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SoC的定義多種多樣，由于其內(nèi)涵豐富、應(yīng)用范圍廣，很難給出準(zhǔn)確定義。一般說來， SoC稱為系統(tǒng)級(jí)芯片，也有稱片上系統(tǒng),意指它是一個(gè)產(chǎn)品，是一個(gè)有專用目標(biāo)的集成電路，其中包含完整系統(tǒng)并有嵌入軟件的全部?jī)?nèi)容。同時(shí)它又是一種技術(shù)，用以實(shí)現(xiàn)從確定系統(tǒng)功能開始，到軟/硬件劃分，并完成設(shè)計(jì)的整個(gè)過程。

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soc技術(shù)

電子集成全面解析：7種（5+2）集成技術(shù)

電子集成技術(shù)分為三個(gè)層次，芯片上的集成，封裝內(nèi)的集成，PCB板級(jí)集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱為SoP或者SoB）。

2023-02-20 標(biāo)簽：pcb SiP soc 1839 0

納芯微車用小電機(jī)驅(qū)動(dòng)SoC——NSUC1610

作為單芯片解決方案，NSUC1610支持12V汽車電池供電，適合于直接控制小型有刷直流電機(jī)（BDC）、無刷直流電機(jī)（BLDC）和步進(jìn)電機(jī)的應(yīng)用

2023-02-17 標(biāo)簽：MOS管 soc LIN總線 2874 0

三電極解耦高容量電極的精確電化學(xué)行為

隨著對(duì)鋰離子電池能量密度的需求提高，新型電極材料以及技術(shù)已被提出用于高容量應(yīng)用，產(chǎn)生了評(píng)估電極時(shí)電流密度增加的趨勢(shì)。

2023-02-17 標(biāo)簽：鋰離子電池 soc DRT 1934 0

南芯科技集成降壓控制器的雙端口快充(1C1A)SoC-SC9712特性應(yīng)用電路方案概述

南芯科技推出全新集成36V 高效同步降壓控制器的雙端口快充(1C1A)SoC - SC9712，相較于傳統(tǒng)雙口充方案，選用SC9712 可節(jié)省3 顆芯片...

2023-02-15 標(biāo)簽：soc 降壓控制器 Type C 2249 0

易靈思SOC的片上RAM啟動(dòng)方案

首先片上RAM啟動(dòng)要在IP上關(guān)閉外部存儲(chǔ)，如下圖，Include the external memory AXI interface。

2023-02-14 標(biāo)簽：RAM soc Flash存儲(chǔ) 1867 0

低功耗貫穿芯片設(shè)計(jì)全流程

低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求，但近年來，在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動(dòng)下，對(duì)低功耗的需求已經(jīng)擴(kuò)散到更多的終端產(chǎn)品中。

2023-02-14 標(biāo)簽：soc 散熱器 RTL 1580 0

基于FPGA典型SOC開發(fā)設(shè)計(jì)方案

FPGA是可編程芯片，因此FPGA的設(shè)計(jì)方法包括硬件設(shè)計(jì)和軟件設(shè)計(jì)兩部分。硬件包括FPGA芯片電路、存儲(chǔ)器、輸入輸出接口電路以及其他設(shè)備，軟件即是相應(yīng)的...

2023-02-10 標(biāo)簽：fpga 集成電路嵌入式 2046 0

良好的ESD保護(hù)是什么樣的

從系統(tǒng)的角度來看，我們可以通過仔細(xì)管理整體系統(tǒng)設(shè)計(jì)來幫助最大限度地減少任何潛在的ESD影響。例如，我們可以首先確保將敏感和重要的電路放置在遠(yuǎn)離電路板周...

2023-02-10 標(biāo)簽：ESD usb soc 1294 0

標(biāo)準(zhǔn)邏輯和微型邏輯如何實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新

SoC是功能極其強(qiáng)大的半導(dǎo)體器件，一代又一代地集成了越來越多的邏輯功能。但是，SoC 無法提供離散邏輯提供的功能靈活性。一旦 SoC 設(shè)計(jì)最終確定，如果...

2023-02-10 標(biāo)簽：芯片物聯(lián)網(wǎng)soc 649 0

NASA招募Microchip，SiFive基于RISC-V開發(fā)用于自主太空任務(wù)的12核處理器SoC

美國(guó)宇航局的噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室（JPL）選擇Microchip設(shè)計(jì)和制造基于SiFive的八個(gè)RISC-V X280內(nèi)核的多核高性能航天計(jì)算機(jī)（HPSC）微...

2023-02-08 標(biāo)簽：處理器 soc RISC-V 7145 0

活性屏等離子體制備高性能SiOx/C負(fù)極

目前，以鋰離子電池(LIBs)為代表的儲(chǔ)能裝置已被作為存儲(chǔ)可再生能源的主要解決方案。然而，由于石墨和鈦酸鋰等負(fù)極材料容量有限，仍無法滿足電子器件對(duì)高能量...

