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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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新能源車企在不斷發(fā)展,期間需要確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性,所以與之相關(guān)的SiC供應(yīng)商也需要具有穩(wěn)定的供應(yīng)關(guān)系。然而新能源汽車發(fā)展總趨勢(shì)是在增長,但是市場增速卻是...
2023-05-11 標(biāo)簽:SiC碳化硅電驅(qū)動(dòng) 1658 0
三菱電機(jī)開始提供集成SBD的SiC-MOSFET模塊樣品
2023年5月8日,三菱電機(jī)宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品,該半橋模塊額定電壓為3.3kV,絕緣...
多維科技在紐倫堡Sensor+Test展會(huì)上推2MHz帶寬的可編程TMR265x線性傳感器芯片
多維科技全新的TMR265x 線性磁場傳感器芯片具有出色的溫度穩(wěn)定性和多功能性,為高速功率器件提供寬頻譜電流檢測(cè)方案。 2023年5月8日,多維科技將在...
采用SiC電機(jī)驅(qū)動(dòng)的混合動(dòng)力飛機(jī),成功試飛!
像塞斯納 337 這樣的小型飛機(jī)主要用作島嶼地區(qū)和偏遠(yuǎn)地區(qū)的短程飛機(jī),會(huì)配置兩個(gè)燃油發(fā)動(dòng)機(jī),可以執(zhí)行高要求的空中推進(jìn)和加速任務(wù),以及滑行、巡航和著陸等較...
2023-05-10 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體材料SiC 1802 0
影響第三代半導(dǎo)體SiC MOS閾值電壓不穩(wěn)定的因素有哪些?如何應(yīng)對(duì)?
由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同,SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩(wěn)定性,在器件測(cè)試過程中閾值電壓會(huì)有明顯漂移,導(dǎo)致其電性能測(cè)...
Yole Intelligence的技術(shù)和市場高級(jí)分析師Poshun Chiu分析說,Bosch渴望在美國擁有半導(dǎo)體生產(chǎn)能力對(duì)于一家歐洲公司來說是非同尋...
納微半導(dǎo)體攜尖端GaN/SiC功率產(chǎn)品亮相PCIM 2023
作為歐洲領(lǐng)先的“電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動(dòng)”領(lǐng)域?qū)I(yè)盛會(huì),PCIM 2023將于5月9日至11日在德國紐倫堡盛大召開,會(huì)上將展開超400篇國際技術(shù)論文的學(xué)術(shù)交流...
2023-05-08 標(biāo)簽:SiCGaN納微半導(dǎo)體 449 0
將SiC芯片直接嵌入PCB,英飛凌與Schweizer展開合作
兩家公司已經(jīng)通過在PCB中嵌入48 V MOSFET來展示這種新方法的潛力,這使性能提高了 35%。SCHWEIZER 憑借其創(chuàng)新的 p2Pack 解決...
SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。
2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 804 0
由此可見,華為對(duì)SiC的投資基本覆蓋了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈,這體現(xiàn)了華為對(duì)SiC的發(fā)展?jié)摿τ兄浞值男判?。早?021年,華為便指出,未來十年是第三代功率半導(dǎo)體的...
2023-04-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 1244 0
使用DIC技術(shù)測(cè)量碳化硅SiC纖維束絲的力學(xué)性能—測(cè)試過程詳解
碳化硅(SiC)纖維束絲是一種高性能、高溫材料,具有優(yōu)異的力學(xué)性能和高溫穩(wěn)定性,在航空航天、能源、化工等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。為了更好地研究SiC纖維束...
2023-04-20 標(biāo)簽:測(cè)試SiC試驗(yàn)機(jī) 2265 0
適用于運(yùn)輸領(lǐng)域的SiC:設(shè)計(jì)入門
在這篇文章中,作者分析了運(yùn)輸輔助動(dòng)力裝置(APU)的需求,并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動(dòng)器的理想靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。 ? 為什么使用寬帶隙(...
2023-04-19 標(biāo)簽:SiC 856 0
碳化硅(Silicon carbide,簡稱SiC)是一種化合物半導(dǎo)體,多年來一直受到電子行業(yè)的關(guān)注。SiC憑借其獨(dú)特的物理和電氣性能,有可能實(shí)現(xiàn)更高效...
2023-04-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC模擬器 445 0
別小看這些長寬僅有2毫米左右的芯片,它可是新能源車車載充電機(jī)的“心臟”,有了它,新能源車充電效率大大提高,而且能節(jié)省電力,實(shí)現(xiàn)減碳降耗。就是這小小的芯片...
由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求,2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長2.2倍。預(yù)計(jì)未來市場將繼續(xù)高速擴(kuò)張,2023年達(dá)...
2023-04-13 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 739 0
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于APEX Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)...
基于AMR的電流感應(yīng)助力下一代電動(dòng)汽車充電
擴(kuò)大和升級(jí)電動(dòng)汽車 (EV) 和其他動(dòng)力移動(dòng)應(yīng)用的充電基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)于提高社會(huì)接受度至關(guān)重要。實(shí)施強(qiáng)大、有效的 EV 充電系統(tǒng)是解決范圍焦慮和充電速度等問題...
2023-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電器AMR 914 0
特斯拉“減SiC”,比亞迪不跟!一文縱覽中國車企SiC布局最新進(jìn)展
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日,美國電動(dòng)汽車大廠特斯拉在投資者活動(dòng)日上,動(dòng)力總成負(fù)責(zé)人Colin Campbell表示:“為進(jìn)一步降低車輛成本,計(jì)劃在下...
SiC肖特基二級(jí)管在車載充電機(jī)PFC和LLC電路中的應(yīng)用
我們以6.6kW車載充電機(jī)為例,介紹SiC肖特基二級(jí)管在充電機(jī)AC-DC和DC-DC電路中的應(yīng)用。
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