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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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在硬件規(guī)格方面,中國(guó)版Gaudi 3與原版保持一致,同樣具備96MB SRAM片上存儲(chǔ)、128GB HBM2e高帶寬存儲(chǔ),帶寬高達(dá)3.7TB/s,并配備...
Microchip推出容量更大、速度更快的串行SRAM產(chǎn)品線
為滿足客戶對(duì)更大更快的SRAM的普遍需求,MicrochipTechnology(微芯科技公司)擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線,容量最高可達(dá)4Mb,并將串...
Arm Ethos-U85:滿足物聯(lián)網(wǎng)面向AI時(shí)代的高性能需求
隨著人工智能 (AI) 不斷對(duì)我們的日常生活產(chǎn)生越來(lái)越大的影響,其推理任務(wù)也逐漸從云端遷移到邊緣側(cè)和端側(cè)。
2024-04-09 標(biāo)簽:sram物聯(lián)網(wǎng)人工智能 1771 0
靈動(dòng)微電子榮膺年度創(chuàng)新IC設(shè)計(jì)獎(jiǎng)
近日,靈動(dòng)微電子受邀參加了由Aspencore主辦的2024國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC),靈動(dòng)再度榮膺中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)。
2024-04-02 標(biāo)簽:集成電路mcuIC設(shè)計(jì) 955 0
Microchip Technology擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線,容量最高可達(dá)4Mb
為滿足客戶對(duì)更大更快的 SRAM 的普遍需求,Microchip Technology(微芯科技公司)擴(kuò)展了旗下串行SRAM產(chǎn)品線,容量最高可達(dá)4 Mb...
Cerebras推WSE-3芯片,性能翻倍,助力超大規(guī)模AI模型訓(xùn)練
首先,WSE-3采用臺(tái)積電最新的5nm工藝制作(目前領(lǐng)先業(yè)界)。其次,該芯片擁有超過(guò)4萬(wàn)億個(gè)晶體管以及90萬(wàn)個(gè)AI核心,配合44GB片上SRAM高速緩存...
兆易創(chuàng)新推出GD32F5系列Cortex?-M33內(nèi)核MCU
業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice 今日宣布,正式推出基于Arm? Cortex?-M33內(nèi)核的GD32F5系列高性能微控制器,全面...
2024-03-07 標(biāo)簽:mcusram兆易創(chuàng)新 1315 0
Arm Helium技術(shù)誕生的由來(lái) 為何不直接采用Neon?
經(jīng)過(guò) Arm 研究團(tuán)隊(duì)多年的不懈努力,Arm 于 2019 年推出了適用于 Armv8?M 架構(gòu)的 Arm Cortex-M 矢量擴(kuò)展技術(shù) (MVE)—...
奧易克斯與國(guó)芯科技:共創(chuàng)發(fā)動(dòng)機(jī)控制領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化新篇章
CCFC2017BC芯片簡(jiǎn)介:國(guó)芯科技自主研發(fā)的高性價(jià)比動(dòng)力總成MCU芯片CCFC2017BC,集成片內(nèi)2.5M Flash、416KB SRAM,集成...
2024-01-12 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)mcusram 1032 0
一種創(chuàng)新的面積和能效AI存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)—MCAIMem
人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲(chǔ)器作為緩沖器(buffers),其可靠性和速度有助于實(shí)現(xiàn)高性能。
芯??萍既峦瞥鯟S8M320系列的經(jīng)濟(jì)型信號(hào)鏈MCU
芯海科技全新推出CS8M320(簡(jiǎn)稱M320)系列的經(jīng)濟(jì)型信號(hào)鏈MCU 。
2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)將出現(xiàn)或高速發(fā)展的10大技術(shù)趨勢(shì)
整個(gè)2023年,半導(dǎo)體行業(yè)下行期的陰霾似乎仍未散去,但業(yè)界已經(jīng)看到了一絲曙光。
AI SoC必須考慮的關(guān)鍵因素“內(nèi)存架構(gòu)”
導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM, CBRAM )是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存,可定制應(yīng)用在各類嵌入式市場(chǎng)和獨(dú)...
2023-12-25 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sramsoc 1524 0
智融科技SW2505H、SW3566H、SW2325通過(guò)UFCS融合快充功能認(rèn)證
近日,智融科技新款芯片產(chǎn)品SW2505H成功獲得了融合快速充電功能認(rèn)證證書,證書編號(hào)0302347161910R0M-UFCS00075。此款產(chǎn)品是繼智...
新唐科技推出KM1M4BF系列MCU馬達(dá)和PFC控制器
KM1M4BF 系列 MCU 適用于白色家電、空調(diào)、電動(dòng)自行車或同等 EV 馬達(dá)等應(yīng)用。搭載 Arm Cortex-M4F CPU,運(yùn)行速度最高可達(dá) 1...
DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非??欤鏗BM,但也很昂貴。其他類型速度較慢,但價(jià)格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,變化的是,在異構(gòu)架構(gòu)中,...
2023-11-15 標(biāo)簽:DRAMsram芯片設(shè)計(jì) 1099 0
SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素,它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備,或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序...
2023-11-12 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sram機(jī)器學(xué)習(xí) 1238 0
MC51F003A4A0Y助力松下EMS眼罩EW-RAD11
近年來(lái),隨著人們生活節(jié)奏的加快和工作壓力的增大,大部分人都會(huì)出現(xiàn)眼部疲勞和眼睛不適的情況。
三星3nm GAA完整晶圓遭遇難產(chǎn),良率僅50%
三星向中國(guó)客戶提供了第一個(gè)3nm gaa,但新的報(bào)告顯示,這些芯片的實(shí)際形態(tài)并不完整,缺乏邏輯芯片的sram。據(jù)悉,由于很難生產(chǎn)出完整的3納米gaa晶片...
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