四種存儲(chǔ)器的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用

RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器...

2017-11-15 標(biāo)簽：dramromsram 1.2萬 0

雙口sram芯片，雙口SRAM特點(diǎn)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：Random Access Memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，臺(tái)灣、港澳稱作隨機(jī)存取記憶體，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部...

2017-11-03 標(biāo)簽：sramsram芯片 7200 0

SDRAM與SRAM的區(qū)別

SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來記憶信息的；SDRAM是靠MOS電路中的柵極電容來記憶信息的。由于電容上的電荷會(huì)泄漏，需要定時(shí)給與補(bǔ)充，所以動(dòng)態(tài)RAM需要設(shè)置...

2017-11-03 標(biāo)簽：sdramsram 5817 0

sram儲(chǔ)存器信息詳解

sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

2017-11-03 標(biāo)簽：sramsram儲(chǔ)存器 3688 0

如何選擇最適用的sram存儲(chǔ)器

sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對(duì)一種特...

2017-11-03 標(biāo)簽：sramsram存儲(chǔ)器 3236 0

SRAM變速系統(tǒng)與SHIMANO變速系統(tǒng)的區(qū)別

Shimano的變速系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)基本體現(xiàn)在飛輪的齒片齒形、后撥導(dǎo)輪、后撥的細(xì)膩反應(yīng)這些方面，而SRAM的變速系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)則體現(xiàn)在簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，迅速的反應(yīng)。

2017-11-03 標(biāo)簽：sramshimano 9880 0

計(jì)算機(jī)的dram和sram有何區(qū)別

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時(shí)...

2017-11-03 標(biāo)簽：dramsram 1.5萬 0

sram是什么，sram信息詳解

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory）每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則...

2017-11-03 標(biāo)簽：sram 1.2萬 0

MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

　　存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（SRAM）的快速、快閃存儲(chǔ)的高密度以及如同唯讀存儲(chǔ)（ROM）般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)...

2016-03-09 標(biāo)簽：SRAM存儲(chǔ)技術(shù)MRAM 2315 1

10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC

一年一度的“國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)。

2015-12-14 標(biāo)簽：sram10nmISSCC 1522 0

臺(tái)積電7納米SRAM早打贏三星，預(yù)告5納米制程要來了！

臺(tái)積電與英特爾、三星的先進(jìn)製程競(jìng)賽依舊打得火熱，10 奈米以下製程成為半導(dǎo)體三雄間的競(jìng)逐場(chǎng)，三星雖于 11 月中搶先發(fā)表 10 奈米 FinFET 製程...

2015-12-05 標(biāo)簽：三星電子臺(tái)積電SRAM 1071 0

三星超車臺(tái)積電、英特爾，搶頭香推10納米SRAM

三星成功開發(fā)新世代SRAM，也代表其處理器制程工藝進(jìn)階至10奈米的過程相當(dāng)順利，估計(jì)有望在2017年初進(jìn)入全面量產(chǎn)，將使三星爭(zhēng)搶處理器代工訂單占得有利位置。

2015-11-19 標(biāo)簽：英特爾三星電子臺(tái)積電 714 0

賽普拉斯針對(duì)掉電數(shù)據(jù)保存推出1Mb nvSRAM

非易失性RAM解決方案簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，無需電池并減少了管腳數(shù) 用于RAID存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用

2015-08-04 標(biāo)簽：賽普拉斯SRAMnvSRAM 2328 1

瑞薩電子推出16Mb/32Mb超低功耗SRAM

待機(jī)電流降低50%，有助于延長(zhǎng)備用電池使用壽命

2015-07-31 標(biāo)簽：SRAM瑞薩電子RMLV1616A 1606 0

卡西歐創(chuàng)新型可拆卸自由式相機(jī)采用賽普拉斯觸摸屏控制器及MoBL SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，卡西歐創(chuàng)新型的自由式相機(jī)采用了其TrueTouch?電容式觸摸屏控制器和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）產(chǎn)品。

2014-12-18 標(biāo)簽：賽普拉斯SRAM觸摸屏控制器 1296 0

Cypress異步SRAM系列又添新丁 低功耗MoBL器件橫空出世

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其具有錯(cuò)誤校正代碼（ECC）的16Mb低功耗異步SRAM 已開始出樣。

2014-09-11 標(biāo)簽：SRAM賽普拉斯公司MoBL 2191 0

Chipworks分析蘋果A7：雙核CPU、四核GPU、3MB SRAM

幾天之前，Chipworks的芯片專家對(duì)iPhone 5s內(nèi)部的各種芯片進(jìn)行了初步分析，現(xiàn)在Chipworks給出了64位A7處理器更多細(xì)節(jié)。根據(jù)晶體管...

2013-09-29 標(biāo)簽：SRAMA7iPhone 5s 4586 0