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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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公開資料顯示,充電模塊是充電樁的核心零部件,約占充電樁總成本的50%;其中,半導(dǎo)體功率器件又占到充電模塊成本的30%,即半導(dǎo)體功率模塊約占充電樁成本15...
功率半導(dǎo)體市場的狀況 增長勢頭過于強(qiáng)勁
氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點(diǎn)之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長,因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無晶圓廠,這在一...
什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC...
SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線和硅基產(chǎn)品線介紹
碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片,碳化硅二極管和碳化硅MOSFET,還要碳化硅模塊。我們重點(diǎn)介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保...
電動汽車發(fā)展正步入高速增長階段。2023年開年,行業(yè)研究機(jī)構(gòu)伊維經(jīng)濟(jì)研究院發(fā)布數(shù)據(jù)稱,2022年,全球新能源汽車銷量達(dá)到1082.4萬輛,同比增長61....
第一代半導(dǎo)體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅;第二代化合物半導(dǎo)體材料包括砷化鎵、磷化銦;第三代化合物半導(dǎo)體材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表。
面對這個巨大機(jī)遇,SiC 市場參與者正在努力在這個價值數(shù)十億美元的業(yè)務(wù)中創(chuàng)造更多收入。
sic碳化硅電機(jī) 碳化硅(SiC)器件損耗小、耐高溫并能高頻運(yùn)行,被公認(rèn)為將推動新能源汽車領(lǐng)域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。世界各工業(yè)強(qiáng)國和大型跨國公司紛紛投入了大...
2023-02-17 標(biāo)簽:SiC 2630 0
英飛凌與Resonac簽署多年期碳化硅材料供應(yīng)協(xié)議
英飛凌科技持續(xù)擴(kuò)大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署...
未來市場格局充滿變數(shù) 小規(guī)模碳化硅供應(yīng)鏈難題未解
中國規(guī)模較小的碳化硅(SiC)供應(yīng)鏈參與者將發(fā)現(xiàn)2023年是其相對艱難的一年。
與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合,效率顯著提高
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”,是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與120...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器控制ICSiC 969 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地擴(kuò)大。其中一個...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 820 0
2022年3月,昕感科技完成超億元A輪融資,由藍(lán)馳創(chuàng)投領(lǐng)投,博裕資本、水木清華校友基金、海南贏璽投資有限公司、北京锎瀾投資管理有限公司參與融資。融資主要...
滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET又增10個型號,業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AE...
簽下六年保供協(xié)議,派恩杰確定SiC營收新目標(biāo)
經(jīng)過在SiC賽道長達(dá)十年甚至更久的技術(shù)及硬件積累,上述這些SiC芯片供應(yīng)商們由于特定的歷史條件,大多是IDM模式,而且如今包括ST、安森美、羅姆等多家廠...
SiC作為半導(dǎo)體材料的歷史不長,與Si功率元器件相比其實(shí)際使用業(yè)績還遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法超越,可能是其可靠性水平還未得到充分認(rèn)識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性...
SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)
SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通...
2023-02-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiC功率元器件 707 0
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