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      sic

      +關(guān)注31人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2814個 瀏覽：64754次 帖子：124個

      sic技術(shù)

      SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

      SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)...

      2024-09-10 標簽：二極管SiC碳化硅 2491 0

      離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

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      *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲能正以其經(jīng)濟性，電網(wǎng)友好性等特點蓬勃發(fā)展，其中離網(wǎng)應(yīng)用場景下，不平衡負載帶載能力，諧波畸變度等都是其...

      2024-08-30 標簽：MOSFETSiC變流器 1159 0

      GaN和SiC在工業(yè)電子領(lǐng)域的優(yōu)勢

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      2024-08-30 標簽：MOSFETSiCGaN 727 0

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      2024-08-15 標簽：晶體管SiCGaN 1679 0

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      /摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOS...

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      在電力電子領(lǐng)域，面臨的挑戰(zhàn)是如何在更小的設(shè)備中實現(xiàn)更高的功率傳輸并降低成本。這些目標往往相互矛盾，導(dǎo)致必須做出妥協(xié)。更高的電流會導(dǎo)致器件內(nèi)部的熱應(yīng)力增加...

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      PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

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      /摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...

      2024-07-25 標簽：MOSFET驅(qū)動電路SiC 954 0

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      • LT8705
        LT8705
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