50kW/L功率密度，3.3美元/kW成本的電機(jī)實(shí)現(xiàn)難點(diǎn)是什么？

U.S. DRIVE給電機(jī)和電控的發(fā)展定了一個(gè)目標(biāo)，那就是到2025年時(shí)，電機(jī)控制器的效率不能低于98%；功率密度要達(dá)到100kW/L；成本要降到2.7...

2019-10-29 標(biāo)簽：新能源汽車電機(jī)SiC 2.0萬(wàn) 0

SiC的市場(chǎng)格局及其帶來(lái)的工程挑戰(zhàn)

最近幾年，由于MOSFET技術(shù)開始被市場(chǎng)所接受，包括心理門檻和技術(shù)門檻，SiC市場(chǎng)開始了較快地增長(zhǎng)。2018年SiC的市場(chǎng)規(guī)模約為4.2億美元，該機(jī)構(gòu)預(yù)...

2019-10-16 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 9396 0

碳化硅是汽車電子的未來(lái) 博世推出首款碳化硅芯片

10月9日，博世已研發(fā)出一種新型半導(dǎo)體芯片技術(shù)。這種芯片技術(shù)可有效提升電動(dòng)汽車的安全性，當(dāng)電動(dòng)車發(fā)生事故時(shí)，該芯片能夠快速發(fā)出指令使電路快速斷電，防止車...

2019-10-12 標(biāo)簽：芯片新能源汽車Sic 3047 1

科銳宣布將在美國(guó)紐約州建造全球最大SiC制造工廠

近日，科銳在官網(wǎng)宣布擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)展，表示將在美國(guó)紐約州建造全球最大SiC制造工廠。

2019-09-26 標(biāo)簽：SiC科銳 6486 0

ROHM開發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200...

2019-09-24 標(biāo)簽：MOSFETSiCRohm 2309 0

科銳宣布將建造全球最大SiC晶圓廠

2019年9月23日，作為碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree），于今日宣布計(jì)劃在美國(guó)東海岸創(chuàng)建碳化硅（SiC）走廊，建造全球最大的碳化硅（...

2019-09-24 標(biāo)簽：晶圓SiC科銳 8737 0

SiC的優(yōu)勢(shì)及典型設(shè)備

在為功率轉(zhuǎn)換選擇高功率開關(guān)器件時(shí)，過(guò)去只有兩個(gè)選擇，硅MOSFET或者是IGBT，然而最新的應(yīng)用如AC-DC轉(zhuǎn)換器，逆變器，DC-DC轉(zhuǎn)換器等，都達(dá)到了...

2019-10-05 標(biāo)簽：電源安森美SiC 2047 0

科銳與德爾?？萍奸_展汽車SiC器件合作

科銳創(chuàng)新型MOSFET助力新一代電動(dòng)汽車提高行駛里程，縮短充電時(shí)間，提升總體效率。 科銳（CREE）與德爾?？萍迹―elphi Technologies...

2019-09-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC科銳 8796 0

安森美半導(dǎo)體在功率SiC市場(chǎng)的現(xiàn)狀與未來(lái)

安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。

2019-07-30 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體SiC 5931 0

第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域再添新秀——北方華創(chuàng)新一代SiC晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)

隨著電動(dòng)汽車、5G通信、高速軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)功率、射頻器件的性能提出了更高的要求。

2019-07-26 標(biāo)簽：SiC北方華創(chuàng) 7367 0

UnitedSiC在UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)

美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開關(guān)UF...

2019-07-25 標(biāo)簽：封裝FETSiC 1995 0

行業(yè) | 全SiC模塊正在加速,SiC功率器件走向繁榮

安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。

2019-07-25 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體SiC 4702 0

SiC需求增長(zhǎng)快于供應(yīng)（內(nèi)附SiC器件主要供應(yīng)商）

寬禁帶半導(dǎo)體材料越來(lái)越受行業(yè)歡迎。在碳化硅（SiC）正處于大力擴(kuò)張之時(shí)，供應(yīng)商都在努力滿足SiC功率器件和硅片市場(chǎng)的潛在需求。 譬如，Cree計(jì)劃投資高...

2019-07-19 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.4萬(wàn) 0

為什么SiC業(yè)務(wù)可能成為Cree最大增長(zhǎng)動(dòng)力？

半導(dǎo)體制造商科銳（Cree）一直在穩(wěn)步減少對(duì)競(jìng)爭(zhēng)和商品化照明市場(chǎng)的依賴，同時(shí)轉(zhuǎn)向其Wolfspeed部門的電源和RF產(chǎn)品。 最近，似乎Cree正在進(jìn)行重...

2019-07-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車CreeSiC 8780 0

擴(kuò)充產(chǎn)能 羅姆推進(jìn)SiC產(chǎn)品布局

在不久前的一場(chǎng)羅姆SiC產(chǎn)品分享會(huì)上，筆者詳細(xì)了解了SiC產(chǎn)品在功率器件中的比較優(yōu)勢(shì)，以及該公司在SiC產(chǎn)品線、車規(guī)產(chǎn)品以及生產(chǎn)制造方面的情況。

2019-07-12 標(biāo)簽：SiC羅姆 9002 0

英飛凌亮相PCIM Asia 2019，以最新產(chǎn)品技術(shù)助力多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)節(jié)能增效

英飛凌以“我們賦能世界”為主題，在展會(huì)上展示了具備更高功率密度、最新芯片技術(shù)和功能更集成的一系列新產(chǎn)品和技術(shù)。

2019-07-03 標(biāo)簽：英飛凌電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1138 0

英飛凌碳化硅SiC占比充電樁市場(chǎng)份額超過(guò)五成

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的發(fā)展在功率器件市場(chǎng)成為絕對(duì)的焦點(diǎn)。全球功率器件龍頭廠商英飛凌持續(xù)投入碳化硅器件的研發(fā)生產(chǎn)，并打入多個(gè)應(yīng)用市場(chǎng)。日前，在英飛凌科技...

2019-07-02 標(biāo)簽：英飛凌SiC充電樁 7141 0

Power Integration推出高度靈活的門極驅(qū)動(dòng)器系統(tǒng)，適合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC雙功率模塊

可立即使用的SCALE-iFlex系統(tǒng)輕松支持四個(gè)模塊并聯(lián)；出廠涂覆三防漆可極大增強(qiáng)可靠性。

2019-06-27 標(biāo)簽：PowerSiC門極驅(qū)動(dòng)器 2305 0

功率半導(dǎo)體需求旺 預(yù)計(jì)2030年SiC增長(zhǎng)10倍，GaN翻至60倍

據(jù)日本富士經(jīng)濟(jì)(Fuji Keizai)6月發(fā)布功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)的報(bào)告預(yù)估，汽車，電氣設(shè)備，信息和通信設(shè)備等領(lǐng)域?qū)ο乱淮β拾雽?dǎo)體（SiC和GaN）需...

2019-06-25 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 8470 0