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對器件設(shè)計工程師來講,離子注入的濃度往往是需要關(guān)心的參數(shù),什么樣的濃度對應(yīng)什么樣的方阻,器件仿真參數(shù)輸入的是濃度,通過DSIMS測出來的也是濃度和深度的關(guān)系。
BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴展到準二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
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