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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

如何設計 IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動電路以防止誤觸發(fā)？

在設計IGBT或SiCFET橋接電路時，門驅(qū)動電路的正確設計與選擇晶體管同樣重要，以確保高可靠性。對環(huán)境的關注是可再生能源、智能工業(yè)和電動出行等趨勢背后...

2024-11-05 標簽：IGBT 驅(qū)動電路 SiC 576 0

軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機新開發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導體場效應管碳化硅模塊（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD-Embedded）技術，可以...

2024-10-31 標簽：MOSFET 嵌入式三菱電機 1127 0

碳化硅功率器件在能源轉換中的應用

碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的能源轉換技術，因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點以及在能源轉換中的...

2024-10-30 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 463 0

功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低...

2024-10-29 標簽：熱阻功率器件 SiC 713 0

如何通過高壓SiC電池斷開開關提升電氣系統(tǒng)的可靠性與效率

電氣系統(tǒng)的直流母線電壓在400伏特或更高，由單相或三相電網(wǎng)電源或能量存儲系統(tǒng)(ESS)供電，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和韌性。在設計高壓固態(tài)電池斷...

2024-10-23 標簽：SiC 電氣系統(tǒng)電池 470 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標簽：半導體晶體 SiC 1428 0

GaN和SiC功率器件的特性和應用

如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...

2024-10-18 標簽：半導體 SiC 氮化鎵 1630 0

IGBT和SiC封裝用的環(huán)氧材料

IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關重要的作用。以下是從多個角度對這些環(huán)氧材料的詳細分析：1.熱管理導熱性能：環(huán)氧樹脂需要具...

2024-10-18 標簽：封裝 IGBT SiC 1200 0

碳化硅生產(chǎn)難點是什么

第一代半導體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎，廣泛應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導體產(chǎn)品是用...

2024-10-16 標簽：集成電路半導體 SiC 962 0

SiC MOSFET模塊封裝技術及驅(qū)動設計

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，具有導通電阻低，開關損耗小的特...

2024-10-16 標簽：MOSFET 半導體封裝技術 4153 0

基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中起著至關重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅...

2024-10-16 標簽：封裝 SiC 功率模塊 1231 0

SiC功率器件中的溝槽結構測量

汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率...

2024-10-16 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 630 0

SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

過去三十年，碳化硅功率半導體行業(yè)取得了長足的進步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...

2024-10-16 標簽：MOSFET 半導體晶圓 1334 0

Microchip的SiC解決方案解析

在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動下，對功率器件的需求不斷增加。當今的功率應用具有持續(xù)更嚴格的要求，最重要的是與實現(xiàn)更高的效率（...

2024-10-15 標簽：半導體 microchip IGBT 725 0

提高開關電源效率的方法

提高開關電源效率是一個復雜但至關重要的任務，它直接影響到電源系統(tǒng)的性能、穩(wěn)定性和能耗。開關電源的效率通常定義為輸出功率與輸入功率之比，高效率意味著更少的...

2024-10-10 標簽：變壓器開關電源 SiC 1422 0

如何檢測SiC IGBT模塊失效芯片

當前，在國際節(jié)能環(huán)保的大趨勢下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領域迅速發(fā)展，加上我國經(jīng)濟快速騰飛，能源需求量大幅上升，在這樣...

2024-10-08 標簽：芯片封裝 IGBT 635 0

WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設計柵極驅(qū)...

2024-09-27 標簽：驅(qū)動器 SiC GaN 974 0

SiC MOSFET在電動汽車中的應用問題

電動汽車中可能用到SiC MOSFET的主要汽車電子零部件包括車載充電機、車載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉換器。

2024-09-29 標簽：電動汽車 MOSFET SiC 502 0

三相全橋SiC MOSFET模塊，為車載空調(diào)壓縮機提供創(chuàng)新解決方案

1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結構，以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能，展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢...

2024-09-18 標簽：MOSFET 壓縮機 SiC 701 0

碳化硅功率器件的工作原理和應用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件 SiC 1030 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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