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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢,為應(yīng)用而選擇正確的存儲器
正確的同步靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)的選擇對于帶寬要求更高,系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢,以...
DRAM、SRAM和Flash都屬于存儲器,DRAM通常被稱為內(nèi)存,也有些朋友會把手機中的Flash閃存誤會成內(nèi)存。SRAM的存在感相對較弱,但他卻是C...
對于靜態(tài)隨機存儲器SRAM,它將面臨的兩大問題挑戰(zhàn)
SRAM是可在任何CMOS工藝中免費獲得的存儲器。自CMOS誕生以來,SRAM一直是任何新CMOS工藝的開發(fā)和生產(chǎn)制造的技術(shù)驅(qū)動力。利用最新的所謂的深度...
低功耗SRAM芯片IS62WV102416DALL的特點和功能
ISSI IS62WV102416DALL,IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS16Mbit靜態(tài)RAM,組織為1M字乘16位。它是使用IS...
當(dāng)然,并非所有的可編程邏輯技術(shù)都能很好地滿足低功耗要求。事實上,當(dāng)今市場某些所謂的“低功耗”器件的電流消耗高達(dá)30mA,這往往比對功率敏感的典型電池供電...
FPGA器件有三類配置下載方式:主動配置方式(AS)和被動配置方式(PS)和最常用的(JTAG)配置方式。AS由FPGA器件引導(dǎo)配置操作過程,它控制著外...
一款I(lǐng)SSI具有ECC的1Mx8高速異步SRAM的一些特征知識
美國ISSI存儲器公司的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。該公司還設(shè)計和銷售NOR閃存存儲器產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。...
SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機存儲器。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則就會出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會消失,因此SRA...
ARM的Cortex-M0核心并內(nèi)嵌閃存和SRAM
ARM的Cortex-M0核心并內(nèi)嵌閃存和SRAM ARM的Cortex-M0處理器是最新一代的嵌入式ARM處理器,它為實現(xiàn)MCU的需要提供了低成本的平...
IS62WV102416EBLL是低功耗16M位靜態(tài)SRAM,以1024Kx16位組織。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)...
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的...
近年來,對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車,通信和數(shù)字消費,工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量,以幫助處理大量數(shù)據(jù)。ISSI為...
ISSI生產(chǎn)的32Mb高速低功耗異步SRAM,這種創(chuàng)新的設(shè)計加強了ISSI對具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長期承諾。32MbSRAM在汽車A3溫度范圍(...
當(dāng)今世界環(huán)境保護(hù)已蔚然成風(fēng),力求節(jié)約能源,因此強烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化,SRAM要求低電壓供電。因而近...
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