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儲(chǔ)單元分為兩類：SLC（Single Level Cell 單層單元）和MLC（Multi-Level Cell多層單元）。此外，SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是復(fù)寫次數(shù)高達(dá)100000次，比MLC閃存高10倍。

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slc技術(shù)

pSLC帶來的“新”存儲(chǔ)容量偽SLC如何兼顧耐用性和經(jīng)濟(jì)性

（作者：Swissbit AG 存儲(chǔ)解決方案總經(jīng)理 Roger Griesemer）如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見存儲(chǔ)密度又達(dá)到新高的各種新...

2021-11-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 存儲(chǔ) 2.0萬 0

pSLC閃存介紹：高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時(shí)代，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長，NAND?閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬 SLC（pSLC）閃存技術(shù)的引入，為數(shù)...

2023-08-02 標(biāo)簽：閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)slc 5712 0

SLC車窗防夾系統(tǒng)簡介

本文主要對(duì)SLC車窗防夾系統(tǒng)進(jìn)行了一個(gè)簡單的介紹。

2019-08-10 標(biāo)簽：電動(dòng)車窗防 slc 5640 0

Nand Flash基礎(chǔ)知識(shí)與壞塊管理機(jī)制的介紹

Flash名稱的由來，F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的，與此相對(duì)應(yīng)的是其他很多存儲(chǔ)設(shè)備，是以bit位為最小讀取/寫入的單位

2023-07-03 標(biāo)簽：MOSFET Linux系統(tǒng)MLC 4636 0

RSLogix 500移植到Studio 5000的方法(1)

前言：SLC控制器系列1989年首次推出，隨后成為有史以來最成功的PLC平臺(tái)之一。然而在當(dāng)今的經(jīng)濟(jì)環(huán)境下，為了提升生產(chǎn)力降低維護(hù)舊式設(shè)備的風(fēng)險(xiǎn)，也不得不...

2023-10-20 標(biāo)簽：控制器 plc 移植 4602 0

SSD固態(tài)硬盤為什么要使用SLC緩存

現(xiàn)在固態(tài)硬盤都有“SLC緩存”，作為當(dāng)前固態(tài)硬盤的標(biāo)配功能，大家多少都會(huì)對(duì)它有所了解，但要徹底從原理上講透它的原理，卻也頗費(fèi)一番功夫。

2020-01-31 標(biāo)簽：SSD 固態(tài)硬盤 SLC 4507 0

應(yīng)變液晶調(diào)光玻璃的簡介及應(yīng)用

應(yīng)變液晶是通過對(duì)PDLC制品施加拉伸、剪切或按壓等應(yīng)力引起光學(xué)性質(zhì)的改變所得到的新型電光器件的一個(gè)研究領(lǐng)域，在快速響應(yīng)大相位延遲片、光柵常數(shù)隨壓力變化的...

2012-07-23 標(biāo)簽：液晶 PDLC SLC 3987 0

TBW的概念及寫入放大系數(shù) 如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響

TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。

2023-07-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 SSD 閃存控制器 3843 0

NOR FLASH和NAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)介紹

非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者

2023-06-29 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 EPROM Nand flash 3736 1

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元（MLC），閃存可以為...

2023-05-25 標(biāo)簽：NAND MLC slc 2575 0

slc帖子

請(qǐng)問SLC、MLC和TLC的差別是什么？

標(biāo)簽：MLC slc 4774 0

SLC、MLC、Parallel NOR Flash等究竟是什么意思？

標(biāo)簽：FlaSh MLC slc 3246 1

是買SLC還是MLC閃存芯片的呢？

標(biāo)簽：slc 2564 0

SLC、MLC和TLC之間有什么不同？

標(biāo)簽：NAND MLC slc 2285 1

什么是SLC NAND？它有什么特點(diǎn)嗎？

標(biāo)簽：NAND FlaSh slc 1437 1

將項(xiàng)目從esp-idf4.4.2遷移到esp-idf5.0時(shí)，iic-master設(shè)置頻率400K實(shí)際輸出頻率5K，為什么？

