采用GaN和SiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析

新一代逆變器採用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)。

2019-07-25 標(biāo)簽：逆變器sicgan 2409 0

總投資10億,泰科天潤六英寸SiC項目落戶江西九江

在九江市委、市政府主要領(lǐng)導(dǎo)的高位推動下，由泰科天潤半導(dǎo)體科技（北京）有限公司投資建設(shè)的6寸半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線項目正式簽約落戶九江經(jīng)開區(qū)。

2019-04-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 8358 0

UnitedSiC宣布推出適用大型反激式AC-DC的SiC JFET晶片

美國新澤西州普林斯頓 --- 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布已經(jīng)推出一系列適用于與具備內(nèi)置低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的...

2019-03-20 標(biāo)簽：SiCAC-DC控制器IC 2108 0

國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求持續(xù)上升 產(chǎn)品價格預(yù)期仍將上漲

全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出，受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持...

2019-03-19 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 8395 0

TI推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動器，具備出色的監(jiān)控能力和高壓保護(hù)

新型TI柵極驅(qū)動器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率。

2019-03-19 標(biāo)簽：德州儀器IGBTSiC 1457 0

滿足新能源汽車應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品

產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用，...

2019-03-15 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFETSiC 5434 0

需求持續(xù)擴張，2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元

受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加，MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價，帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.7...

2019-03-11 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFETIGBT 2313 0

世紀(jì)金光面向新能源汽車推出SiC MOSFET系列產(chǎn)品

世紀(jì)金光是國內(nèi)首家貫通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的綜合半導(dǎo)體企業(yè)。產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈，包括：電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底...

2019-03-10 標(biāo)簽：SiC碳化硅 6088 0

安森美：SiC、GaN助力更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)發(fā)展

根據(jù)IHS Markit分析，由于混合動力和電動汽車，電源和太陽能逆變器主要應(yīng)用市場的需求，預(yù)計2020年碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的...

2019-02-15 標(biāo)簽：電源安森美SiC 1.0萬 0

意法半導(dǎo)體收購Norstel 55%股權(quán) SiC成巨頭布局熱點

SiC功率器件大勢所趨，國際巨頭競相布局，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體擬通過并購整合進(jìn)一步擴大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。日前，意法半導(dǎo)體宣布，公司已簽署協(xié)議，...

2019-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)SiC 2501 0

意法半導(dǎo)體宣布收購Norstel55%股權(quán) 收購總額將達(dá)1.375億美元

SiC功率器件大勢所趨，國際巨頭競相布局，如今意法半導(dǎo)體擬通過并購整合進(jìn)一步擴大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。

2019-02-11 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體SiC 7193 0

GaN-SiC混合材料更薄和更高功率

瑞典的研究人員在碳化硅（SiC）上生長出更薄的IIIA族氮化物結(jié)構(gòu)，以期實現(xiàn)高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管（T-HEMT）和其他器件。

2019-02-02 標(biāo)簽：sicgan 4165 0

科銳與意法半導(dǎo)體簽署供貨協(xié)議

科銳（Nasdaq: CREE）宣布與意法半導(dǎo)體（NYSE: STM）簽署多年協(xié)議，將為意法半導(dǎo)體STMicroelectronics生產(chǎn)和供應(yīng)Wolf...

2019-01-15 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體SiC 4599 0

2025年中國IGBT市場規(guī)模將達(dá)522億人民幣，新能源汽車為最大應(yīng)用領(lǐng)域

集邦咨詢最新《2019 中國 IGBT 產(chǎn)業(yè)發(fā)展及市場報告》顯示，2018 年中國 IGBT 市場規(guī)模預(yù)計為 153 億人民幣，相較 2017 年同比增...

2019-01-10 標(biāo)簽：新能源汽車IGBTSic 1.0萬 0

“2018中國新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展大會”在南京召開

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所張峰研究員做了“寬禁帶半導(dǎo)體SiC 器件研究進(jìn)展”的報告，報告圍繞第三代半導(dǎo)體SiC功率器件的研究，依次介紹SiC襯底和外延的研究...

2018-12-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC新材料 1.0萬 0

科銳宣布與意法半導(dǎo)體簽署供貨協(xié)議 將加速SiC在汽車和工業(yè)兩大市場的商用

近日Cree科銳宣布，其與意法半導(dǎo)體簽署了一份多年供貨協(xié)議，為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)其Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓。

2019-01-11 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體SiC科銳 4831 0

多方面的消息證明，碳化硅大戰(zhàn)一觸即發(fā)

據(jù)麥姆斯咨詢報道，2018年全球?qū)谐^20家的汽車業(yè)者，在OBC中使用SiC肖特基二極體(Schottky Diodes)或SiC MOSFET；未...

2018-12-18 標(biāo)簽：芯片功率器件SiC 5087 0

新能源汽車及混合動力技術(shù)分論壇

在2018年11月6至8日于上海舉辦中國汽車工程學(xué)會年會暨展覽會（SAECCE）上，全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）攜多款新產(chǎn)品亮相。

2018-12-14 標(biāo)簽：新能源汽車SiC 4525 0

碳化硅（SiC）何以還未能征服市場

碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，目前國際上已經(jīng)量產(chǎn)碳化硅（SiC）器...

2018-12-13 標(biāo)簽：SiCRohm碳化硅 1.0萬 0