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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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據(jù)“行家說(shuō)三代半”此前報(bào)道,2022年2月,英飛凌宣布將投資超過(guò)20億歐元(合計(jì)約144億人民幣)擴(kuò)大SiC 和 GaN半導(dǎo)體的產(chǎn)能,他們將在其馬來(lái)西亞...
2023-08-04 標(biāo)簽:英飛凌SiC儲(chǔ)能系統(tǒng) 992 0
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
新能源車全球普及加速,功率密度標(biāo)準(zhǔn)持續(xù)提升為SiC產(chǎn)業(yè)落地提供契機(jī)。
2023-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車變換器逆變器 405 0
6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(配SiC MOSFET)
新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)IC1...
SiC相較于Si的優(yōu)勢(shì)是什么?SiC加速向脫碳方向發(fā)展
如今,大多數(shù)半導(dǎo)體都是以硅(Si)為基材料,但近年來(lái),一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。
SIC功率器件在新能源領(lǐng)域所發(fā)揮的作用都有哪些呢?
中國(guó)碳化硅行業(yè)是一個(gè)極具潛力的行業(yè),其涉及的產(chǎn)品多樣化,產(chǎn)業(yè)鏈深入,應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,具有良好的市場(chǎng)發(fā)展前景。
新冠初期的芯片供應(yīng)短缺加劇了行業(yè)對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品多樣化來(lái)源的需求,但是選擇十分有限,正如AMD所發(fā)現(xiàn)的那樣。
2023-07-27 標(biāo)簽:TSMC芯片設(shè)計(jì)微處理器 1564 0
瑞能半導(dǎo)體全球首座模塊工廠在上海灣區(qū)高新區(qū)正式投入運(yùn)營(yíng)
7月25日,瑞能微恩半導(dǎo)體暨瑞能金山模塊廠開(kāi)業(yè)典禮在上海灣區(qū)高新區(qū)隆重舉行,標(biāo)志著瑞能全球首座模塊工廠正式投入運(yùn)營(yíng),將主要生產(chǎn)應(yīng)用于消費(fèi)、通訊、新能源以...
2023-07-27 標(biāo)簽:封裝SiC瑞能半導(dǎo)體 991 0
汽車芯片問(wèn)題似乎得到了解決,但事情并未完全結(jié)束。
2023-07-24 標(biāo)簽:MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 1223 0
8吋SiC外延設(shè)備首次亮相 已經(jīng)完成首輪工藝驗(yàn)證
在SEMICON China 2023上海展上,中國(guó)電科集團(tuán)攜集成電路、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體顯示、光伏及熱工等領(lǐng)域設(shè)備和工藝整體解決方案重裝亮相,全面展...
2023-07-24 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體顯示 1506 0
越是內(nèi)卷越需要碳化硅!美的逆勢(shì)增長(zhǎng)20%案例研究
俗話說(shuō),風(fēng)浪越大魚越貴,越是內(nèi)卷越需要碳化硅。
2023-07-21 標(biāo)簽:變壓器變頻器電動(dòng)機(jī) 1445 0
第三代半導(dǎo)體后起之秀:氮化鎵未來(lái)幾大新的增長(zhǎng)點(diǎn)
比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中,將更有優(yōu)勢(shì),比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。
2023年7月12日,羅姆宣布將收購(gòu)原Solar Frontier國(guó)富工廠(宮崎縣國(guó)富町),以擴(kuò)大SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。
2023-07-13 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池SiC功率半導(dǎo)體 1208 0
成本低質(zhì)量還高,國(guó)產(chǎn)廠商新突破帶來(lái)SiC成本拐點(diǎn)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年以來(lái)國(guó)內(nèi)的SiC產(chǎn)業(yè)進(jìn)展神速,除了上游廠商陸續(xù)放出8英寸襯底的進(jìn)展之外,還有多家襯底廠商與海外半導(dǎo)體巨頭簽下供應(yīng)協(xié)議。...
2023-07-12 標(biāo)簽:SiC 1534 0
一直專注于汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)的三星電子宣布進(jìn)軍下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。相應(yīng)地,硅半導(dǎo)體時(shí)代是否會(huì)結(jié)束、新材料市場(chǎng)是否會(huì)打開(kāi),業(yè)內(nèi)人士都在關(guān)注。
2023-07-10 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 838 0
采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC溝槽式MOSFET推動(dòng)電動(dòng)出行的發(fā)展
相比第一代產(chǎn)品,1200 V CoolSiC系列的開(kāi)關(guān)損耗降低了25%,具有同類最佳的開(kāi)關(guān)性能。這種開(kāi)關(guān)性能上的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)了高頻運(yùn)行,縮小了系統(tǒng)尺寸并提高...
中電化合物與韓國(guó)Power Master簽約,供應(yīng)8英寸在內(nèi)的SiC材料
中電化合物致力研發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料,主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,已在寧波前灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園建成包含碳...
2023-06-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC華大半導(dǎo)體 856 0
家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用——SiC功率器件帶來(lái)更高能效和功率密度
過(guò)去數(shù)十年,各種能源法規(guī)都強(qiáng)調(diào)了制造節(jié)能型產(chǎn)品的重要性。這大大促進(jìn)了節(jié)能降耗[1]。此外,這些法規(guī)和標(biāo)準(zhǔn)為利用諸如SiC MOSFET等新技術(shù)優(yōu)異的特性...
2023-06-30 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 1227 0
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