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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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通過轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級
通過轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級
2023-11-28 標(biāo)簽:SiCAC-DC暖通空調(diào) 894 0
華為發(fā)布全新一代DriveONE 800V高壓碳化硅SiC車型!
華為首發(fā)的SiC電機(jī)為行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)最高轉(zhuǎn)速的電機(jī),每分轉(zhuǎn)速可達(dá)22000轉(zhuǎn),最高效率達(dá)到了98%,該電機(jī)將首發(fā)搭載于智界S7。
瑤芯微完成數(shù)億元產(chǎn)業(yè)輪融資,用于新產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)等
瑤芯微成立于2019年,總部設(shè)在上海張江,在西安、成都、深圳、湖州等地設(shè)有研發(fā)中心和分公司。電力分配電力及信號鏈兩個產(chǎn)品系列:功率產(chǎn)品覆蓋高中低壓不同電...
中國電動汽車崛起對功率半導(dǎo)體行業(yè)意味著什么?
中國電動汽車的崛起。在拆解比亞迪最新一代平價電動汽車海豹后,瑞銀汽車團(tuán)隊認(rèn)為到2030年,中國電動汽車廠商的全球市場份額將從2022年的17%增至33%...
快速上車!LRC9440一體式ZR電機(jī)帶加熱模塊,助您領(lǐng)跑國內(nèi)SiC封裝設(shè)備市場
國奧科技LRC9440具有精準(zhǔn)溫控、靈活均勻壓力,卓越的Z+R運(yùn)動控制精度等優(yōu)勢,助您輕松應(yīng)對SiC銀燒結(jié)(預(yù)燒結(jié))工藝對設(shè)備的高要求。
SiC如何推動車載充電技術(shù)向800V邁進(jìn)?
雖然“續(xù)航焦慮”一直存在,但混合動力、純電動等各種形式的電動汽車(EV)正被越來越多的人所接受。汽車制造商繼續(xù)努力提高電動汽車的行駛里程并縮短充電時間,...
天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產(chǎn)能。目前,這些中國企業(yè)的總產(chǎn)能約為每月6萬片。隨著各公司產(chǎn)能的逐步釋放,預(yù)計到2024年,...
羅姆 | 有助于車載和工業(yè)設(shè)備降低功耗!內(nèi)置SiC二極管的IGBT
在現(xiàn)代社會,工廠的工業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)活動和廠房的運(yùn)轉(zhuǎn)等都會消耗大量的能源。然而,近年來,全球眾多國家和地區(qū)加快了實現(xiàn)碳中和的進(jìn)程,這就要求各行各業(yè)的企業(yè)付出超...
汽車缺“芯”,這是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵
目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設(shè)期需18-24個月,去年有許多碳化硅項目的投資...
2023-11-17 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1321 0
碳化硅 MOSFET 給電力電子系統(tǒng)帶來哪些創(chuàng)新設(shè)計
我們常說,一代電力電子器件決定一代系統(tǒng)設(shè)計。那么,基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的SiCMOSFET的出現(xiàn),將給電力電子系統(tǒng)設(shè)計帶來哪些顛覆性的改變?英飛凌零碳工...
SiC驅(qū)動器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢,使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動器模塊可以用于電動車的電力系統(tǒng)、可...
突發(fā),中國大陸本土最大MEMS晶圓廠改名!加碼SiC業(yè)務(wù)!
據(jù)傳感器專家網(wǎng)獲悉,11月14日,中國大陸本土最大MEMS晶圓代工廠中芯集成于發(fā)布公告稱,擬將公司中文名稱“紹興中芯集成電路制造股份有限公司”變更為 “...
三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體共同開發(fā)碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體
三菱電機(jī)今天宣布,將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。
2023-11-15 標(biāo)簽:三菱電機(jī)SiC功率半導(dǎo)體 1154 0
基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件
氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表,由于其禁帶寬度和擊穿場強(qiáng)遠(yuǎn)高于GaN,不僅可在更高場強(qiáng)、更高工作電壓下工作,大幅度提升輸出功率密度,還可以實現(xiàn)在高...
川土微電子CA-IS3215/6-Q1車規(guī)級單通道增強(qiáng)隔離柵極驅(qū)動器
川土微電子CA-IS3215/6-Q1適用于SiC/IGBT 的具有主動保護(hù)功能、高 CMTI、15A 拉/灌電流的單通道增強(qiáng)隔離柵極驅(qū)動器新品發(fā)布!
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