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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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如何更好的驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET？——試用X3系列加強(qiáng)型半橋驅(qū)動(dòng)評估板

認(rèn)真學(xué)習(xí)本文，回答三個(gè)問題，即有機(jī)會(huì)獲取評估板，自己上手做測試，體驗(yàn)數(shù)字化驅(qū)動(dòng)器的美妙和強(qiáng)大功能！得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢，SiCMOSFET在電力...

2024-05-10 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 654 0

光儲(chǔ)系統(tǒng)高壓化升級，2000V SiC MOSFET開始走進(jìn)市場

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率SiC器件目前最大的應(yīng)用市場是電動(dòng)汽車。在汽車應(yīng)用中，電動(dòng)汽車的母線電壓普遍在400V左右，因此在主驅(qū)等部件中只需要用...

2024-05-09 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 5856 0

羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal GmbH將擴(kuò)大150mm SiC晶圓長期供應(yīng)合同

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）和為各種電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球著名半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體（以下簡稱“ST”）宣布，...

2024-05-08 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體 SiC 851 0

中國SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)報(bào)告顯示，中國在SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占據(jù)領(lǐng)先地位，特別是在功率元件業(yè)務(wù)中達(dá)到了42.4%的高占比。這一領(lǐng)域涵蓋了...

2024-05-08 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體電驅(qū)系統(tǒng) 837 0

模塊化碳化硅（SiC）器件評估的深入分析

碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領(lǐng)域的格局，帶來了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是，汽車應(yīng)用正從SiC技術(shù)中...

2024-05-06 標(biāo)簽：SiC 模塊化碳化硅 1490 0

納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產(chǎn)品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展現(xiàn)了出色的導(dǎo)電性能。這款產(chǎn)品提供...

2024-05-06 標(biāo)簽：MOSFET SiC 納芯微 1014 0

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在當(dāng)前的儲(chǔ)能系統(tǒng)中，尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時(shí)，寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC（碳化硅）正越來越受到青睞，因?yàn)檫@種材料...

2024-04-29 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 4437 0

2000V SiC分立器件雙脈沖或連續(xù)PWM評估板

開發(fā)EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板的目的是評估TO-247 PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000V碳化硅MOSFET。評...

2024-05-14 標(biāo)簽：PWM 分立器件 SiC 717 0

TPAK SiC優(yōu)選解決方案：有壓燒結(jié)銀+銅夾Clip無壓燒結(jié)銀

2024-04-25 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 Clip 1328 0

揚(yáng)杰科技攜重點(diǎn)產(chǎn)品及解決方案精彩亮相CESC2024中國國際儲(chǔ)能大會(huì)

CESC2024中國國際儲(chǔ)能大會(huì)暨智慧儲(chǔ)能技術(shù)及應(yīng)用展覽會(huì)于2024年4月23日在南京新國際博覽中心拉開帷幕，揚(yáng)杰科技帶著最新一代的產(chǎn)品和技術(shù)亮相，圍繞...

2024-04-24 標(biāo)簽：新能源 MOSFET 汽車電子 880 0

羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體擴(kuò)大SiC晶圓供應(yīng)合同

2024-04-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 731 0

中車半導(dǎo)體獲電投融合創(chuàng)新基金投資

中車半導(dǎo)體近日獲得了電投融合創(chuàng)新基金的投資。電投融合創(chuàng)新基金是由國家電投產(chǎn)業(yè)基金聯(lián)合常州市產(chǎn)業(yè)投資基金（有限合伙）、常州市武進(jìn)區(qū)基金及其他國有資本共同發(fā)...

2024-04-23 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體晶閘管 1220 0

利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)

盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級結(jié)MOSFET(例如意法...

2024-04-23 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 802 0

SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議，擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)

羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm（...

2024-04-23 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC 721 0

合肥世紀(jì)金芯簽下2億美元SiC襯底片大單，產(chǎn)能將大幅提升

據(jù)了解，世紀(jì)金芯近期在8英寸SiC襯底片領(lǐng)域取得重要突破，成功開發(fā)出可重復(fù)生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術(shù)。

2024-04-23 標(biāo)簽：晶體 SiC 襯底 1703 0

車載逆變器需求旺盛，加速向SiC轉(zhuǎn)變

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在很多日常電氣設(shè)備的使用場景中，逆變器都充當(dāng)了不可或缺的重要角色。逆變器的應(yīng)用場景非常多，比如汽車旅游、野外作業(yè)、應(yīng)急電源...

2024-04-23 標(biāo)簽：逆變器車載逆變器 SiC 4937 0

英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFE...

2024-04-20 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車英飛凌 MOSFET 1604 0

SiC器件工作原理與優(yōu)勢

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具備高電子遷移率、高熱導(dǎo)率以及高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn)。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，同時(shí)比...

2024-04-18 標(biāo)簽：電機(jī)控制器功率器件 SiC 1321 0

納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET

為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測試，100%抗雪崩能力測試。

2024-04-18 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 764 0

頗有前景的半導(dǎo)體替代材料：SiC和GaN適用范圍及優(yōu)缺點(diǎn)介紹

自1954年以來，硅一直是先進(jìn)技術(shù)發(fā)展的重要基石。人們普遍認(rèn)為，硅作為電子元件基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)核心材料的地位不可動(dòng)搖。

2024-04-17 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2739 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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