我國(guó)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料獲新突破

近日，在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所（簡(jiǎn)稱中國(guó)電科二所）生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“...

2018-06-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶sic 8042 0

美高森美展出新型30 kW三相Vienna PFC參考設(shè)計(jì)和SiC解決方案

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)...

2018-05-23 標(biāo)簽：pfcsic美高森美 1.6萬(wàn) 0

2027年超越100億美元！GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模暴增

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的，但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏（PV）逆變器的需求，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。

2018-05-23 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.0萬(wàn) 0

UnitedSiC推出UJ3C1200系列 基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)

功率因數(shù)校正（PFC）、主動(dòng)前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以通過(guò)使用來(lái)自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（S...

2018-05-25 標(biāo)簽：mosfet晶體管sic 1643 0

聚焦光伏發(fā)電和充電樁 英飛凌碳化硅功率器件開(kāi)發(fā)和應(yīng)用引領(lǐng)同儕

“半導(dǎo)體功率器件的未來(lái)主流將是碳化硅器件，SiC應(yīng)用不會(huì)完全取代IGBT，只是在一些高精尖領(lǐng)域應(yīng)用，有非常大的優(yōu)勢(shì)代替IGBT。” 英飛凌科技（中國(guó)）有...

2018-05-21 標(biāo)簽：英飛凌功率器件SiC 2.4萬(wàn) 0

行業(yè)巨頭加緊布局 SiC時(shí)代已經(jīng)到來(lái)

隨著人口激增加之城市化進(jìn)程加快，氣候及資源緊缺問(wèn)題日益嚴(yán)峻。與此同時(shí)，數(shù)字化轉(zhuǎn)型帶來(lái)更大的運(yùn)算量和數(shù)據(jù)處理。

2018-05-18 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體SiC 4291 0

美高森美公司發(fā)布極低電感封裝，專用于公司SP6LI產(chǎn)品系列

美高森美公司（Microsemi） 發(fā)布專門(mén)用于高電流、低導(dǎo)通阻抗（RDSon） 碳化硅 （SiC） MOSFET功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專...

2018-06-01 標(biāo)簽：封裝SiC碳化硅 1005 0

ROHM計(jì)劃新增SiC功率器件廠房 預(yù)計(jì)于2019年動(dòng)工

目前世界正掀起前所未有的節(jié)能浪潮，業(yè)界對(duì)于可有效提升能源效率的SiC功率器件充滿期待。為了滿足日益增加的市場(chǎng)需求，ROHM決定在Apollo筑后工廠增建...

2018-04-22 標(biāo)簽：功率器件sic 794 0

第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管：SCS3系列

前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。

2018-04-09 標(biāo)簽：二極管SiC漏電流 6864 0

泰科天潤(rùn)成為資本、市場(chǎng)、媒體追逐的一匹“黑馬”

中國(guó)碳化硅（SiC）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一，致力于中國(guó)半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，并向全球功率器件消費(fèi)者提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務(wù)。

2018-04-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 1.8萬(wàn) 0

我國(guó)首條SiCIPM生產(chǎn)線正式投產(chǎn) 實(shí)現(xiàn)了戰(zhàn)略新興行業(yè)又一次重要的突破

近日，國(guó)內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊（SiC IPM）生產(chǎn)線在廈門(mén)芯光潤(rùn)澤科技有限公司正式投產(chǎn)，標(biāo)志著我國(guó)在碳化硅芯片這個(gè)戰(zhàn)略新興行業(yè)又實(shí)現(xiàn)了一次重要的突破。

2018-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCIPM 3632 0

慕展上，世強(qiáng)帶來(lái)的SiC、GaN、三電平讓你的效率直達(dá)最high點(diǎn)

2018年，世強(qiáng)元件電商在慕尼黑上海電子展上帶來(lái)了汽車、工業(yè)控制及自動(dòng)化、物聯(lián)網(wǎng)、測(cè)試測(cè)量等九大分區(qū)的最新元件產(chǎn)品及解決方案。

2018-03-29 標(biāo)簽：sicgan電源管理芯片 1.6萬(wàn) 0

功率半導(dǎo)體需求成長(zhǎng)，羅姆加大SiC產(chǎn)能投資

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2017年因國(guó)際景氣好轉(zhuǎn)而表現(xiàn)良好，但廠商同時(shí)也看出PC與手機(jī)半導(dǎo)體市場(chǎng)走入極限，因此利用這個(gè)機(jī)會(huì)希望積極轉(zhuǎn)型，據(jù)日刊工業(yè)新聞報(bào)導(dǎo)，羅姆...

2018-08-05 標(biāo)簽：SiC羅姆半導(dǎo)體 4398 0

升級(jí)“中國(guó)芯”_中車時(shí)代電氣第三代功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線建設(shè)見(jiàn)聞

2月7日，株洲中車時(shí)代電氣SiC（碳化硅）生產(chǎn)線上，工人忙著生產(chǎn)。透過(guò)通透的玻璃擋板，可以看到從頭到腳“全副武裝”的粉色制服技術(shù)人員和藍(lán)色制服設(shè)備人員，...

2018-04-30 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 6646 0

中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成

近日，中車時(shí)代電氣SiC產(chǎn)業(yè)化基地離子注入工藝設(shè)備技術(shù)調(diào)試完成，標(biāo)志著SiC芯片生產(chǎn)線全線設(shè)備、工藝調(diào)試圓滿完成，具備SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)條件，下個(gè)月產(chǎn)線將...

2018-01-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體sic 7264 0

SiC如此多嬌，引無(wú)數(shù)廠商競(jìng)出招

隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器...

2017-10-17 標(biāo)簽：SiCGaN 1937 0

PCIMAsia2017青銅劍科技力推IGBT驅(qū)動(dòng)展現(xiàn)雄厚實(shí)力

6月27-29日，2017年國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（PCIM Asia）在上海世博展覽館成功舉行。國(guó)內(nèi)IGBT驅(qū)動(dòng)領(lǐng)軍企業(yè)青銅劍科技攜旗下全...

2017-07-05 標(biāo)簽：igbtsic 1664 0

氮化鎵組件2015年～2021年的市場(chǎng)增長(zhǎng)率將達(dá)83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用，其應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預(yù)估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長(zhǎng)率將達(dá)83%，其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...

2016-11-28 標(biāo)簽：新能源汽車SiC氮化鎵 1625 0