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標(biāo)簽 > tsv
TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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日月光最新推出FOCoS-Bridge TSV技術(shù)
日月光半導(dǎo)體最新推出FOCoS-Bridge TSV技術(shù),利用硅通孔提供更短供電路徑,實(shí)現(xiàn)更高 I/O 密度與更好散熱性能,滿足AI/HPC對高帶寬與高...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)TSV(Through Silicon Via)即硅通孔技術(shù),是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)芯片...
正式投產(chǎn)!天成先進(jìn)12英寸晶圓級TSV立體集成生產(chǎn)線
來源:天成先進(jìn) 2024年12月30日,天成先進(jìn)12英寸晶圓級TSV立體集成生產(chǎn)線正式投產(chǎn)! 本次投產(chǎn)聚焦三大類型,共計(jì)六款產(chǎn)品,產(chǎn)品基于天成先進(jìn)“九重...
TSV 三維封裝技術(shù)特點(diǎn)鮮明、性能好、前景廣闊, 是未來發(fā)展方向,但是 TSV 堆疊芯片這種結(jié)構(gòu)和工 藝復(fù)雜性的提高,為三維封裝的可靠性控制帶來了 挑戰(zhàn)...
先進(jìn)封裝中互連工藝凸塊、RDL、TSV、混合鍵合的新進(jìn)展
談一談先進(jìn)封裝中的互連工藝,包括凸塊、RDL、TSV、混合鍵合,有哪些新進(jìn)展?可以說,互連工藝是先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在市場需求的推動下,傳統(tǒng)封裝不斷...
2024-11-21 標(biāo)簽:SiP半導(dǎo)體封裝TSV 3232 0
天成先進(jìn)發(fā)布“九重”先進(jìn)封裝技術(shù)平臺,12英寸晶圓級TSV立體集成生產(chǎn)線通線
“方寸無垠 恒然天成 ”。在科技的廣袤星空中,先進(jìn)封裝如一顆璀璨的新星,散發(fā)著獨(dú)特而迷人的光芒。2.5D/3D TSV 技術(shù)就像是一位神奇的建筑師,在微...
開啟高性能芯片新紀(jì)元:TSV與TGV技術(shù)解析
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的二維平面集成方式已經(jīng)逐漸接近其物理極限。為了滿足日益增長的性能需求,同時克服二維集成的瓶頸,三維集成技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。其中,...
TSV 制程關(guān)鍵工藝設(shè)備技術(shù)及發(fā)展
共讀好書 魏紅軍 段晉勝 (中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所) 摘要: 論述了 TSV 技術(shù)發(fā)展面臨的設(shè)備問題,并重點(diǎn)介紹了深硅刻蝕、 CVD/PVD 沉...
3D芯片技術(shù)成關(guān)鍵,AR原型芯片獲得巨大的性能提升
增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)存在諸多限制,尤其是眼鏡形態(tài),AR 眼鏡身形狹小,所以搭載的芯片在能效和性能方面均有高度要求。
2024-02-29 標(biāo)簽:晶圓3D芯片機(jī)器學(xué)習(xí) 1773 0
共讀好書 田苗,劉民,林子涵,付學(xué)成,程秀蘭,吳林晟 (上海交通大學(xué) a.電子信息與電氣工程學(xué)院先進(jìn)電子材料與器件平臺;b.射頻異質(zhì)異構(gòu)集成全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)...
珠海格力集團(tuán)迎來新掌門康洪,擔(dān)任黨委書記、董事長
格力集團(tuán)宣布,康洪在春節(jié)前的最后幾天,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)對集團(tuán)正在建設(shè)中的12英寸TSV立體集成生產(chǎn)基地一期與格創(chuàng)·壹號等項(xiàng)目進(jìn)行實(shí)地考察,并針對安全生產(chǎn)問題提出...
新增訂單約83.6億元,中微公司2023年凈利潤預(yù)增45%
1月14日,中微公司(SH688012)發(fā)布《2023年年度業(yè)績預(yù)告》。中微公司預(yù)計(jì)2023年?duì)I業(yè)收入約62.6億元,較2022年增加約15.2億元,同...
2024-01-19 標(biāo)簽:MEMS技術(shù)TSV碳化硅 1032 0
DRAM產(chǎn)業(yè)在生成式AI中受益匪淺,未來DRAM產(chǎn)業(yè)格局將發(fā)生重大變化。
2023-11-25 標(biāo)簽:DRAM存儲芯片機(jī)器學(xué)習(xí) 1203 0
LDI設(shè)備有哪些劣勢? LDI設(shè)備的WPS偏低,激光止血導(dǎo)致的工藝分辨率只有8到10微米,而線性公章的工藝分辨率在4到6微米。
先進(jìn)封裝技術(shù)之爭 | 巨頭手握TSV利刃壟斷HBM市場,中國何時分一杯羹?
文章轉(zhuǎn)自:屹立芯創(chuàng)公眾號 “TSV是能實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部上下互聯(lián)的技術(shù),可以使多個芯片實(shí)現(xiàn)垂直且最短互聯(lián)”,AI算力帶動TSV由2.5D向3D深入推進(jìn),HBM...
先進(jìn)封裝占比不斷攀升,Chiplet持續(xù)推動2.5D/3D技術(shù)發(fā)展
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠(yuǎn))在半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中,半導(dǎo)體封裝是制造工藝的重要后道工序,是指將通過測試的晶圓加工得到獨(dú)立芯片的過程。封裝可以提供電氣連接,...
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