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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我國SIC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局
隨著5G、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展,產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)紛紛跑步入場。在巨大的潛在市場需求增長、火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我...
本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片,并與OBIRCH對比定位效果,然后用FIB做定點截面切割,觀察到金屬化薄膜鋁...
簡述碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局
碳化硅外延領(lǐng)域捷報連連! 我國碳化硅產(chǎn)業(yè)或迎來史詩級利好 進入2021年以來,在碳化硅外延領(lǐng)域,國內(nèi)外企業(yè)紛紛捷報連連。 ? 2021年3月1日,日本豐...
英飛凌與日本圓晶制造商簽供應(yīng)合同 確保芯片基材碳化硅供應(yīng)安全
5月7日消息 日前,據(jù)外媒報道,英飛凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)與日本晶圓制造商昭和電工(Showa Denk...
SiC肖特基勢壘二極管不使用反并聯(lián)硅二極管,可集成到系統(tǒng)中。硅基二極管有反向恢復(fù)電流,會造成開關(guān)損耗(以及產(chǎn)生電磁干擾,或EMI),而SiC二極管的反向...
2021-04-27 標簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體SiC 1868 0
CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊,以滿足其對自然冷卻的需求
CISSOID 實現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動器的整體融合設(shè)計,且可通過仔細調(diào)整dv/dt去實現(xiàn)控制,通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM,從而將開關(guān)能量...
2021-04-27 標簽:功率轉(zhuǎn)換器晶體管CISSOID 1133 0
過去的一年,作為第三代半導(dǎo)體的典型代表,碳化硅(SiC)器件著實火了一把,其高工作溫度、高擊穿場強、高耐壓、高熱導(dǎo)率、高功率密度以及高可靠性,為設(shè)計師打...
目前,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界電場高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢,突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料(GaAs、InP等)技術(shù)發(fā)...
過去的2020年,功率電子行業(yè)的明星莫過于SiC(碳化硅)開始加快了進入汽車行業(yè)的腳步。電動汽車包括三種功率轉(zhuǎn)換器:主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和OBC(...
氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分,據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小,散熱更好,效率比超快恢復(fù)管提...
簡述仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性
前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管...
賦能未來,勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章
在2011年,在經(jīng)過了將近二十年的研發(fā)之后,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實現(xiàn)。
電源設(shè)計注意事項:組件的絕對最大額定值的測量和控制
盡管電壓和電流完全在最大允許值之內(nèi),但晶體管在消耗200 W功率時將立即燃燒。該組件實際上只能承受65 W的功率。
SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。這篇微信文章將延續(xù)“仿真看世界”系列一貫之風格,借助器件S...
日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布,他們已開發(fā)出“動態(tài)AGE-ing”技術(shù),這是一種表面納米控制工藝技術(shù),可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。
嘉興斯達半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“斯達半導(dǎo)”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導(dǎo)體模塊等項目。
3月2日晚間,斯達半導(dǎo)體發(fā)布2021年度非公開發(fā)行 A 股股票預(yù)案(以下簡稱預(yù)案),計劃非公開發(fā)行股票,募集資金總額不超過35億元,其中,20億元用于高...
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