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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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BJ-EPM240學(xué)習(xí)板:SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)
SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式,以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元,SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新,而且工作速度較快,但由于存儲(chǔ)單元器件較多,集成度不太高,功耗也較大。
FPGA的配置方式有以下幾種,JTAG,AS,PS,AP,F(xiàn)PP等幾種。
FPGA視頻教程:BJ-EPM240學(xué)習(xí)板-SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 Cache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他...
深入淺出玩轉(zhuǎn)FPGA視頻:SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)
SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大...
你知道在5nm節(jié)點(diǎn)上, STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果?
研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文,該研究表明,在5nm節(jié)點(diǎn)上,STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢(shì)比非易失性和較小的空間占用...
FPGA是什么FPGA芯片的特點(diǎn)工作原理和編程技術(shù)等等資料詳解
隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及新興產(chǎn)業(yè)的需要,F(xiàn)PGA的作用逐漸突顯。相比于CPU、GPU,F(xiàn)PGA并不為大眾所熟知。那什么是FPGA?它有什么特點(diǎn)?又是如何...
1.與非總線復(fù)用的16位SRAM接口 FSMC配置 SRAM存儲(chǔ)器和NOR閃存存儲(chǔ)器共用相同的FSMC存儲(chǔ)塊,所用的協(xié)議依不同的存儲(chǔ)器類型而...
2019-01-14 標(biāo)簽:sramstm32單片機(jī)fsmc模塊 3306 0
基于SRAM的FPGA的問(wèn)世標(biāo)志著現(xiàn)代可重構(gòu)技術(shù)的開端
由于數(shù)字邏輯系統(tǒng)功能復(fù)雜化的需求,單片系統(tǒng)的芯片正朝著超大規(guī)模、高密度的方向發(fā)展。對(duì)于一個(gè)大規(guī)模的數(shù)字系統(tǒng)而言,系統(tǒng)規(guī)模是基于各種邏輯功能模塊的組合。但...
對(duì)SRAM工藝的FPGA進(jìn)行加密的方法淺析
由于大規(guī)模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝,要求每次上電,對(duì)FPGA器件進(jìn)行重配置,這就使得可以通過(guò)監(jiān)視配置的位數(shù)據(jù)流,進(jìn)行克隆設(shè)計(jì)。因此,在關(guān)鍵...
中央處理器CPU,包括運(yùn)算器、控制器和寄存器組。是MCU內(nèi)部的核心部件,由運(yùn)算部件和控制部件兩大部分組成。前者能完成數(shù)據(jù)的算術(shù)邏輯運(yùn)算、位變量處理和數(shù)據(jù)...
如果系統(tǒng)不穩(wěn)定的話,有時(shí)是因?yàn)殡娫礊V波不好導(dǎo)致的。在單片機(jī)的電源引腳跟地引腳之間接上一個(gè)0.1uF的電容會(huì)有所改善。如果電源沒(méi)有濾波電容的話,則需要再接...
采用FPGA安全存儲(chǔ)器的加密認(rèn)證系統(tǒng)設(shè)計(jì)
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,高速 FPGA運(yùn)行時(shí)需將其配置數(shù)據(jù)加載到內(nèi)部SRAM 中,改變SDRAM 里面的數(shù)據(jù),從而使FPGA實(shí)現(xiàn)不同的功能,即所謂的可重...
通過(guò)利用 BQ25570 PMIC啟動(dòng)能量采集
物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)必須在不更換一次電池的情況下運(yùn)行數(shù)年才能最大程度地減少維護(hù)工作。對(duì)于某些類型的系統(tǒng),節(jié)點(diǎn)只需要很少的電池電量,而依賴于能量采集器來(lái)滿足長(zhǎng)期電力...
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則...
關(guān)于基于三值文字運(yùn)算的碳納米場(chǎng)效應(yīng)晶體管SRAM的設(shè)計(jì)
隨著CMOS技術(shù)進(jìn)入納米級(jí)工藝,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transi...
2018-06-14 標(biāo)簽:sram場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3380 0
關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)涉及的專業(yè)名詞介紹及各存儲(chǔ)器的區(qū)別
RAM:由字面意思就可以理解,SDRAM SRAM DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM,random access memory(隨機(jī)存取...
對(duì)RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM的簡(jiǎn)單介紹
RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入,且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器...
多功能存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)方法
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展, 存儲(chǔ)器的種類日益繁多,每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序,為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率,一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。...
通過(guò)CPLD進(jìn)行接口連接和編程控制的大容量、高速度FIFO設(shè)計(jì)
許多系統(tǒng)都需要大容量FIFO作為緩存,但是由于成本和容量限制,常采用多個(gè)FIFO芯片級(jí)聯(lián)擴(kuò)展,這往往導(dǎo)致系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,成本高。本文分別針對(duì)Hynix公司...
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