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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代：能效革命與產(chǎn)業(yè)升級

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代：能效革命與產(chǎn)業(yè)升級在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下，商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅（Si...

2025-06-09 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 186 0

理想汽車自研SiC團(tuán)隊(duì)成果：提高SiC MOSFET可靠性的方式

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）SiC在電動(dòng)汽車上的大規(guī)模應(yīng)用，到目前為止已經(jīng)經(jīng)歷8年時(shí)間，行業(yè)已經(jīng)稱得上成熟。但作為一種半導(dǎo)體功率器件，由于SiC襯...

2025-06-09 標(biāo)簽：MOSFET SiC 9162 0

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮：國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 ...

2025-06-07 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 272 0

新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...

2025-06-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 371 0

國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)洗牌：SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰，與其視為行業(yè)危機(jī)，不如理解為市場機(jī)制的自我凈化——當(dāng)參數(shù)虛標(biāo)、低質(zhì)低價(jià)等亂象被清除，真正具備創(chuàng)新能力的企...

2025-06-24 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 115 0

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可復(fù)制的戰(zhàn)略框架與方向指引

國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)成功驗(yàn)證了國產(chǎn)碳化硅企業(yè)從“替代進(jìn)口”到“全球競合”的可行路徑。隨著8英寸量產(chǎn)窗口臨近，國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體...

2025-06-24 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 102 0

中國SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“結(jié)硬寨，打呆仗”的破局之路

中國SiC產(chǎn)業(yè)從政策扶持、技術(shù)攻堅(jiān)到資本賦能的縮影。其發(fā)展揭示了中國半導(dǎo)體企業(yè)的共性路徑：以IDM模式突破封鎖，以成本優(yōu)勢搶占市場，以資本耐力換取技術(shù)時(shí)...

2025-06-24 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 101 0

硅基時(shí)代的黃昏：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？

革命性替代：為何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 當(dāng)效率差距跨越臨界點(diǎn)，IGBT被淘汰便是唯一結(jié)局傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模...

2025-05-30 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 268 0

基本股份B3M013C120Z（碳化硅SiC MOSFET）的產(chǎn)品力分析

從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析，中國SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)已實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)步，具體體...

2025-06-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 132 0

新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOS...

2025-05-29 標(biāo)簽：MOSFET SiC 401 0

浮思特 | 緊湊型SiC模塊助力高功率密度車載充電器發(fā)展

電動(dòng)汽車領(lǐng)域的發(fā)展日新月異：電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)正朝著更高效率、更緊湊化的方向演進(jìn)，以提升車輛自主性和續(xù)航里程。車載充電器(OBC)作為這一發(fā)展的核心部件，必須...

2025-05-29 標(biāo)簽：模塊 SiC 車載充電器 409 0

Power Integrations發(fā)布1700 V SiC開關(guān)集成電路，專為800 V電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)

在全球電動(dòng)汽車市場快速發(fā)展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關(guān)集成電路，專門為800V電動(dòng)汽車系...

2025-05-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車集成電路 SiC 267 0

新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOS...

2025-05-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC 279 0

揚(yáng)杰科技出席2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議

此前，5月22日至24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”在南京熹禾涵田酒店順利召開。揚(yáng)杰科技受邀參加，董事長梁勤女士親自參加會(huì)議，功率器件事業(yè)...

2025-05-26 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體揚(yáng)杰科技 618 0

什么是IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組？特性是什么？主要應(yīng)用哪里？

IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件，通過柵極電壓...

2025-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT 晶體管 376 0

Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變

近日，行業(yè)先驅(qū)Wolfspeed被曝?cái)M通過破產(chǎn)保護(hù)程序?qū)嵤I(yè)務(wù)重組。這一動(dòng)向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競爭下的洗牌趨勢，也凸顯中國供應(yīng)鏈的快速崛起對傳統(tǒng)巨頭的...

2025-05-26 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 399 0

選擇基本半導(dǎo)體SiC碳化硅功率模塊，賦能盤式電機(jī)驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元

傳統(tǒng)硅基IGBT受限于開關(guān)損耗和頻率瓶頸，而碳化硅(SiC)功率模塊憑借材料優(yōu)勢，成為理想選擇?；景雽?dǎo)體推出的BMF240R12E2G3與BMF008...

2025-06-19 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 165 0

逆變焊機(jī)新時(shí)代：碳化硅（SiC）技術(shù)開啟高效節(jié)能新篇章

在工業(yè)制造領(lǐng)域，焊接設(shè)備是核心生產(chǎn)力工具之一，其效率與能耗直接影響生產(chǎn)成本和環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。傳統(tǒng)焊機(jī)多采用IGBT(絕緣柵雙極晶體管)技術(shù)，但在高頻應(yīng)用場景下...

2025-06-19 標(biāo)簽：IGBT SiC 逆變焊機(jī) 171 0

SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新，賦能高效能源未來

BASiC Semiconductor（基本半導(dǎo)體）作為領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率器件及驅(qū)動(dòng)解決方案提供商，始終致力于通過技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)電力電子系統(tǒng)的高效...

2025-06-19 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 173 0

國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體全面取代Wolfspeed進(jìn)口器件的路徑

在Wolfspeed宣布破產(chǎn)的背景下，國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件廠商如BASiC(基本股份)迎來了替代其市場份額的重大機(jī)遇。

2025-06-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 211 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
WPC

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手機(jī)快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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