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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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由于電池仍然是電驅(qū)動系統(tǒng)的最主要成本構(gòu)成,因此以最高效的方式使用電池提供的能量是很重要的,從電能到機(jī)械能的轉(zhuǎn)換效率即電驅(qū)動系統(tǒng)效率就顯得及其重要。為了提...
功率器件是電力電子工業(yè)中最重要的基礎(chǔ)元件之一,廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換和電路控制領(lǐng)域。功率器件作為耗電設(shè)備和系統(tǒng)的核心,發(fā)揮著實(shí)現(xiàn)電能的處理、轉(zhuǎn)換和...
隨著對電動汽車(EV)需求的持續(xù)增長,制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù),即碳化硅和硅,用于電力電子應(yīng)用。碳化硅(SiC)具有耐高溫、低功耗、剛性,并支持EV...
瞻芯電子將于11月15日-17日,在深圳國際會展中心(寶安新館),參加慕尼黑華南電子展,并在2號展館設(shè)立展臺(2B18),為各領(lǐng)域客戶介紹SiC功率半導(dǎo)...
富昌電子IIC深圳站分銷商大會 強(qiáng)固供應(yīng)鏈安全
從強(qiáng)固供應(yīng)鏈安全的增值服務(wù) 到可量產(chǎn)的工業(yè)4.0方案 近日,2022國際集成電路展覽會暨研討會 (IIC)于深圳大中華交易市場盛大召開,年度創(chuàng)新產(chǎn)品、技...
碳化硅(SiC)功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?;仡櫫薙iC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化硅(SiC)的半導(dǎo)體以純電動汽 用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進(jìn)入普及階段。使用碳化...
2022-11-11 標(biāo)簽:SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體 1017 0
高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。本文追溯...
Qorvo?與SK Siltron CSS宣布達(dá)成長期碳化硅供應(yīng)協(xié)議
移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltr...
碳化硅功率器件優(yōu)勢增強(qiáng)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)!
影響下一代功率半導(dǎo)體器件發(fā)展和實(shí)施的三個主要因素:對持續(xù)改進(jìn)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的監(jiān)管要求;市場需要更輕、更小、更具成本效益的系統(tǒng),具有更集成的功能和新興應(yīng)...
碳化硅功率器件的封裝關(guān)鍵技術(shù)及所面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇
目前已有的大部分商用 SiC 器件仍采用傳統(tǒng) Si器件的封裝方式,如圖 1 所示。該方式首先通過焊錫將芯片背部焊接在基板上,再通過金屬鍵合線引出正面電極...
基于SiC功率器件的電機(jī)控制器應(yīng)用及發(fā)展趨勢
電機(jī)控制器是新能源汽車中電池電能轉(zhuǎn)換機(jī)械能的控制部分,功率控制模塊是電機(jī)控制器中核心電能轉(zhuǎn)換器件。據(jù)弗迪動力測算,SiC能夠提升電控系統(tǒng)中低負(fù)載的效率,...
Wolfspeed擴(kuò)展AEC-Q101車規(guī)級SiC MOSFET推出650V E3M系列產(chǎn)品
Wolfspeed 新款車規(guī)級 E-系列(E3M)650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspee...
國星光電研究院推出新能源領(lǐng)域用KS系列SiC MOSFET
為滿足市場需求,國星光電NSiC-KS SiC MOSFET產(chǎn)品有多款型號選擇。同時,基于公司具備完整的SiC分立器件生產(chǎn)線,國星光電可根據(jù)客戶需要,提...
全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅(SiC)的功率半導(dǎo)體器件,在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中,優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅(Si)IGBT和MOSFET器...
SiC功率器件的發(fā)展及技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管SiC 2228 0
碳化硅(SiC)被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù),特別是在高溫或高電場的惡劣環(huán)境中。本章將討論Si...
基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究,SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而,...
采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問題,提高晶體生長質(zhì)量,是“長快、長厚、長大”的核心技術(shù)方向之一。為了推動行業(yè)技術(shù)發(fā)展,解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴,恒普...
當(dāng)前,全球主要國家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時間表。在具體實(shí)現(xiàn)的過程中,軌道交通將是一個重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能,且?guī)哟罅炕A(chǔ)設(shè)施...
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