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      sic

      sic

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2840個 瀏覽：65282次 帖子：124個

      sic資訊

      泰科天潤碳化硅高電壓產(chǎn)品率先突破車規(guī)級可靠性認(rèn)證

      SiC功率器件在新能源汽車應(yīng)用中的關(guān)注度越來越高，電機驅(qū)動、車載充電機（OBC）、DC-DC等應(yīng)用都需要高品質(zhì)的SiC功率器件，也因此眾多SiC功率器件...

      2020-07-31 標(biāo)簽：汽車電子功率器件SiC 2936 0

      PI汽車IC家族擴容，新IC適合電動汽車應(yīng)用

      PI于近期推出了專門適合此應(yīng)用的一款反激式開關(guān)芯片InnoSwitch3-AQ，該芯片支持400V或者800V的母線供電。

      2020-07-30 標(biāo)簽：PISiC應(yīng)急電源 1.4萬 0

      SiC前景火爆，國產(chǎn)功率器件廠商能否搶占市場先機？

      由于材料限制，傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達到了其材料的本征極限，如電壓阻斷能力、正向?qū)▔航?、器件開關(guān)速度等，尤其在高頻和高功率領(lǐng)域更顯示出其局限性。

      2020-07-01 標(biāo)簽：二極管功率器件SiC 2736 0

      助攻電源創(chuàng)新設(shè)計，泰克第二個電源主題實驗室上線

      泰克科技密切跟蹤最新技術(shù)的進展，為工程師們提供卓越的測試解決方案。

      2020-06-29 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 854 0

      產(chǎn)能翻番，安森美半導(dǎo)體碳化硅為何“必不可少”？

      產(chǎn)能翻番，安森美半導(dǎo)體碳化硅為何“必不可少”？

      同被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵（GaN）因其特性，多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領(lǐng)域，而碳化硅（SiC）則主要用在650V以上的高壓...

      2020-06-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 3399 0

      解讀我司全新SiC MOSFET方案！

      NTHL020N120SC1的設(shè)計旨在在1200V的阻斷電壓(VDSS)下提供極低的導(dǎo)通損耗。此外，它被設(shè)計為以低內(nèi)部門極電阻（Rg =1.81Ω）和低...

      2020-06-23 標(biāo)簽：驅(qū)動器安森美半導(dǎo)體SiC 3565 0

      ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

      對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時...

      2020-06-22 標(biāo)簽：MOSFETSiCRohm 1162 0

      ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40％

      ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40％

      在這種背景下，ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開始加強符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容...

      2020-06-19 標(biāo)簽：mosfet元器件sic 4861 0

      緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案 進一步提高電力電子器件效率

      通過使用SiC功率元器件，大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。

      2020-06-06 標(biāo)簽：電動汽車電子器件SiC 3485 0

      國內(nèi)首家！陽光推出車用全SiC電機控制器；美光上調(diào)第三季營收預(yù)期…

      德州儀器公司已經(jīng)取消了一些最受歡迎的計算器運行匯編或C語言編寫的程序的能力，根據(jù)TI-Planet上發(fā)布的客戶支持電子郵件（通過Linus Tech T...

      2020-05-29 標(biāo)簽：美光SiC新聞 9881 0

      英飛凌推出650V SiC MOSFET，低壓SiC市場競爭激烈

      英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。

      2020-05-09 標(biāo)簽：英飛凌SiC 5156 0

      為何一個小改變就可以讓電源的整體系統(tǒng)效率提升至98%？

      任何電子產(chǎn)品都離不開電源，隨著各個國家和地區(qū)能源標(biāo)準(zhǔn)的提升和用戶環(huán)保意識的增強，對電源效率的要求越來越高。產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的公司和工程師們?yōu)榱颂嵘娫葱?，減少...

      2020-05-02 標(biāo)簽：英飛凌數(shù)據(jù)中心SiC 1.7萬 0

      Cissoid公司最新推出了三相SiC智能功率模塊

      據(jù)外媒報道，比利時Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動出行。

      2020-04-22 標(biāo)簽：CISSOIDSiC 4212 0

      SiC技術(shù)走入數(shù)據(jù)中心UPS

      SiC技術(shù)走入數(shù)據(jù)中心UPS

      數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施需要以盡可能低的成本提供高效、可靠的電力，這可能會驅(qū)動不間斷電源（UPS）市場在未來幾年蓬勃發(fā)展。隨著全球經(jīng)濟向數(shù)字化不斷邁進，基于云平...

      2020-04-17 標(biāo)簽：UPS數(shù)據(jù)中心SiC 3078 0

      第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN研究

      第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN研究

      第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、...

      2020-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1.0萬 0

      2024年SiC的市場規(guī)模將達19.3億美元，英飛凌擴展SiC MOSFET產(chǎn)品線

      根據(jù)2019年Yole發(fā)布的SiC市場報告，2018年SiC的市場規(guī)模約為4.2億美元，該機構(gòu)預(yù)計SiC市場的年復(fù)合增長率為29%，也就是說到2024年...

      2020-04-03 標(biāo)簽：英飛凌MOSFETSiC 1.6萬 0

      SiC半導(dǎo)體發(fā)展的下一步是什么

      本文展望了SiC下一步需要做什么，將在哪里應(yīng)用以及如何成為功率半導(dǎo)體的主導(dǎo)力量。

      2020-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 3943 0

      SiC IGBT在電力電子變壓器的發(fā)展

      SiC SBD和 MOS是目前最為常見的 SiC 基的器件，并且 SiC MOS 正在一些領(lǐng)域和 IGBT爭搶份額。我們都知道，IGBT 結(jié)合了 MOS...

      2020-03-20 標(biāo)簽：IGBTSiC 4675 0

      GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體合作關(guān)于碳化硅

      關(guān)鍵詞：CrystX , 碳化硅 , SiC 該五年協(xié)議提高高需求寬禁帶材料的全球供應(yīng) GT Advanced Technologies（GTAT）和安...

      2020-03-20 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體SiCGT 4296 0

      天科合達的高質(zhì)量SiC晶體生長方法

      天科合達的高質(zhì)量SiC晶體生長方法

      天科合達的該項專利提出的改進物理物理氣相傳輸法工藝所生成的碳化硅芯片質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方式生成的芯片。

      2020-03-18 標(biāo)簽：SiC碳化硅 8623 0

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      • trinamic
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        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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        艾德克斯
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
      • Qi標(biāo)準(zhǔn)
        Qi標(biāo)準(zhǔn)
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        國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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        +關(guān)注
        手機快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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        　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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        A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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        MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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        采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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        逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
      • 納微半導(dǎo)體
        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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        DCDC電源
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        醫(yī)療電源
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      • 共享充電寶
        共享充電寶
        +關(guān)注
        共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
      • 系統(tǒng)電源
        系統(tǒng)電源
        +關(guān)注
      • 董明珠
        董明珠
        +關(guān)注
        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • LT8705
        LT8705
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