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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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在環(huán)境問題、國家法規(guī)和消費者壓力的推動下,全球汽車電氣化競賽正在進(jìn)行。碳化硅 (SiC)是一種寬帶隙半導(dǎo)體,一直是電動汽車(EV)的技術(shù)加速器,因為它提...
根據(jù)實際測量的柵極電流計算柵極漏電流是一項挑戰(zhàn)。柵極電容器的充電和放電瞬態(tài)過程支配著柵極電流。電感器引入了二階振鈴,這使得計算過程更加復(fù)雜。上述挑戰(zhàn)的解...
SiC FET實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性的解決方案
為了滿足設(shè)計人員對更高性能、更高效系統(tǒng)的需求,UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET,可實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性,最顯著的是 750 V、6 m...
2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管SiC 1464 0
使用1,200V碳化硅數(shù)字柵極驅(qū)動器降低開關(guān)損耗
在工業(yè)應(yīng)用中,碳化硅半導(dǎo)體在效率、外形尺寸和工作溫度方面提供尖端技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛接受為可靠的硅替代品。一些功率模塊和功率逆變器制造商已在其產(chǎn)...
2022-08-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動器SiC 1052 0
碳化硅 (SiC) 具有提高電動汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽能行業(yè),碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計算...
碳化硅 (SiC) 是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造用于高壓應(yīng)用的功率器件,例如電動汽車 (EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器。與傳統(tǒng)的硅基功率...
正海集團(tuán)與羅姆已同意組建合資公司,創(chuàng)建新的功率模塊公司。新公司名為“HAIMOSIC”,將于2021年12月在中國成立,正海集團(tuán)旗下的上海正海半導(dǎo)體科技...
UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC F...
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...
由于具備的多種屬性,碳化硅(SiC)成為了電動車(EV)領(lǐng)域中重要的半導(dǎo)體技術(shù),碳化硅器件的性能勝過傳統(tǒng)硅(Si)器件。它的優(yōu)勢包括提高了電壓額定值、功...
富昌電子SiC設(shè)計分享(四):SiC MOSFET Desat設(shè)計注意事項
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方案,進(jìn)而縮短產(chǎn)品的設(shè)計周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第...
SiC 功率堆棧參考設(shè)計加速HV系統(tǒng)開發(fā)
電動汽車和可再生能源系統(tǒng)的電源管理解決方案必須降低性能和成本,同時縮短開發(fā)時間。
SiC 技術(shù):采訪 X-Trinsic 的 Robert Rhoades
半導(dǎo)體是電子電路中最常用的元件之一,具有高性能、可靠性和低成本。通常用于制造集成電路的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)包括一系列照相和化學(xué)處理步驟,最終在純半導(dǎo)體材料晶...
雖然包括開關(guān)速度和高溫能力在內(nèi)的技術(shù)優(yōu)勢現(xiàn)已廣為人知,但成本仍然是一個爭論點。PGC Consultancy 分析了 SiC 裸片成本,在本文和未來的文...
由第三代 SIC MOSFET 供電的電動汽車和工業(yè)應(yīng)用
意法半導(dǎo)體最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET,針對先進(jìn)的功率應(yīng)用(例如 EV 動力系統(tǒng))和其他功率密度、能效和可靠性是相...
半橋LLC諧振轉(zhuǎn)換器中Si和SiC MOSFET的比較
LLC 諧振轉(zhuǎn)換器可用于各種應(yīng)用,如消費電子產(chǎn)品,以及可再生能源應(yīng)用,如光伏、風(fēng)能、水力和地?zé)岬?。本文提供了?3KW 中建模的 Si 和 SiC MO...
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