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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器
ROHM的SiC MOSFET被UAES公司的OBC產(chǎn)品采用,與以往的OBC相比,新OBC所在單元的效率提高了1%(效率高達95.7%,功率損耗比以往降...
山西開展第三代半導體核心技術(shù)攻關(guān),解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的難題
集微網(wǎng)消息,日前,山西省發(fā)布重點產(chǎn)業(yè)集群關(guān)鍵核心、共性技術(shù)研發(fā)攻關(guān)專項指南,以調(diào)動創(chuàng)新資源,聚焦重點產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新,解決制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“卡脖子”難題。
Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊 適用于汽車等應用
Cissoid首席執(zhí)行官Dave Hutton表示:“開發(fā)和優(yōu)化快速開關(guān)SiC電源模塊并可靠地驅(qū)動它們?nèi)匀皇且粋€挑戰(zhàn),這款SiC智能電源模塊是針對極端溫...
從電動汽車續(xù)航痛點到安全挑戰(zhàn) SiC功率元器件的作用逐漸在顯現(xiàn)
動力電池是新能源汽車的核心能量源。為保障電池高效、可靠、安全運行,需要通過電池管理系統(tǒng)(BMS)對動力電池進行實時監(jiān)控、故障診斷、SOC 估算、短路保護...
UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
新發(fā)布的產(chǎn)品應用范圍包括無線和電信系統(tǒng)中50~500KHz頻率范圍的LLC和相移全橋(PSFB)功率轉(zhuǎn)換,以及功率因數(shù)校正(PFC)中的標準硬開關(guān)等領(lǐng)域。
UnitedSiC推具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET器件
UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復特性,因而非常適合于在任何采用標準柵極驅(qū)...
利用SiC寬禁帶功率器件設(shè)計寬帶高功率放大器的流程概述
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展, 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導體材料碳化...
GaN和SiC能促電動汽車電池降本? 一大波半導體器件商表關(guān)注
迄今為止,電動汽車電池的價格昂貴,體積大且效率低。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是汽車電子領(lǐng)域的兩項半導體新技術(shù),它們也許可以改變這一切。 較新的化...
西安西咸新區(qū)涇河新城舉行外資招商項目集中簽約儀式。中德第三代半導體材料聯(lián)合研究院等四個項目簽約落戶西安涇河新城。
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率D...
從材料專業(yè)知識和工藝工程,到SiC MOSFET和二極管設(shè)計制造,意法半導體加強內(nèi)部SiC生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)。
意法半導體完成Norstel AB整體收購,可應對SiC晶圓產(chǎn)能緊缺
據(jù)了解,Norstel將被完全整合到意法半導體的全球研發(fā)和制造業(yè)務中,繼續(xù)發(fā)展150mm碳化硅裸片和外延片生產(chǎn)業(yè)務研發(fā)200mm晶圓以及更廣泛的寬禁帶材料。
SiC和GaN半導體產(chǎn)品競爭激烈,日本企業(yè)實力雄厚
近兩年來,各國科技企業(yè)都在關(guān)注半導體建設(shè),加快在半導體領(lǐng)域中的自主研發(fā)步伐,畢竟半導體涉及到的領(lǐng)域也比較廣,能夠為各行各業(yè)的發(fā)展提供幫助,可以說生活中所...
電子發(fā)燒友訊,11月19日消息,全球碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳宣布與ABB達成合作,該公司將采用科銳Wolfspeed SiC基半導體用于高速增長...
格力11月11日晚發(fā)布公告,擬以自有資金20億元認購三安光電非公開發(fā)行的股份,三安光電此次非公開發(fā)行A股股票,擬募集資金總額不超過70億元,先導高芯擬認...
直到最近,功率模塊市場仍被硅(Si)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)把持。需求的轉(zhuǎn)移和對更高性能的關(guān)注,使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應用,這就帶來了 S...
Wolfspeed,英飛凌,三菱,安森美半導體,意法半導體,ROHM和Toshiba等供應商正在推出下一波基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半...
全球碳化硅(SiC)半導體領(lǐng)先企業(yè)科銳(Cree)與德國采埃孚(ZF Friedrichshafen AG)宣布達成戰(zhàn)略合作,開發(fā)業(yè)界領(lǐng)先的高效率電傳動...
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