羅姆：憑SiC拿下電動方程式大賽，逆變器減小30％

在SiC功率器件方面，羅姆展示了該公司的第3代產(chǎn)品。SiC MOSFET的第三代產(chǎn)品是采用“雙溝道結(jié)構(gòu)”的溝道型。相同芯片尺寸下，導通電阻較原來的平面型...

2016-11-23 標簽：逆變器SiC羅姆 1365 0

世界各國第三代半導體材料發(fā)展情況

由于第三代半導體材料具有非常顯著的性能優(yōu)勢和巨大的產(chǎn)業(yè)帶動作用，歐美日等發(fā)達國家和地區(qū)都把發(fā)展碳化硅半導體技術(shù)列入國家戰(zhàn)略，投入巨資支持發(fā)展。本文將對第...

2016-11-15 標簽：半導體SiC碳化硅 3020 0

功率半導體市場大幅增長 SiC躋身電源組件主流

過去幾年來，碳化硅（SiC）型功率半導體解決方案的使用情形大幅成長，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動此項市場發(fā)展的力量包括下列趨勢：節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...

2016-11-14 標簽：igbtSiC功率半導體 2095 0

關(guān)于SiC和GaN的一些技術(shù)比較

臺達電技術(shù)長暨總經(jīng)理張育銘表示，以前電力電子的廠商其實不多，不過近期隨著碳化硅、氮化鎵的半導體元件越來越多，這部分的市場是值得期待的。另外，若以功率設備...

2016-10-26 標簽：SiCGaN半導體芯片 1.0萬 0

日立推出車新型SiC逆變器，電力損耗減少60%

日立運用了以前開發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù)，開發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。

2016-09-26 標簽：日立sic 1645 0

崛起的大陸功率半導體，日本如鯁在喉

　　功率半導體器件是日本的優(yōu)勢領(lǐng)域。如今在這個領(lǐng)域，中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領(lǐng)域繼續(xù)保持強大的競爭力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝...

2016-05-12 標簽：功率器件SiCGaN 4731 0

英飛凌推出革命性的1200V碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù) 助力電源轉(zhuǎn)換設計提升效率和性能

英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數(shù)量級...

2016-05-10 標簽：英飛凌MOSFETSiC 8482 0

SiC/GaN功率半導體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場研究機構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此...

2016-03-24 標簽：半導體SiCGaN 1625 0

SiC功率器件加持，羅姆閃耀慕尼黑上海電子展

作為業(yè)內(nèi)極具代表性的電子展之一，3月中旬在滬舉辦的慕尼黑上海電子展吸引了海內(nèi)外眾多半導體廠商的關(guān)注。日本的知名廠商羅姆（ROHM）半導體也攜帶了其最新的...

2016-03-23 標簽：電源管理模擬電源功率器件 1767 0

Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，...

2015-11-22 標簽：SiCGaNBulk Si 1812 0

羅姆亮相高交會，電源與物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品亮眼

　　2015年11月16日，第十七屆高交會電子展在深圳拉開帷幕，作為中國電子行業(yè)最具代表性的展會之一，本次展會吸引了眾多半導體廠商關(guān)注。來自日本的知名半...

2015-11-20 標簽：高交會SiC羅姆 1672 0

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ

SiC市場領(lǐng)導者Cree（科銳公司）近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。

2015-09-07 標簽：MOSFETSiCC3M0065090J 2302 0

探秘大基金，下一個集成電路投資目標瞄準誰

自去年國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（以下簡稱大基金）成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務。正是因為“手握重金”，坊間對于大基金...

2015-07-21 標簽：SiCFinFET 1070 0

世強簽約SiC巨頭CREE 共拓工業(yè)與汽車領(lǐng)域新版圖

2015-06-15 標簽：半導體SiC汽車工業(yè) 1093 0

高效率低能耗，SiC/GaN元件掀功率半導體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識抬頭，半導體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開發(fā)，加上電動車、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標簽：功率器件SiCGaN 5894 1

新一代功率半導體大熱，節(jié)能成發(fā)展關(guān)鍵

技術(shù)信息供應商美國IHSGlobal預測稱，功率半導體市場將穩(wěn)定發(fā)展。全球市場規(guī)模預計在2017年，將從2012年的114億美元擴大到141億美元。其中...

2014-02-12 標簽：SiCGaN功率半導體 1360 0

國家政策支持，中國功率半導體將迎來黃金發(fā)展期

據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路...

2014-01-21 標簽：IGBTSiC功率半導體 1947 0

新一代功率半導體開發(fā)競爭激烈，亞洲企業(yè)紛紛涉足

　與現(xiàn)在的Si功率半導體相比，SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...

2013-12-30 標簽：SiCGaN功率半導體 954 0

鎖定大功率轉(zhuǎn)換應用　飛兆強推SiC功率元件

　為改善過去采用硅（Si）材料開發(fā)的功率元件無法耐高溫環(huán)境、低承受電壓值等缺陷，飛兆半導體（Fairchild）已改用碳化硅（SiC）材料量產(chǎn)雙極接面電...

2013-12-27 標簽：飛兆SiC功率半導體 1007 0