標(biāo)簽：頻率 ESP slc 250 2

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SLC、MLC和TLC的含義及其三者區(qū)別分析立即下載

類別：單片機(jī) 2017-09-29 標(biāo)簽：tlc mlc slc 4123 0

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固態(tài)硬盤掉速的原因和分析

現(xiàn)在的閃存已經(jīng)發(fā)展到96層3D TLC工藝，固態(tài)硬盤的成本也日益下降，現(xiàn)在的新電腦都會(huì)配置一塊固態(tài)硬盤提升電腦的運(yùn)行效率。但無論固態(tài)硬盤的成本降到多低，...

2020-06-27 標(biāo)簽：閃存固態(tài)硬盤 slc 2.3萬 0

SLC緩存的原理及作用

對(duì)SSD硬盤來說，隨著TLC、QLC閃存占據(jù)主流，性能、可靠性問題日益突出，用久了還有掉速問題，這些麻煩都要解決，不然SSD硬盤體驗(yàn)并不好。具體如何解...

2021-01-11 標(biāo)簽：閃存緩存原理 9234 0

西數(shù)重磅推出SN350系列硬盤

SSD硬盤的壽命問題讓人很無奈，雖然3年質(zhì)保時(shí)間內(nèi)寫死的SSD極為罕見，但是廠商推出的低價(jià)SSD也在不斷拉低SSD壽命期限，西數(shù)日前推出的SN350系列...

2021-02-18 標(biāo)簽：硬盤軟件 SSD 7898 0

如何識(shí)別slc和mlc芯片及slc mlc區(qū)別

如何識(shí)別slc和mlc芯片及slc mlc區(qū)別 slc mlc區(qū)別： MLC（Multi-Le...

2008-07-17 標(biāo)簽：mlc slc 7187 0

東芝存儲(chǔ)：存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存比采用SLC技術(shù)的TLC快10倍

東芝存儲(chǔ)公司6日宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（SCM）XL-FLASH，并開始提供樣品。該產(chǎn)品使用1位/單元SLC技術(shù)，使用96層堆疊工藝實(shí)現(xiàn)3D閃存BiCS...

2019-08-07 標(biāo)簽：TLC SLC 東芝存儲(chǔ) 5503 0

SLC緩存的工作原理及作用

對(duì)SSD硬盤來說，隨著TLC、QLC閃存占據(jù)主流，性能、可靠性問題日益突出，用久了還有掉速問題，這些麻煩都要解決，不然SSD硬盤體驗(yàn)并不好。

2021-01-11 標(biāo)簽：SSD 緩存 SLC 5480 0

addlink發(fā)布最快的SSD產(chǎn)品S95系列，DDR4+SLC緩存加持

日前，addlink（杰新，傑新）發(fā)布了旗下最快的SSD產(chǎn)品S95系列。 S95采用M.2 2280形態(tài)，走PCIe 4.0 x4通道，支持NVMe 1...

2020-12-11 標(biāo)簽：SSD DDR4 固態(tài)硬盤 3963 0

如何識(shí)別SLC還是MLC閃存

Nand Flash設(shè)計(jì)中，有個(gè)命令叫做Read ID，讀取ID，意思是讀取芯片的ID

2020-07-16 標(biāo)簽：閃存 MLC slc 3727 0

總結(jié)關(guān)于NAND Flash調(diào)試

很久沒接觸過 nandflash 驅(qū)動(dòng)了，最近工作又摸了一下，那就順便整理點(diǎn)筆記總結(jié)一下吧。nandflash 在我看來算是比較落后的存儲(chǔ)設(shè)備了，所以文...

2021-06-10 標(biāo)簽：芯片 NAND 電壓 3633 0

簡述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？

2021-04-01 標(biāo)簽：閃存 NAND emc 3510 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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3D NAND Flash

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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