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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 ? ? ? ??...

2021-12-24 標(biāo)簽：sram 1071 0

ISSI低功耗SRAM芯片IS62WV12816DBLL

低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一種類(lèi)別，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣...

2021-12-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram ISSI 1638 0

單片機(jī)外擴(kuò)專用SPI SRAM存儲(chǔ)芯片

? ? ? ST內(nèi)核M3的32位MCU產(chǎn)品STM32F1xxx這一系列的MCU內(nèi)置 SRAM 資源非常有限，在應(yīng)用中如果遇到數(shù)據(jù)需要擴(kuò)容的情況下，需要外...

2021-12-21 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 sram 1739 0

偉凌創(chuàng)芯異步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I

快速異步型SRAM，存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類(lèi)為“快速”異步型 SRAM 。這些存儲(chǔ)器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中，且功耗較高。其典型...

2021-12-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1668 0

可作為MCU外擴(kuò)SRAM芯片的型號(hào)推薦

世界上最早的全電子化存儲(chǔ)器是1947年誕生的，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數(shù)據(jù)的“點(diǎn)”。從那時(shí)起，計(jì)算機(jī)內(nèi)存開(kāi)始使用磁存儲(chǔ)技術(shù)并經(jīng)歷了數(shù)代演...

2021-10-28 標(biāo)簽：sram SRAM芯片 1323 0

SRAM芯片適用于智能穿戴應(yīng)用

自2016年智能穿戴新興行業(yè)的崛起及火爆程度,一度將所有有關(guān)于智能穿戴產(chǎn)品中的零件推進(jìn)了新的高潮.其中便包含了SRAM.在所有可用的存儲(chǔ)器中，SRAM是...

2021-10-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram SRAM芯片 1386 0

國(guó)產(chǎn)異步低功耗SRAM芯片的詳細(xì)介紹

靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片包含業(yè)界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)，醫(yī)療，商業(yè)，汽車(chē)和軍事應(yīng)用?？?..

2021-10-11 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 1.3萬(wàn) 0

國(guó)產(chǎn)SRAM存儲(chǔ)芯片EMI502HF08VM-10I介紹

靜態(tài)SRAM芯片是由晶體管組成。SRAM的速度非?？?，通常能以20ns或更快的速度工作。靜態(tài)ram中所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存...

2021-09-28 標(biāo)簽：電源芯片 sram 1832 0

1Mbit國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16VM-55I介紹

偉凌創(chuàng)芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造，位寬64Kx 16位，電源電壓為2.7V~3.6V，支持三態(tài)輸出和T...

2021-09-28 標(biāo)簽：芯片 sram 設(shè)備 1593 0

國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I的簡(jiǎn)單介紹

SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電...

2021-09-22 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 2648 0

1Mb國(guó)產(chǎn)串口SRAM芯片EMI7001WTMI

偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)芯片EMI7001WTMI是一款容量為1Mb的串口SRAM，采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，提供高速性能和低功耗。其內(nèi)部組織為128K字，...

2021-08-31 標(biāo)簽：芯片接口 sram 2107 0

低功耗SRAM存儲(chǔ)器IS62WV1288DALL的特征

ISSI公司主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存儲(chǔ)芯片。還設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。主要是應(yīng)用在汽車(chē)、通信、...

2021-08-24 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 948 0

國(guó)產(chǎn)SPI SRAM存儲(chǔ)器EMI7064MSMI介紹

介紹一款可用于數(shù)據(jù)采集或信號(hào)處理過(guò)程的緩沖，MCU遠(yuǎn)程升級(jí)的數(shù)據(jù)備份和緩存等等的國(guó)產(chǎn)SPI SRAM存儲(chǔ)器，EMI7064MSMI是一款具有SPI 接口...

2021-08-24 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 2163 0

國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C介紹

ISSI IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一種高速SRAM芯片，位寬256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可...

2021-08-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 sram 1486 0

如何用flash保存stm32 html的參數(shù)

STM32F407由一個(gè)Cortex-M4內(nèi)核，片上flash，片上sram，以及片上外設(shè)（uart，I2C，SPI等）組成。內(nèi)核通過(guò)I，S，D三條數(shù)...

2021-07-23 標(biāo)簽：sram Cortex-M4 外設(shè) 2541 0

國(guó)產(chǎn)SRAM EMI508NL08VM-55IT的特征說(shuō)明

8Mbit國(guó)產(chǎn)低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT采用EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬1MX8bit,電源電壓為2.7V~3.6...

2021-07-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1232 0

1Mb國(guó)產(chǎn)異步SRAM芯片EMI501HB08PM-55I特征

隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫(xiě)操作，但當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí)，存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。SRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式是依靠一對(duì)反相器以閉環(huán)形式連接的存儲(chǔ)電路，它的...

2021-07-26 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1228 0

西人馬推出為智能傳感器等應(yīng)用而生的MCU芯片CU0801A

近日，西人馬公司再次推出自研芯片，CU0801A。 CU0801A是基于RISC-V架構(gòu)的32位高性能低功耗通用微控制器。RISC-V處理器適用于低能耗...

2021-06-21 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器 sram 2830 0

國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501HB08PM45I概述及特征

在過(guò)去的幾十年中，SRAM領(lǐng)域已劃分為兩個(gè)不同的產(chǎn)品系列，快速和低功耗，每個(gè)產(chǎn)品都有自己的功能，應(yīng)用程序和價(jià)格。使用SRAM的設(shè)備需要它的高速性或低功耗...

2021-06-16 標(biāo)簽：電源芯片控制器 1152 0

SRAM與DRAM區(qū)別在哪里？

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。

2021-06-15 標(biāo)簽：DRAM sram 5135 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類(lèi)產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類(lèi)似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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