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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

深入解析Cache在AI處理器設(shè)計(jì)中的作用機(jī)制

最快的存儲器類型是SRAM，但每個(gè)SRAM單元需要六個(gè)晶體管，因此SRAM在SoC內(nèi)部很少使用，因?yàn)樗鼤拇罅康目臻g和功率。

2024-03-25 標(biāo)簽：集成電路存儲器 sram 639 0

fpga是什么架構(gòu)

FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）的架構(gòu)主要由可配置邏輯模塊（CLB）、輸入/輸出模塊（IOB）以及可編程互連資源組成。

2024-03-14 標(biāo)簽：FPGA 存儲器 sram 1146 0

GPU CUDA 編程的基本原理是什么

神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)能加速的有很多，當(dāng)然使用硬件加速是最可觀的了，而目前除了專用的NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速單元），就屬于GPU對神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速效果最好了

2024-03-05 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)gpu sram 1092 0

人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)計(jì)算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)

更多帶寬 – 隨著需要移動大量數(shù)據(jù)，我們目睹了所有 DRAM 類型繼續(xù)競相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。

2024-03-04 標(biāo)簽：DRAM sram 人工智能 390 0

英特爾Clearwater Forest系列突破高核心數(shù)服務(wù)器CPU

在封裝方面，英特爾表示，對于Clearwater Forest，將使用其他工藝節(jié)點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)SRAM和I/O，因?yàn)檫@些節(jié)點(diǎn)在較新的工藝上無法很好地?cái)U(kuò)展。

2024-03-01 標(biāo)簽：英特爾 cpu sram 707 0

電遷移導(dǎo)致半導(dǎo)體失效的機(jī)理探討

SRAM工藝的處理器是通過CMOS內(nèi)部管道切換的方式工作，其產(chǎn)品處理速度較高，被眾多用戶接受。但是，CMOS工藝有一個(gè)致命缺陷，由于工藝原因，伴隨CMO...

2024-02-29 標(biāo)簽：處理器 FPGA CMOS 978 0

GD32F4的TCMSRAM（緊耦合SRAM）該如何使用？

如下圖所示，GD32F4系列內(nèi)部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從...

2024-02-24 標(biāo)簽：單片機(jī)sram GD32 2249 0

TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢展望

先進(jìn)封裝是芯片設(shè)計(jì)的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個(gè)主要的IC廠商包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測廠商，開發(fā)了一大批專利技術(shù)，使用TSV達(dá)成各種復(fù)...

2024-02-25 標(biāo)簽：sram 芯片設(shè)計(jì)TSV 1477 0

未來十年：邏輯電路的發(fā)展趨勢與前景展望

實(shí)際測量的 SRAM 內(nèi)存面積比筆者通常聽到人們談?wù)摰钠舷到y(tǒng) (SOC) 產(chǎn)品的百分比要小得多。

2024-02-20 標(biāo)簽：amd 邏輯電路 sram 1294 0

MRAM特性優(yōu)勢和存儲原理

MRAM是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...

2024-02-19 標(biāo)簽：存儲器 sram 晶體管 1760 0

SRAM CLA和SRAM有什么區(qū)別

每個(gè)SRAM單元的核心由兩個(gè)CMOS反相器構(gòu)成，這兩個(gè)反相器相互連接，每個(gè)反相器的輸出電位被用作另一個(gè)反相器的輸入。這種結(jié)構(gòu)使得每個(gè)SRAM單元都可以保...

2024-02-19 標(biāo)簽：CMOS 存儲器 sram 1285 0

動態(tài)存儲器和靜態(tài)存儲器的區(qū)別

SRAM 中的每個(gè)存儲單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲一個(gè)位的數(shù)據(jù)，并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài)，不需要刷新操作。

2024-02-05 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 sram 5971 0

為什么GD32F303代碼運(yùn)行在flash比sram更快？

我們知道一般MCU的flash有等待周期，隨主頻提升需要插入flash讀取的等待周期，以stm32f103為例，主頻在72M時(shí)需要插入2個(gè)等待周期，故而...

2024-01-31 標(biāo)簽：單片機(jī)嵌入式 sram 1302 0

【BBuf的CUDA筆記】OpenAI Triton入門筆記一

這里來看官方的介紹：https://openai.com/research/triton ，從官方的介紹中我們可以看到OpenAI Triton的產(chǎn)生動...

2024-01-23 標(biāo)簽：sram 多處理器 Cache 3001 0

先楫HPM片上Cache使用指南經(jīng)驗(yàn)分享

高速緩存（Cache）主要是為了解決CPU運(yùn)算速度與內(nèi)存（Memory）讀寫速度不匹配的矛盾而存在，是CPU與存儲設(shè)備之間的臨時(shí)存貯器，容量小，但是交...

2024-01-22 標(biāo)簽：sram 高速緩存 Cache 1652 0

為什么半導(dǎo)體行業(yè)試圖取代 FinFET？

納米片晶體管并不能拯救摩爾定律，也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題，代工廠正在尋求各種創(chuàng)新，例如背面供電（BSPD），以...

2024-01-22 標(biāo)簽：sram eda 晶體管 979 0

STM32單片機(jī)程序是如何編譯，運(yùn)行的？

block 0 里面有一段叫做FLASH，也就是內(nèi)部FLASH，我們的程序就是下載到這個(gè)地方，起始地址是0X800 0000，大家注意，這個(gè)只有1M空間...

2024-01-12 標(biāo)簽：單片機(jī)FlaSh sram 3062 0

關(guān)于SRAM存儲容量及基本特點(diǎn)

通常我們將存儲容量表示為：字?jǐn)?shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個(gè)字，一共有64個(gè)字。這個(gè)概念要相當(dāng)熟悉，后面理解題目很有用。

2024-01-09 標(biāo)簽：放大器 DRAM 存儲器 2583 0

深入探索MRAM的原理與技術(shù)

2024-01-09 標(biāo)簽：存儲器 sram MRAM 1709 0

賽普拉斯的NV-SRAM接口解決方案

賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元（訪問時(shí)間高達(dá)20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供...

2024-01-09 標(biāo)簽：電容器控制器 sram 757 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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