2023-02-08 標(biāo)簽：鋰離子電池 soc NCM811 1228 0

SEED提供符合開放技術(shù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)

汽車網(wǎng)絡(luò)的傳輸要求和數(shù)據(jù)載荷持續(xù)大幅增加，這一趨勢(shì)還將延續(xù)下去。為應(yīng)對(duì)未來的需求，我們需要高速、高帶寬的汽車以太網(wǎng)，這同時(shí)也意味著，我們必須采取適當(dāng)?shù)腅...

2023-02-08 標(biāo)簽：ESD 以太網(wǎng)soc 1046 0

處芯積律自研SOC項(xiàng)目

大家都知道我們寫文章很厲害，其實(shí)我們做項(xiàng)目也很厲害！下面是我們的項(xiàng)目介紹。處芯積律 SOC項(xiàng)目集成了ISP、DMA、PINMUX、I2C、QSPI、UA...

2023-02-07 標(biāo)簽：模塊 soc ISP 4066 0

汽車SoC嵌入式存儲(chǔ)器的優(yōu)化診斷策略

本文介紹了一種在SoC嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試期間壓縮診斷信息方法。更具體地說，該方法被應(yīng)用于診斷嵌入式FLASH存儲(chǔ)器。這一策略允許在沒有任何損失的情況下...

2023-02-07 標(biāo)簽：嵌入式 FlaSh 存儲(chǔ)器 1135 0

泰凌微電子Zephyr硬件平臺(tái)及編譯步驟

當(dāng)Telink Zephyr環(huán)境配置成功并且驗(yàn)證完成之后，便需要明確適用的硬件平臺(tái)，選擇想要嘗試的Zephyr例程去進(jìn)行編譯。接下來，將先簡(jiǎn)要介紹適用于...

2023-02-06 標(biāo)簽：soc 編譯硬件平臺(tái) 2954 0

為什么不考慮使用IN100推出新的動(dòng)能BLE開關(guān)呢？

IN100使得無電池?zé)o線傳感器成為可能是能量采集的最佳應(yīng)用之一。

2023-02-06 標(biāo)簽：soc 無線傳感器 BLE技術(shù) 925 0

介紹一款無刷直流電機(jī)專用SoC Flash MCU BD66FM8345B

Holtek推出新一代無刷直流電機(jī)專用SoC Flash MCU BD66FM8345B，整合MCU、LDO、高壓FG電路及3-phase Driver...

2023-02-06 標(biāo)簽：mcu FlaSh soc 1300 0

NanoBeacon Config Tool是如何降本增效的

目前藍(lán)牙低能耗SoC的最大挑戰(zhàn)之一，即使是最小的項(xiàng)目，也是需要固件開發(fā)的成本問題。成本不僅受制于花錢，還包括開發(fā)和調(diào)試過程中的時(shí)間成本。

2023-02-06 標(biāo)簽：RFID soc 無線傳感器 654 0

Digi XBee3 Zigbee模塊的硬件設(shè)計(jì)Troubleshooting問題分析

在Digi XBee3 Zigbee模塊的硬件設(shè)計(jì)指南里，有個(gè)Troubleshooting問題，值得注意。

2023-02-06 標(biāo)簽：soc 射頻模塊 ZigBee模塊 1212 0

O2型富鋰正極中陽離子超晶格有序性對(duì)陰離子氧化還原的影響

富鋰層狀過渡金屬氧化物(LRLOs)因其出色的氧氧化還原能力可以獲得更高的能量密度，是鋰離子電池的下一代正極材料備選之一。

2023-02-03 標(biāo)簽：鋰離子電池 soc 充放電 2133 0

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工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的本質(zhì)是通過開放的、全球化的工業(yè)級(jí)網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)把設(shè)備、生產(chǎn)線、工廠、供應(yīng)商、產(chǎn)品和客戶緊密地連接和融合起來，高效共享工業(yè)經(jīng)濟(jì)中的各種要素資源，從而通過自動(dòng)化、智能化的生產(chǎn)方式降低成本、增加效率，幫助制造業(yè)延長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)制造業(yè)轉(zhuǎn)型發(fā)展。
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全志科技（AllwinnerTechnology）成立于2007年，是卓越的智能應(yīng)用處理器SoC、高性能模擬器件和無線互聯(lián)芯片設(shè)計(jì)廠商。總部位于中國(guó)珠海，在深圳、香港、西安、北京、上海等地設(shè)有研發(fā)中心或分支機(jī)構(gòu)，2015年于深交所創(chuàng)業(yè)板上市，股票代碼300458。
異構(gòu)計(jì)算

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　LPDDR5就是第五代LPDDR內(nèi)存。LPDDR內(nèi)存全稱是Low Power Double Data Rate SDRAM，中文意為低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存，又稱為mDDR（Mobile DDR SDRM）.
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智原科技（Faraday Technology Corporation， TWSE： 3035）為專用集成電路（ASIC）設(shè)計(jì)服務(wù)暨知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）研發(fā)銷售領(lǐng)導(dǎo)廠商，通過ISO 9001與ISO 26262認(rèn)證，總公司位于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)，并于中國(guó)大陸、美國(guó)與日本設(shè)有研發(fā)、營(yíng)銷據(jù)點(diǎn)。

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