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固態(tài)硬盤（Solid State Drives），簡稱固盤，固態(tài)硬盤（Solid State Drive）用固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲單元（FLASH芯片、DRAM芯片）組成。
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想要挑選一款大容量高速固態(tài)硬盤的話臺電幻影NP900C會是個很好的選擇。
Towards Data Science博主Eddie Forson直觀地解釋了SSD多盒目標(biāo)檢測技術(shù)。
MaxIO簡介MaxIO是一款SSD智能緩存加速軟件，利用I/O訪問的局部性原理，采用SSD作為傳統(tǒng)塊設(shè)備的緩存，充分利用SSD的I/O特點和性能優(yōu)勢，...
手機(jī)主流存儲器件UFS與NVMe詳細(xì)對比分析
NVMe是專門為高速閃存芯片設(shè)計的協(xié)議，主要是為企業(yè)級和數(shù)據(jù)中心的PCIe SSD設(shè)計的接口標(biāo)準(zhǔn)，來充分發(fā)揮閃存的性能。NVMe通訊協(xié)議+PCIe總線協(xié)...
針對目前的主流NVMe SSD，大家遇到的主要問題可以大致歸結(jié)為無法識別、上機(jī)速度偏低以及溫度過高。
一臺好電腦應(yīng)該具備以下素質(zhì)： ①性能夠好：搭載符合用戶需求的CPU，與內(nèi)存硬盤顯卡搭配均衡，性能滿足80%應(yīng)用場景下的工作要求； ②聲色俱佳...
NFVi：用標(biāo)準(zhǔn)化虛擬化技術(shù)來支持多租戶，為不同類型虛擬網(wǎng)元按需提供支持
NFVi（網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化基礎(chǔ)設(shè)施）是承載VNF（網(wǎng)絡(luò)網(wǎng)元功能）的基礎(chǔ)，其核心在于利用標(biāo)準(zhǔn)化的虛擬化技術(shù)來支持多租戶，從而為不同類型的虛擬網(wǎng)元按需提供資源支持。
SSD在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域已經(jīng)樹立起了自己的地位。幾乎所有主流廠商都會在它們的最佳實踐架構(gòu)中指定Tier 0存儲。服務(wù)器端的SSD用于提升服務(wù)器性能，而存儲端...
這一輪SSD價格調(diào)整不光讓大家裝機(jī)節(jié)省了不少錢，或者可以更便宜升級大容量了，還有個不錯的消息，就是M.2 SSD的容量價格比越來越香了。一樣的容量，有些...
解讀SSD基本工作原理和產(chǎn)品的核心參數(shù)
SSD前端負(fù)責(zé)和主機(jī)直接通訊，接收主機(jī)發(fā)來的命令和相關(guān)數(shù)據(jù)，命令經(jīng)SSD處理后，最終交由前端返回命令狀態(tài)或數(shù)據(jù)給主機(jī)。SSD通過諸如SATA、SAS和P...
本文主要簡單介紹一下這些SSD可靠性指標(biāo)的概念及其意義，方便大家更深入的了解和認(rèn)識SSD的可靠性。
什么是CXL？一文了解高速互聯(lián)技術(shù)CXL
Compute Express Link（CXL）作為一種先進(jìn)的互連技術(shù)，在當(dāng)今高性能計算領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注
SD卡能否擴(kuò)容提速 為啥輕薄本不用存儲卡擴(kuò)容？
和臺式機(jī)相比，筆記本，特別是輕薄本在擴(kuò)展能力上堪稱孱弱采用板載內(nèi)存和僅配備1個M.2插槽的產(chǎn)品越來越多。 很多輕薄本只有1個M.2插槽 問題來了，當(dāng)輕薄...
值得注意的是除了Erase/Program Suspension對企業(yè)性能的改善，另外對掉電也有很大的幫助。當(dāng)前3D Flash的Erase時間都很長，...
2019-01-21 標(biāo)簽：控制器SSD數(shù)據(jù)庫 7207 0
很多小伙伴都聽說過SSD有MLC、TLC的區(qū)分，越新的技術(shù)容量越大，不過越不耐用。更新的QLC就不用說了，但在QLC SSD還不多，而且很多人覺著壽命太...
三星已經(jīng)連續(xù)推出兩代立體堆疊3D閃存，分別有24層、32層，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固態(tài)硬盤產(chǎn)品，2015年8月正式量產(chǎn)首款可應(yīng)用于...
固態(tài)硬盤容量，取決于使用的閃存顆粒 ，OP的大小和產(chǎn)品的定位。高端的產(chǎn)品使用較大的OP，來滿足性能上的需求。所以固態(tài)硬盤容量不一定越高越好，用戶在選購時...
2018-03-15 標(biāo)簽：SSD 6873 0
而FTL為了對上隱藏NAND閃存無法覆蓋寫的特性（先擦后寫），其內(nèi)部實現(xiàn)也采用了類似的日志結(jié)構(gòu)寫入方式
NAND閃存閃存技術(shù)不斷成長，從單一Cell單元存儲1bit（比特）的SLC，發(fā)展到單一Cell存儲2bit的MLC，再到目前主流的單一Cell存儲3b...
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