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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進展。
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電化學(xué)沉積技術(shù)在集成電路行業(yè)有哪些應(yīng)用呢?
電 化 學(xué) 沉 積 技 術(shù), 簡 稱 ECD(Electrical Chemical Deposition)技術(shù),也是應(yīng)用于半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)行業(yè)的電鍍技術(shù)...
來源:半導(dǎo)體風(fēng)向標 從HBM存儲器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫,意為“通過硅通...
什么是硅或TSV通路?使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢
TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力,而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭,半導(dǎo)體器件的微型化也越來越依賴于集成T...
TSV硅轉(zhuǎn)接基板的工藝結(jié)構(gòu)特點及可靠性分析
隨著三維集成技術(shù)的發(fā)展,如何將不同材料、結(jié)構(gòu)、工藝、功能的芯片器件實現(xiàn)一體化、多功能集成化是未來系統(tǒng)集成發(fā)展的重點?;赥SV、再布線(RDL)、微凸點...
國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會標準 SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會 JEDECJESD51 標準中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示,其中T3...
國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會標準 SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會 JEDECJESD51 標準中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示,其中T3...
摩爾定律指引集成電路不斷發(fā)展。摩爾定律指出:“集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目,每隔18-24個月就翻一倍;微處理器的性能提高一倍,或價格下降一半。
肖特基的硅片上制作孔專利 此后, IBM開始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力,并在垂直電互連方面取得了突破。
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