2023年SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)市場需求將劇增？

這家美國制造商稱，這兩款設(shè)備的功率分別為200kW和400kW，得益于SiC MOSFET的開關(guān)頻率是硅IGBT的20倍，SiC組件為 400 kW 逆...

2023-02-07 標(biāo)簽：SiC碳化硅太陽能逆變器 938 0

瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM

RAJ2930004AGM可與瑞薩IGBT產(chǎn)品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。

2023-02-07 標(biāo)簽：逆變器IGBTSiC 635 0

碳化硅功率半導(dǎo)體廠商瞻芯電子入選投中2022年度銳公司榜單

2月2日，知名投資界媒體投中網(wǎng)發(fā)布了2022年度“投中·銳公司100”榜單，瞻芯電子入榜。 ? 該榜單由投中研究院提供，從企業(yè)外部關(guān)注度、產(chǎn)業(yè)協(xié)同性以及...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 900 0

淺談SiC 和 GaN 的未來發(fā)展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。

2023-02-06 標(biāo)簽：SiCGaNGaN晶體管 1064 0

碳化硅半導(dǎo)體與行業(yè)的未來！

雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初，但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關(guān)注。正是在這一點(diǎn)上，它首次用于肖特基二極管...

2023-02-06 標(biāo)簽：電動汽車MOSFET半導(dǎo)體 1374 0

第三代半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅材料相比，有什么優(yōu)勢

　　隨著碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料在二極管、場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和其他元件中的不斷應(yīng)用，電力電子行業(yè)的技術(shù)革命已經(jīng)開始。這些新組...

2023-02-05 標(biāo)簽：MOSFETSiCGaN 3343 0

半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用領(lǐng)域

　　第三代半導(dǎo)體具有較高的熱導(dǎo)率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等，適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件，可用于衛(wèi)星、汽車、雷達(dá)、工業(yè)、...

2023-02-05 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體SiC 1720 0

SiC和GaN功率電子器件的優(yōu)勢和應(yīng)用

　　隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對...

2023-02-05 標(biāo)簽：RFSiCGaN 1514 0

碳化硅與氮化鎵器件的特點(diǎn)差異

　　碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 2075 0

SiC器件相對于Si器件的優(yōu)勢有什么

　　WBG化合物半導(dǎo)體具有更高的電子遷移率和更高的帶隙能量，因此其財(cái)產(chǎn)優(yōu)于硅。由WBG化合物半導(dǎo)體制成的晶體管具有較高的擊穿電壓和耐高溫性。這些器件在高...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器SiC 1614 0

碳化硅行業(yè)現(xiàn)狀及前景怎么樣

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC碳化硅 5492 0

IGBT、SiC國產(chǎn)化率加速攀升 碳化硅行業(yè)迎來快速發(fā)展機(jī)遇期

分 8 寸和 12 寸廠看，2022 年第四季度 8 寸晶圓廠的主力臺積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、力積 電和中芯國際的產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)分別下降到 97%/90%...

2023-02-03 標(biāo)簽：IGBT晶圓代工SiC 2093 0

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？

特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，碳化硅技術(shù)能夠幫助電動汽車實(shí)現(xiàn)快速充電，增加續(xù)航；這...

2023-02-02 標(biāo)簽：電動汽車逆變器特斯拉 3454 0

瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動IC，用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGB...

2023-02-02 標(biāo)簽：驅(qū)動ICSiC瑞薩電子 1721 0

一種單步無掩膜線形脈沖激光光刻技術(shù)

在激光亞波長圖案化納米制造方面，大面積無拼接超衍射極限圖案化納米制造在半導(dǎo)體及光學(xué)微納器件等領(lǐng)域具有至關(guān)重要的作用，開發(fā)低成本、高效率制備技術(shù)及配套設(shè)備...

2023-01-30 標(biāo)簽：SiC激光脈沖應(yīng)變傳感器 1948 0

未來五到十年供應(yīng)都會緊缺？國產(chǎn)SiC能成功上主驅(qū)嗎？

當(dāng)前從目前的供應(yīng)情況來看，車規(guī)級SiC MOSFET主要由英飛凌、ST、羅姆三家供應(yīng)，供不應(yīng)求現(xiàn)象較為嚴(yán)重。另一方面來說，國內(nèi)也有不少SiC器件廠商推出...

2023-01-30 標(biāo)簽：逆變器SiC碳化硅 912 0

20億歐元巨資建SiC工廠 采埃孚入股Wolfspeed

SiC芯片可以幫助電動汽車實(shí)現(xiàn)突破；碳化硅芯片電動汽車壽命更長。使用 SiC 芯片，電動汽車的使用壽命更長，充電速度更快，并且由于耗能更低，從而降低了運(yùn)...

2023-01-29 標(biāo)簽：電動汽車逆變器SiC 2539 0