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標簽 > stt_mram
STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器,是磁性存儲器MRAM 的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ,由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個納米厚的非磁性隔離層組成,它是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的。
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Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲
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北航大與微電子所成功研制出國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩
近日,北京航空航天大學與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一...
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