、驅(qū)動、檢測高密度SiC/GaN功率轉換

了解關鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術如何直接通過部署SiC和GaN功率轉換及日益復雜的多級控制拓撲來解決面臨的挑戰(zhàn)。

2018-06-05 標簽：adi 通信技術控制 5325 0

何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模...

2018-05-17 標簽：SiC 功率模塊 1.4萬 0

SiC材料在牽引系統(tǒng)中的應用

SiC作為寬禁帶半導體材料，與Si相比具有擊穿場強高、導熱系數(shù)高、載流能力大、開關速度快、可高溫工作等優(yōu)點，適用于高壓、高溫、高頻等領域的應用。

2018-05-17 標簽：IGBT SiC 5344 0

各種SiC功率器件的研究和開發(fā)進入迅速發(fā)展時期

SiC的禁帶寬度3.23ev，相應的本征溫度可高達800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸，則功率器件的工作溫度將會提升到一個全新的高度。SiC材...

2018-05-11 標簽：功率器件 sic 9572 0

英飛凌碳化硅技術大解析

電力電子未來發(fā)展的趨勢之一是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設計,所以如何降低動態(tài)損耗至關重要。因為SiC材料的本征特性,SiC器件的電容相當小。在...

2018-05-02 標簽：英飛凌肖特基二極管 SiC 9741 0

一種先進的利用電流檢測端子實現(xiàn)的全SiC模塊過流和短路保護方法

采用電流檢測并用于FMF800DX-24A的先進保護方法是通過參考設計RDHP-1417來實現(xiàn)的(其采用驅(qū)動核2SC0435T)[4][5]，并包括過壓...

2018-04-10 標簽：電流 MOSFET SiC 8979 0

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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