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      sic

      sic

      +關(guān)注31人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2840個(gè) 瀏覽：65284次 帖子：124個(gè)

      sic資訊

      SiC在半導(dǎo)體中的好處分析

      在外延片方面，我國已經(jīng)取得了可喜的成果。六英寸的碳化硅外延產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)本土供應(yīng)，建成或在建一批專用的碳化硅晶圓廠等。比如瑞能的碳化硅二極管產(chǎn)品以及產(chǎn)業(yè)鏈...

      2020-09-26 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體電力 4866 0

      5G性能爆發(fā)突破口 RF GaN蓬勃發(fā)展

      5G性能爆發(fā)突破口 RF GaN蓬勃發(fā)展

      RF GaAs模具市場將從2019年的28億美元左右增長到2025年的36億美元以上。這一市場是由5G和Wi-Fi6手機(jī)應(yīng)用需求的增長推動(dòng)的。

      2021-01-04 標(biāo)簽：射頻SiC氮化鎵 1935 0

      意法半導(dǎo)體第二代SiC功率MosFET特性

      意法半導(dǎo)體第二代SiC功率MosFET特性

      意法半導(dǎo)體（ST）推出了第二代SiC功率MosFET，具有單位面積極低的導(dǎo)通電阻（RDSon）和優(yōu)良的開關(guān)性能，開關(guān)損耗在結(jié)溫范圍內(nèi)幾乎沒有變化。 ST...

      2020-11-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 1626 0

      Microchip推出AgileSwitch數(shù)字可編程柵極驅(qū)動(dòng)器和SiC功率模塊套件

      在討論SiC的過程中，人們往往忽略了其用戶可能面臨的負(fù)面二次效應(yīng)。雖然SiC器件提供快速開關(guān)，但其結(jié)果可能是由振鈴、過沖和欠沖造成的噪聲。SiC還容易發(fā)...

      2020-09-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電路板SiC 2558 0

      基于GaN和SiC的功率半導(dǎo)體將推動(dòng)電力電子封裝集成和應(yīng)用

      另一方面，地殼中含有豐富的硅元素，其中30%是由硅組成的。工業(yè)規(guī)模的單晶碳化硅錠的生長是一種成熟的、可利用的資源。最近，先驅(qū)者已經(jīng)開始評估8英寸晶圓，有...

      2020-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1907 0

      第三代半導(dǎo)體仍面臨著亟待突破的技術(shù)難題?

      由于基于硅材料的功率半導(dǎo)體器件的性能已接近物理極限，以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體憑借其優(yōu)異的材料物理特性，在提升電力電子器件...

      2020-09-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子SiC 4674 0

      薩科微SLKOR的MOS 場效應(yīng)管應(yīng)用范圍和型號

      深圳市薩科微SLKOR（http://www.slkormicro.com）科技有限公司于2005年開始研發(fā)產(chǎn)品，總部位于韓國釜山，專業(yè)從事功率元器件的...

      2020-09-21 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOSSiC 4087 0

      在SiC市場，各企業(yè)間的競爭焦點(diǎn)主要集中在哪些方面

      碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，具有更高頻、...

      2020-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美SiC 2066 0

      寬帶隙半導(dǎo)體是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)

      摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技...

      2020-09-18 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 2486 0

      肖特基二極管和 MOSFET 的雪崩耐受性

      肖特基二極管和 MOSFET 的雪崩耐受性

      半導(dǎo)體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率 MOSFET。與此同時(shí)，由于可供分析的現(xiàn)場...

      2020-09-14 標(biāo)簽：SiCCruiseContro 4208 0

      SiC功率器件或?qū)⒓铀偃谌胲囕d充電器領(lǐng)域

      新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向和傳遞速度，傳統(tǒng)PCU使用硅基材料制成，強(qiáng)電流與高壓電穿過硅制...

      2020-09-08 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體逆變器 2414 0

      汽車、5G電源和光伏是SiC發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力，模塊化是其主要發(fā)展趨勢

      據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，到2022年SiC的市場規(guī)模將達(dá)到10億美元。電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高...

      2020-09-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC碳化硅 8550 0

      碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來政策東風(fēng) 中國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

      碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來政策東風(fēng) 中國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

      今天政策層面有一個(gè)大消息，特大消息，那就是我國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃，利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...

      2020-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 6806 0

      科銳在美國紐約建造全球最大的碳化硅（SiC）制造工廠

      美國北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科銳正在推進(jìn)從硅（Si）向碳化硅（SiC）的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長的對...

      2020-09-02 標(biāo)簽：LEDSic碳化硅 2727 0

      “新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

      碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。

      2020-09-02 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)SiC半導(dǎo)體器件 1766 0

      SiC功率器件有望為新能源汽車行業(yè)帶來新的變革

      近年來，功率器件逐漸成為眾人矚目的“焦點(diǎn)”。比亞迪功率器件產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀告訴《中國電子報(bào)》記者，功率器件是電力電子的“CPU”，是特高壓電網(wǎng)、高速列車、...

      2020-08-30 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體功率器件 2748 0

      半導(dǎo)體材料：Si、SiC和GaN

      半導(dǎo)體材料：Si、SiC和GaN

      作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以...

      2020-08-27 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.2萬 0

      長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長沙高新區(qū)舉行

      根據(jù)此前的公告披露，三安光電擬在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長晶...

      2020-08-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體SiC 2250 0

      為何使用SCALE門極驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET？

      PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，可提供最大峰值輸出門極電流且無...

      2020-08-13 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SCALESiC 2979 0

      雪崩下SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)的魯棒性評估

      雪崩下SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)的魯棒性評估

      本文將探討如何在雪崩工作條件下評估 SiC MOSFET 的魯棒性。MOSFET 功率變換器，特別是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條...

      2020-08-09 標(biāo)簽：變換器SiC魯棒性 2222 0

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        尼吉康
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        trinamic
        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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        國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        A4WP
        +關(guān)注
        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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        MAX660
        +關(guān)注
        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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        智能變電站
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        采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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        USB PD
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        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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        USB-PD
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        PWM信號
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        脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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        DCDC電源
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      • 共享充電寶
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        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
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      • 董明珠
        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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