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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。
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單片機的接口有哪些 單片機接口方式 單片機輸出輸入端口是怎么設置的
存儲器接口:例如閃存、SRAM、EEPROM等,可以用于存儲程序代碼、變量數(shù)據(jù)等信息。 電源管理接口:例如模擬電壓調節(jié)器(AVR)、直流/直流轉換器(...
2023-03-29 標簽:單片機控制系統(tǒng)存儲器 1.7萬 0
Memory Compiler由供應商提供,往往是不通用的,界面也不盡相同。同一個廠商的不同工藝下,Memory Compiler不同。相同工藝,不同廠...
FPGA是一種數(shù)字集成電路芯片,名稱為“現(xiàn)場可編程邏輯門陣列”FPGA的一項重要特點是其可編程特性,即用戶可通過程序指定FPGA實現(xiàn)某一特定數(shù)字電路,F(xiàn)...
ECC(Error Correcting Code)的目的是保證RAM和Flash等存儲器中數(shù)據(jù)和程序代碼的完整性和可靠性,在汽車MCU中被廣泛應用,引...
用C語言實現(xiàn)一個全連接層和激活函數(shù)ReLU
全連接層是將輸入向量X乘以權重矩陣W,然后加上偏置B的過程。下面轉載第二篇的圖,能按照這個圖計算就可以了。
超高速微控制器 (UHSM) 是 5V、1 時鐘 8051,集成了閃存和 SRAM。這些UHSM可以進入現(xiàn)有的8051應用,并且只需很少或沒有努力,就可...
“憑借先進的封裝技術,一些公司已經在 CPU 上堆疊 SRAM,”Lee 說。“但是在 3 級之后,我們可以有 4 級,一個額外的緩存層嗎?根據(jù)工作負載...
M3、M4等內核的單片機,直接修改中斷向量的偏移地址(VECT_TAB_OFFSET)就行。但在M0內核的庫中,根本就沒有這個定義。
磁性隧道結(MTJ)通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽(MgO 或Al2O3)層組成的,它可以實現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...
如何在電源故障期間保存數(shù)據(jù)而不會損壞數(shù)據(jù)
對于許多需要非易失性存儲器的存儲器系統(tǒng),達拉斯半導體NV SRAM提供了SRAM的易于實施性,以及寫保護電路和10年的信息存儲能力。NV SRAM在檢測...
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