SiC的發(fā)展與未來

隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時(shí)代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。 事實(shí)上，從特性上來講，SiC和GaN的優(yōu)勢是互補(bǔ)的，應(yīng)用覆蓋了電...

2020-11-09 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體射頻 3169 0

五家半導(dǎo)體公司今年凈利潤增長超50%

近一個(gè)月來，伴隨三季報(bào)的陸續(xù)披露，機(jī)構(gòu)扎堆調(diào)研半導(dǎo)體企業(yè)的現(xiàn)象重現(xiàn)。據(jù)wind統(tǒng)計(jì)，十月共計(jì)12家半導(dǎo)體公司獲機(jī)構(gòu)調(diào)研，其中卓勝微、晶豐明源、思瑞浦、新...

2020-11-09 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體WIFI 1803 0

華潤微:8吋晶圓產(chǎn)線滿載,產(chǎn)能利用率在90%以上

華潤微在接受投資者提問時(shí)表示，公司募投項(xiàng)目8英寸高端傳感器和功率半導(dǎo)體建設(shè)項(xiàng)目在無錫現(xiàn)有的公司子公司無錫華潤上華科技有限公司8英寸晶圓廠區(qū)和廠房內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)...

2020-11-08 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 3815 0

安森美半導(dǎo)體看中了SiC的哪些應(yīng)用市場

1999年從摩托羅拉分拆出來，分拆初時(shí)，它只擁有一大堆4英寸的小廠，兩座6英寸工廠。此后20年間，它經(jīng)過一系列并購不斷發(fā)展壯大，漸漸成為如今位列前20名...

2020-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美SiC 2267 0

安森美半導(dǎo)體CEO：整個(gè)行業(yè)必須專注于開放貿(mào)易和創(chuàng)新

全球疫情給經(jīng)濟(jì)和社會造成了巨大的動蕩，在此期間，全球各行業(yè)在一定程度上都調(diào)整了各自的經(jīng)營模式。 雖然人們在思考疫情時(shí)，首先想到的肯定不是半導(dǎo)體，但在幫助...

2020-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美SiC 1452 0

SiC集成功率模塊NXH40B120MNQ，高集成度應(yīng)用廣泛

碳化硅是現(xiàn)在比較火的一種半導(dǎo)體材料，近幾年碳化硅的發(fā)展特別快，在很多方面都有應(yīng)用，滲透在人們生活的方方面面。用碳化硅取代傳統(tǒng)的硅材料應(yīng)用于逆變器，作用更...

2020-11-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 1802 0

英飛凌新品：采用D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC? MOSFET

英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服...

2020-11-03 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 3549 0

SiC IGBT的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢分析

SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了，大眾視野中很少會提及到SiC IGBT產(chǎn)品，并不是沒有，只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言，SiC器件的制...

2020-10-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT晶體管 6893 0

致工程師系列之四：寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計(jì)優(yōu)化驗(yàn)證

第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換，...

2020-10-30 標(biāo)簽：SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 863 0

GaN射頻技術(shù)將如何發(fā)展

以5G為代表的Sub 6G通信射頻系統(tǒng)非常復(fù)雜，尤其是那些需要使用高載波頻率和寬頻帶的新技術(shù)，包括載波聚合、Massive MIMO等。為此，很多半導(dǎo)體...

2020-10-26 標(biāo)簽：射頻SiCGaN 3915 0

為第三代寬禁帶制造工藝提供支持，泰克新推S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)

基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。

2020-10-23 標(biāo)簽：泰克混合信號測試系統(tǒng) 1139 0

收購日本先鋒微技術(shù)后，英唐智控發(fā)力第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品

近日，英唐智控完成對日本先鋒微技術(shù)的股權(quán)交割，正式標(biāo)志著其主營業(yè)務(wù)由電子元器件分銷，向半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的轉(zhuǎn)型升級。

2020-10-22 標(biāo)簽：SiC英唐智控 5163 0

Cree出售照明業(yè)務(wù),將重點(diǎn)布局第三代半導(dǎo)體

碳化硅被用作5G無線和電動汽車等重要技術(shù)的半導(dǎo)體，這兩個(gè)領(lǐng)域?qū)⒊蔀槲磥韼啄晷枨笤鲩L的重點(diǎn)。Lowe去年告訴《 N＆O》雜志，Cree已經(jīng)是德國汽車制造商...

2020-10-20 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體SiC 3629 0

碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史及未來展望

碳化硅襯底生產(chǎn)的國外核心企業(yè)，主要是美國CREE，美國 II-VI，和日本昭和電工，三者合計(jì)占據(jù)75%以上的市場。技術(shù)上，正在從 4 英寸襯底向 6 英...

2020-10-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體SiC 1.0萬 0

首片國產(chǎn) 6 英寸碳化硅晶圓產(chǎn)品于上海發(fā)布

根據(jù)東方衛(wèi)視的報(bào)道，首片國產(chǎn) 6 英寸碳化硅 MOSFET（金屬氧化物場效應(yīng)晶體管）晶圓于 10 月 16 日在上海正式發(fā)布。

2020-10-19 標(biāo)簽：晶圓SiC 4176 0

中國第三代半導(dǎo)體真正要火起來并不容易，面臨四大問題

政策，是最大的商機(jī)。在政策的支持下，第三代半導(dǎo)體真的會持續(xù)會火起來嗎？不過，從產(chǎn)業(yè)的角度來看，中國第三代半導(dǎo)體真正要火起來并不容易，面臨四大問題。

2020-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體芯片制造SiC 6928 0

新能源汽車如何用上“第三代半導(dǎo)體”？

9月27日，2020世界新能源汽車大會云峰會之一第三代半導(dǎo)體Sic技術(shù)應(yīng)用在線上舉行。多位行業(yè)專家學(xué)者圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體Sic技術(shù)，從芯片、模塊、封...

2020-10-14 標(biāo)簽：芯片新能源汽車半導(dǎo)體 3666 0