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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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其中,高壓特色工藝功率芯片和SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目也是斯達這次的募資重點。眾所周知,近年來,因為新能源汽車的火熱,SiC成為了產(chǎn)業(yè)的關(guān)注重點,作為...
上世紀五十年代以來,以硅(Si)材料為代表的第一代半導(dǎo)體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了集成電路(IC)為核心的微電子領(lǐng)域迅速發(fā)展。然而,由于硅材料的帶隙較...
碳化硅(SiC)龍頭企業(yè)Cree年底改名為Wolfspeed
Cree方面表示,“我們的團隊對于創(chuàng)新和超越可能極限的承諾將始終不變。作為碳化硅SiC產(chǎn)業(yè)的全球引領(lǐng)者,我們已經(jīng)做好準備,在未來賦能實現(xiàn)開創(chuàng)性的、高效節(jié)...
報道指出,特斯拉的Model3是第一個應(yīng)用碳化硅(sic)功率元器件的電動車型,用的是來自意法半導(dǎo)體的650v sic mosfet。相比于在Model...
第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb),主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件(LED),是制作高性...
2021-02-01 標簽:功率器件半導(dǎo)體材料SiC 8013 0
《碳化硅產(chǎn)品級別的質(zhì)量認證》 1. 根據(jù)實際應(yīng)用條件進行超越當(dāng)前標準的測試 對分立器件和模塊,均按相關(guān)標準進行常規(guī)檢測,其中包括HTRB、H3TRB和H...
今天我們繼續(xù)講解 ? 《淺談SiC MOSFET體二極管雙極性退化問題》 ? 機制 在雙極性運行(PN結(jié),比如MOSFET的體二極管,在導(dǎo)電時)條件下,...
Vishay推出新型650V SiC肖特基二極管,提升高頻應(yīng)用能效
器件適用于服務(wù)器、電信設(shè)備、UPS和太陽能逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域的功率因數(shù)校正(PFC)續(xù)流、升降壓續(xù)流和LLC轉(zhuǎn)換器輸出整流,為設(shè)計人員實現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化提供高靈活性。
關(guān)于英飛凌CoolSiC MOSFET的抗短路能力
雖然如今設(shè)計的典型工業(yè)級IGBT可以應(yīng)付大約10μs的短路時間,但SiC MOSFET幾乎沒有或者只有幾μs的抗短路能力。這常常被誤以為是SiC MOS...
1月20日消息,比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司已接受中金公司IPO輔導(dǎo),并于近日在深圳證監(jiān)局完成輔導(dǎo)備案。行業(yè)專家認為,比亞迪半導(dǎo)體作為國內(nèi)為數(shù)不多的汽車芯片...
? 晶體中的缺陷結(jié)構(gòu)會通過影響散射聲子影響聲子譜,導(dǎo)致材料的熱力學(xué)、傳熱性質(zhì)變化,為了精確的表征缺陷對固體中導(dǎo)熱、熱擴散的影響,理解聲子-缺陷之間的相互...
多家半導(dǎo)體制造商都在今年大舉措擴大產(chǎn)能,SiC競爭已經(jīng)進入白熱化
日本半導(dǎo)體制造商羅姆在ROHM Apollo Co.,Ltd.(總部位于日本福岡縣)筑后工廠投建的新廠房于近日完工,并將于本月開始安裝生產(chǎn)設(shè)備,以滿足電...
近日,據(jù)韓媒報道,多名業(yè)內(nèi)人士透露,LG集團旗下子公司硅芯片有限公司(Silicon Works)日前宣布擴大其半導(dǎo)體業(yè)務(wù),重點押注碳化硅PMIC以及MCU。
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列——“Wolfspeed WolfPACK?
科銳推出新型SiC功率模塊產(chǎn)品系列,為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領(lǐng)先的效率。
深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“天狼芯”)于近日宣布獲得數(shù)千萬人民幣A輪融資。本輪融資由青島大有資本領(lǐng)投,創(chuàng)享投資跟投。資金將主要用于晶圓采購、產(chǎn)品...
無錫利普思半導(dǎo)體有限公司(簡稱利普思半導(dǎo)體)近日完成Pre-A輪融資,由正泰集團領(lǐng)投、水木易德跟投,融資金額達4000萬元。利普思半導(dǎo)體成立于2019年...
近日,英飛凌與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議,合同預(yù)期五年。英飛凌此舉無疑是看到了Si...
基于簡單的支架多片4H-SiC化學(xué)氣相沉積同質(zhì)外延生長
雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運行中實現(xiàn)多片4H-SiC襯底的同質(zhì)外延生長,但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上,這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者...
傳比亞迪自建SiC產(chǎn)線,預(yù)計到明年有自己的產(chǎn)線
碳化硅(SiC)電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國際知名企業(yè)一致觀點。而比亞迪已經(jīng)開始布局。 據(jù)國內(nèi)媒體報道,比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀...
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