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標簽 > vcsel
垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,簡稱VCSEL,又譯垂直共振腔面射型激光)是一種半導體,其激光垂直于頂面射出,與一般用切開的獨立芯片制程,激光由邊緣射出的邊射型激光有所不同。
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艾邁斯半導體與Ibeo攜手將固態(tài)LiDAR技術推向汽車市場取得重大進展
艾邁斯半導體和Ibeo都專注于開發(fā)差異化技術,雙方將繼續(xù)致力于為客戶提供滿足汽車行業(yè)可靠性和安全標準的先進解決方案。
重慶萬州首顆擁有自主知識產(chǎn)權的3D傳感VCSEL芯片在威科賽樂公司下線
3D傳感VCSEL芯片運用激光雷達原理,根據(jù)物體表面到芯片距離的不同,刻畫出物體立體成像,可免受光線等外部環(huán)境的干擾,對物體的識別更加精準。
縱慧芯光總經(jīng)理陳曉遲博士介紹,縱慧芯光此前已經(jīng)研發(fā)出多款具備高效率、高性能、高可靠性的 VCSEL 芯片產(chǎn)品,涵蓋了 850 納米和 940 納米這兩個...
VCSEL相對于EEL(邊發(fā)射器)和LED光源,有著獨特的優(yōu)勢
賽迪智庫集成電路研究所高級分析師馬曉凱向《中國電子報》指出,有別于EEL,VCSEL光源的發(fā)射方向和芯片是垂直的。VCSEL的光斑測試比邊發(fā)射器更加簡單...
2020-06-30 標簽:led數(shù)據(jù)中心VCSEL 1.9萬 0
近日,瑞識科技自主知識產(chǎn)權的VCSEL芯片,經(jīng)手機客戶研發(fā)測試,產(chǎn)品各項指標均達到標準,一致確認通過驗證,未來將集成在后續(xù)發(fā)布的系列新品上。
據(jù)麥姆斯咨詢此前報道,華為首次在其旗艦機型P30 Pro采用了后置ToF攝像頭,并且在該攝像頭中首次采用了國產(chǎn)VCSEL芯片——來自縱慧芯光的貢獻。詳情...
高端LED芯片等半導體研發(fā)生產(chǎn)項目的建設正在進行中
此次新增的2000條封裝生產(chǎn)線預計2—3年內(nèi)全部達產(chǎn),屆時兆馳光元封裝生產(chǎn)線將達到5000條以上,產(chǎn)值將達到60億元至70億元之間,實現(xiàn)年產(chǎn)能80000KK。
在這個階段各個組織機構(gòu)都提出以及嘗試了各種不同結(jié)構(gòu)類型的VCSEL,最終氧化物限制型VCSEL憑借其諸多優(yōu)點而勝出。1982年,便有Hajime Oku...
仟目激光的3D傳感類高功率芯片已經(jīng)順利導入業(yè)內(nèi)頭部客戶并實現(xiàn)量產(chǎn)
第一個方面,25G VCSEL芯片對信號調(diào)制速率的要求高,根據(jù)應用的場景和傳輸距離會劃分為數(shù)據(jù)中心、5G和消費級應用(如HDMI),但是不變的是對于芯片...
2020-04-29 標簽:數(shù)據(jù)通信VCSEL3D傳感 5827 0
成果一 基于Crosslight公司先進的半導體器件設計平臺,技術團隊深入探索了實現(xiàn)GaN VCSEL橫向電流限制的根本原因。研究發(fā)現(xiàn),橫向電流限制不是...
VCSEL元件成長幅度最顯著 將帶動整體紅外線元件市場持續(xù)成長
在現(xiàn)行終端手機3D感測、車用光達及光纖傳輸?shù)男枨髱酉?,紅外線元件市場規(guī)模已逐漸茁壯,其中以VCSEL元件成長幅度最顯著。
打通“芯片+封裝+光學集成”瑞識科技發(fā)布全系列高性能VCSEL產(chǎn)品
瑞識此次發(fā)布的VCSEL光源模組產(chǎn)品主要分為兩大系列,配備Diffuser元件封裝的TRay系列產(chǎn)品和VCSEL芯片直接封裝的VRay系列產(chǎn)品 (圖1)...
晶圓公司IQE試產(chǎn)VCSEL產(chǎn)品,以獲得進一步認證
晶圓公司IQE開始在其位于威爾士紐波特的晶圓廠,為其第二大客戶試產(chǎn)VCSEL產(chǎn)品,以獲得進一步認證。
行業(yè) | TriLumina推出業(yè)界首款獲得AEC-Q一級認證的VCSEL陣列
TriLuminaVCSEL陣列現(xiàn)被用于Flash激光雷達、ToF激光雷達、掃描激光雷達和汽車座艙內(nèi)系統(tǒng),能夠在-40攝氏度至125攝氏度之間全面運行,...
2019年手機3D感測進入市場成長期,VCSEL產(chǎn)值有望達11.39億美元
,在2019年智能手機整體出貨預估衰退的情況下,手機品牌廠商針對下半年旗艦機祭出規(guī)格競賽,3D感測模組成為其中一項重要配備。受此趨勢帶動,預估2019年...
傳統(tǒng)的光電轉(zhuǎn)換技術一般采用 LED 等發(fā)光器件。這種發(fā)光器件多采用邊緣發(fā)射,體積大,因此比較難以和半導體技術結(jié)合。 20 世紀 90 年代垂直腔表面發(fā)射...
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