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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC/GaN前沿趨勢(shì)大論劍!這場(chǎng)會(huì)議干貨來(lái)了

SiC/GaN前沿趨勢(shì)大論劍!這場(chǎng)會(huì)議干貨來(lái)了

隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù),SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰,持續(xù)攪動(dòng)新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應(yīng)...

2023-06-16 標(biāo)簽:SiCGaN第三代半導(dǎo)體 788 0

三菱電機(jī)開(kāi)始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊樣品

三菱電機(jī)集團(tuán)近日(2023年6月13日)宣布,將于6月14日開(kāi)始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感,并集成了第二代...

2023-06-15 標(biāo)簽:封裝三菱電機(jī)SiC 1472 0

1700V!這一國(guó)產(chǎn)SiC MOS率先上車(chē)

前幾天,三一集團(tuán)的SiC重卡打破了吉尼斯紀(jì)錄(.點(diǎn)這里.),很多人好奇這款車(chē)的1700V SiC MOSFET供應(yīng)商是誰(shuí),今天答案正式揭曉!

2023-06-14 標(biāo)簽:MOS管電機(jī)控制器SiC 1813 0

240W 雙端口SiC風(fēng)靡充電樁領(lǐng)域

近日,碳化硅技術(shù)在充電樁領(lǐng)域新增了2樁應(yīng)用案例:

2023-06-13 標(biāo)簽:充電器連接器SiC 484 0

?228億涌入國(guó)內(nèi)碳化硅賽道

三安光電近日宣布,將與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。

2023-06-11 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體SiC 281 0

欣銳科技與安森美共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,推動(dòng)SiC在新能源車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用

SiC碳化硅器件按照電阻性能不同分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。其中導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要用于新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、數(shù)據(jù)...

2023-06-09 標(biāo)簽:新能源車(chē)安森美半導(dǎo)體SiC 1193 0

新硅聚合實(shí)現(xiàn)6英寸光學(xué)級(jí)硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜的工程化制備

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上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組孵化的上海新硅聚合半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng):新硅聚合)近期實(shí)現(xiàn)了6英寸的光學(xué)級(jí)硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜(LNOI)的工程化制備。

2023-06-09 標(biāo)簽:濾波器諧振器SiC 2263 0

228億!ST持續(xù)投資中國(guó),與三安光電合資建SiC晶圓廠,加速?lài)?guó)產(chǎn)8寸襯底落地

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)6月7日晚間,三安光電與意法半導(dǎo)體(ST)宣布,雙方已簽署協(xié)議在重慶合資共同建立一個(gè)新的碳化硅器件制造工廠。與此同時(shí),為配...

2023-06-09 標(biāo)簽:SiC 5599 0

一因素或使SiC壽命縮短90%!如何破局?

3月1日,特斯拉特別在”投資者日“活動(dòng)上強(qiáng)調(diào)了SiC封裝技術(shù),大家是否想過(guò)為什么?

2023-06-08 標(biāo)簽:封裝技術(shù)SiCASIC芯片 585 0

2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)

2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)

研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測(cè),盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩,但2023年SiC襯底市場(chǎng)將持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

2023-06-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓IGBT 825 0

AIXTRON滿(mǎn)足高良率、低成本、自動(dòng)化量產(chǎn)需求

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來(lái)源:《半導(dǎo)體芯科技》&《化合物半導(dǎo)體》雜志采訪(fǎng)——AIXTRON中國(guó)副總經(jīng)理 方子文博士 5月23-24日,由雅時(shí)國(guó)際商訊《半導(dǎo)體芯科技》《化合物半導(dǎo)...

2023-06-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體自動(dòng)化SiC 1669 0

GE科學(xué)家團(tuán)隊(duì)展示可承受超過(guò) 800°C的 SiC MOSFET

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GE 的SiC MOSFET可以支持開(kāi)發(fā)更強(qiáng)大的傳感、驅(qū)動(dòng)和控制,為太空探索提供新的可能性,并使高超音速飛行器的控制和監(jiān)測(cè)速度達(dá)到MACH 5,或超過(guò)3...

2023-06-07 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)SiC飛行器 1591 0

零碳時(shí)代,碳化硅器件的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

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5月25日,由行家說(shuō)舉辦的汽車(chē)與光儲(chǔ)充SiC應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)在上海成功舉辦,英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部高級(jí)經(jīng)理張明丹應(yīng)邀參加了大會(huì)主題演講。

2023-06-06 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 354 0

“金剛石半導(dǎo)體”中隱藏的可能性

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金剛石半導(dǎo)體具有優(yōu)異的特性,作為功率器件材料備受期待。

2023-06-05 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT功率器件 2428 0

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碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料,具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成,碳化硅由結(jié)構(gòu)單元Si...

2023-06-05 標(biāo)簽:SiC碳化硅 3604 0

SiC與GaN,誰(shuí)擁有更廣闊的星辰大海?

當(dāng)下,低碳化和數(shù)字化齊頭并進(jìn)的發(fā)展,帶來(lái)了萬(wàn)物互聯(lián)、能源效率、未來(lái)出行等多重變革。而在這個(gè)突飛猛進(jìn)的過(guò)程中,第三代半導(dǎo)體則發(fā)揮著重要作用。

2023-06-04 標(biāo)簽:SiCGaN碳化硅 326 0

功率半導(dǎo)體,成長(zhǎng)驚人!

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在功率半導(dǎo)體市場(chǎng),自2021年第二季度以來(lái),器件制造商的積壓訂單有所增加。因此,2021年全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到223.7億美元,同比增長(zhǎng)20.1%。預(yù)計(jì) ...

2023-06-02 標(biāo)簽:晶體管SiC功率半導(dǎo)體 1183 0

三菱電機(jī)與Coherent達(dá)成合作,擴(kuò)大生產(chǎn)200mm SiC功率器件

三菱電機(jī)和材料、網(wǎng)絡(luò)和激光領(lǐng)域的開(kāi)拓者Coherent近日(2023年5月26日)宣布,雙方已簽署一份諒解備忘錄,將在擴(kuò)大生產(chǎn)200mm SiC功率器件...

2023-06-02 標(biāo)簽:三菱電機(jī)功率器件SiC 1159 0

碳化硅基鉭酸鋰異質(zhì)晶圓上實(shí)現(xiàn)超高Q值SAW諧振器的色散調(diào)控新機(jī)制

碳化硅基鉭酸鋰異質(zhì)晶圓上實(shí)現(xiàn)超高Q值SAW諧振器的色散調(diào)控新機(jī)制

中科院上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組基于自主研制的高質(zhì)量LiTaO3-on-SiC單晶壓電異質(zhì)襯底,揭示了其中水平剪切波模式(SH-SAW)的主偏振分...

2023-06-01 標(biāo)簽:諧振器SiCSAW 1990 0

SiC上車(chē)!阿爾斯通新一代碳化硅永磁電機(jī)牽引系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)載客運(yùn)營(yíng)

作為智能和可持續(xù)交通領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者,阿爾斯通在滿(mǎn)足對(duì)綠色化、智能化交通的需求方面具備獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。此前,阿爾斯通便已著手研發(fā)能全面采用碳化硅材料的Vast...

2023-05-31 標(biāo)簽:智能化SiC永磁電機(jī) 1914 0

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    TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡,經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà),主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi):VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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  • MAX660
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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    Navitas 成立于 2014 年,開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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    共享充電寶
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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