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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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ram是指通過指令可以隨機地、個別地對每個存儲單元進行訪問、訪問所需時間基本固定、且與存儲單元地址無關的可以讀寫的存儲器。幾乎所有的計算機系統(tǒng)和智能電子...
一款32Mb的PSRAM芯片—JS7324SU16BSP-70LFI
pSRAM 就是偽靜態(tài)SRAM,PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。psram內(nèi)部自帶刷新機制。PSRAM也由初期的平行接口發(fā)展到串行接口,由SP...
Microchip微芯SRAM芯片23LC1024規(guī)格資料
Microchip微芯23LC1024是一款容量為1Mbit串行Serial SRAM器件。存儲器通過簡單的串行外設接口(SPI)兼容串行總線訪問。所需...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)過去幾年,越來越多企業(yè)加入到存算一體技術的研究中,如今,存算一體芯片已經(jīng)逐漸走向商用。 ? 從目前入局的企業(yè)來看,路線各異...
傳統(tǒng)上,有兩種方法可以增加應用程序的ram: 使用更大的微控制器(MCU):如果必須購買更大、更昂貴的MCU以獲得更多RAM,則此選項的吸引力較小 使用...
NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一種獨立的非易失性存儲器,業(yè)界最快的 NV-SRAM,具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRA...
串行SRAM是一種獨立的易失性存儲器,它提供了一種簡單且便宜的方式來為您的應用程序添加更多RAM。這些8引腳低功耗、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和...
256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器EMI7256概述及特征
國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器,內(nèi)部組織為32K字,每個字8位。最大時鐘20MHz,采用最先進的CMO...
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存儲器存儲器(SRAM)是指這類存儲器要是維持接電源,里邊存儲的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。SRAM不用更新電源電路即能儲存它內(nèi)部儲存的數(shù)據(jù)信息...
鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,F(xiàn)RAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù),并且具有更高的讀/寫耐久性,更快...
Microchip模擬嵌入式SuperFlash?技術助力存算一體創(chuàng)新企業(yè)成功解決邊緣語音處理難題
SuperFlash memBrain?存儲器解決方案使知存科技片上系統(tǒng)(SoC)能夠滿足最苛刻的神經(jīng)處理成本、功耗和性能要求。
物聯(lián)網(wǎng)及穿戴設備還未出世前,Serial SRAM的利潤并不能吸引主流到SRAM廠商的關注。隨著串行SRAM的商機不斷增多,傳統(tǒng)的SRAM廠商進軍串行S...
用于替換IS62WV51216EBLL-45TLI的國產(chǎn)SRAM芯片
IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一個8M容量,組織結構為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機存儲器。 采用高性能CMOS工藝制...
根據(jù)組成元件的不同,ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲器(MASK ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)、電可擦...
? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?M...
國產(chǎn)存儲16M異步SRAM芯片EMI516NF16LM
快速異步型SRAM,存取時間為35ns(或更短)的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。 國產(chǎn)SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容...
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