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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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美國(guó)ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場(chǎng)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品。IS62WV102416DB...

2020-05-28 標(biāo)簽：DRAM sram ISSI 1369 0

SRAM市場(chǎng)與技術(shù)

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...

2020-05-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MOS 1843 0

MRAM緩存可行性比SRAM更高

隨著制程邁向5nm甚至3nm，半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗，STT-MRAM存儲(chǔ)器已成為替...

2020-05-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 1568 0

半導(dǎo)體SRAM存儲(chǔ)器綜述

最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn)，已成為了生產(chǎn)最多的用于計(jì)算機(jī)主體的易...

2020-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 sram 2772 0

帶有ECC的256Kx16高速異步SRAM

ISSI IS61WV25616EDALL是高速，低功耗4M位SRAM，組織為256K字乘16位。它使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造，并實(shí)現(xiàn)了ECC...

2020-05-19 標(biāo)簽：sram ISSI 2483 0

SRAM的發(fā)展概況及趨勢(shì)

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM 逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不...

2020-05-14 標(biāo)簽：IC 存儲(chǔ)器 sram 4816 0

sram是靠什么存儲(chǔ)信息

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)信息,而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM則是靠電容存儲(chǔ)，半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的存儲(chǔ)原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就...

2020-05-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 8066 0

存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元陣...

2020-05-14 標(biāo)簽：存儲(chǔ)單元 sram SRAM存儲(chǔ)單元 4042 0

SRAM存儲(chǔ)器寫操作分析

目前針對(duì)不同的應(yīng)用市場(chǎng)，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢(shì)：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展，由于讀寫速度快，SRAM存儲(chǔ)器被用作計(jì)算機(jī)中...

2020-04-30 標(biāo)簽：sram SRAM存儲(chǔ)器 SRAM讀寫控制 2008 0

SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)

隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其...

2020-04-30 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram SRAM芯片 3633 0

SRAM存儲(chǔ)器主板基本設(shè)計(jì)

SRAM存儲(chǔ)芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器芯片，它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于需要緩...

2020-04-28 標(biāo)簽：sram ISSI SRAM存儲(chǔ)器 1579 0

意法半導(dǎo)體MCU推出智能嵌入式應(yīng)用的STM32L4

意法半導(dǎo)體新推出的STM32L4+微控制器極具性價(jià)比，集成最低的存儲(chǔ)容量512KB的閃存和320KB的SRAM，提供緊湊的10mmx10mm64引腳和7...

2020-04-14 標(biāo)簽：單片機(jī)sram STM32 1784 0

鐵電量子隧道結(jié)亞納秒超快憶阻器研究新突破

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團(tuán)隊(duì)一直致力于鐵性隧道結(jié)信息存儲(chǔ)原型器件研究，在磁電耦合、超快、多阻態(tài)、低功耗、非易失信息存儲(chǔ)等方面取得了重要進(jìn)展。

2020-04-11 標(biāo)簽：sram 物聯(lián)網(wǎng)人工智能 2809 0

MRAM的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì)

MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與S...

2020-04-09 標(biāo)簽：sram RAM MRAM 6841 0

兆易創(chuàng)新MCU GD32F3系列詳情

業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商兆易創(chuàng)新MCU GD32F3系列提供了3大系列37個(gè)產(chǎn)品型號(hào)，包括LQFP144、LQFP100、LQFP64和 LQFP48等4...

2020-04-03 標(biāo)簽：sram 7985 0

基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計(jì)

在分析傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理的基礎(chǔ)上,采用VTC蝴蝶曲線,字線電壓驅(qū)動(dòng),位線電壓驅(qū)動(dòng)和N曲線方法衡量了其靜態(tài)噪聲容限。在這種背景下,分析研究了前...

2020-04-03 標(biāo)簽：sram sram存儲(chǔ) 2518 0

物聯(lián)網(wǎng)ram繼承PSRAM的積極特性

IoT RAM即是物聯(lián)網(wǎng)RAM,是基于PSRAM技術(shù)的技術(shù)，它增加了其他接口選項(xiàng)，例如大多數(shù)MCU/FPGA使用的低引腳數(shù)Flash SPI接口，以及S...

2020-04-04 標(biāo)簽：sram RAM AP 3608 0

基于PSRAM技術(shù)的IoT ram存儲(chǔ)器解決方案

迅速發(fā)展的IoT繼續(xù)為消費(fèi)者和行業(yè)帶來(lái)革命性的變化，并增強(qiáng)了他們的日常使用體驗(yàn)，尤其是在邊緣增加處理能力的需求下。健身追蹤器和智能揚(yáng)聲器，農(nóng)業(yè)及工廠機(jī)器...

2020-04-08 標(biāo)簽：sram RAM PSRAM 1149 0

帶ECC的CMOS汽車異步SRAM

ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM，4,194,304位靜態(tài)RAM，組...

2020-04-03 標(biāo)簽：sram ISSI 1505 0

SRAM芯片is62wv51216簡(jiǎn)介

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技...

2020-03-25 標(biāo)簽：芯片卡存儲(chǔ)器 sram 1.7萬(wàn) 0

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云儲(chǔ)存

云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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3D NAND Flash

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
USB 3.0接口

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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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