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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案 提升大功率應(yīng)用的系統(tǒng)性能
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):M...
明星企業(yè)齊聚PEC電力電子,共討行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)
由愛戴愛集團(tuán)主辦,《Bodo’s功率系統(tǒng)》協(xié)辦的PEC中國(guó)國(guó)際電力電子峰會(huì)暨產(chǎn)品展示會(huì)—蘇州站將于10月25日在蘇州會(huì)議中心隆重開幕。截止日前,英飛凌科...
美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應(yīng)用提供無(wú)與倫比的高功率性能
半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅(silicon carbide,SiC)襯底氮化鎵(gallium ...
PEC-電力電子帶你看SiC和GaN技術(shù)與發(fā)展展望
據(jù)權(quán)威媒體分析,SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng),預(yù)計(jì)到2020年,SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)...
功率半導(dǎo)體觀察:SiC和GaN飛速發(fā)展的時(shí)代
“PCIM Europe”是功率器件、逆變器、轉(zhuǎn)換器等功率電子產(chǎn)品的展會(huì)。在市場(chǎng)要求降低耗電、減輕環(huán)境負(fù)荷等背景下,該展會(huì)的規(guī)模逐年擴(kuò)大,2013年共...
2013-07-09 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 3853 0
PV逆變器應(yīng)用升溫,推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展
碳化硅(SiC)功率元件正快速在太陽(yáng)能(PV)逆變器應(yīng)用市場(chǎng)攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性,不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體,提供更高的電源轉(zhuǎn)換效...
未來(lái)十年將是GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng),將以18%速度增長(zhǎng)
在未來(lái)十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有...
2013-04-26 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1778 0
德州儀器推柵極驅(qū)動(dòng)器旨在滿足IGBT與SiC FET需求
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級(jí)電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器。TI...
新一代功率器件將在2013年迎來(lái)技術(shù)大挑戰(zhàn)
SiC和GaN作為新一代的半導(dǎo)體功率器件,由于其開關(guān)高速、高頻工作和高溫工作燈特點(diǎn),受到了廣大關(guān)注。隨著鐵路和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用增加,在2013年,這兩款器件...
姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細(xì)井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點(diǎn)是將透過(guò)柵極絕緣膜...
Microsemi新型SiC肖特基二極管提升功率轉(zhuǎn)換效率
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):M...
英飛凌推出第五代thinQ!TM SiC肖特基勢(shì)壘二極管
2012年10月10日,德國(guó)紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管,壯大其SiC(碳化硅)產(chǎn)品陣容。
2012-10-10 標(biāo)簽:英飛凌SIC肖特基勢(shì)壘二極管 1365 0
SiC材料的能帶和高溫穩(wěn)定性使得它在高溫半導(dǎo)體元件方面有無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。採(cǎi)用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度...
三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始,依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊,以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半...
2012-07-25 標(biāo)簽:三菱電機(jī)SiC功率半導(dǎo)體 858 0
英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國(guó)英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“Coo...
羅姆開始量產(chǎn)工業(yè)設(shè)備用全SiC模塊
日本的SiC相關(guān)業(yè)務(wù)目前正在迅速增長(zhǎng)。SiC與現(xiàn)有的硅(Si)相比可大幅削減電力損耗,因此作為新一代功率半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。但此前,SiC功率元件在...
與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開...
科銳254 lm/W光效再度刷新功率型LED研發(fā)記錄
者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,其白光功率型LED光效再度刷新行業(yè)最高紀(jì)錄,達(dá)到254 lm/W。該項(xiàng)紀(jì)錄打破了科銳在去年初取得的2...
羅姆半導(dǎo)體“全SiC”功率模塊開始量產(chǎn),開關(guān)損耗降低85%
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采...
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