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Vishay推出額定功率為0.5 W的增強(qiáng)型厚膜片式電阻
Vishay 宣布,推出增強(qiáng)型Vishay Draloric RCC1206 e3厚膜片式電阻,外形尺寸為1206,額定功率0.5 W。
Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎(jiǎng)之最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率...
Vishay發(fā)布高度低至2.1mm的新款10mm標(biāo)準(zhǔn)SMD 7段LED數(shù)碼管
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布采用小尺寸、低高度封裝的兩個(gè)新系列10mm標(biāo)準(zhǔn)表面...
2013-08-07 標(biāo)簽:VishaySMDLED數(shù)碼管 1540 0
Vishay推出100μ?超低阻值的Power Metal Strip儀表分流電阻
2012年2月9日Vishay 宣布推出采用3124尺寸封裝的新款Power Metal Strip儀表分流電阻--WSMS3124.
Vishay榮獲2010中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商獎(jiǎng)
Vishay日前宣布該公司榮獲中電會展與資訊傳播有限公司(CEEIC)頒發(fā)的“分立半導(dǎo)體類”2010中國市場電子元器件領(lǐng)軍廠商獎(jiǎng)(CMECMA)。
Vishay擴(kuò)充其低輸入電流光耦產(chǎn)品組合VOM617A和VOM618A
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新系列具有低輸入電流和光電晶體管輸出的光耦,擴(kuò)大其光電子...
Vishay推出100 %無鉛(Pb)版NTCALUG系列NTC Lug頭熱敏電阻
NTCALUG系列熱敏電阻采用100 %無鉛(Pb)陶瓷,消除了回收和處置過程中可能產(chǎn)生問題的有害物質(zhì),從而為更清潔的環(huán)境做出貢獻(xiàn)。
Vishay新款高溫NTC熱敏電阻適合應(yīng)用于汽車快速、高精度溫度檢測
器件符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),耐高溫達(dá)+185 °C,熱梯度小于0.01 K/K,空氣中響應(yīng)時(shí)間為6秒。
Vishay推出的新款磁性編碼位移傳感器具有高精度、高可靠性和更長壽命
賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 8 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:V...
精巧的VCNL36825T適用于空間有限的電池供電應(yīng)用,如檢測用戶是否佩戴真無線立體聲(TWS)耳機(jī),或虛擬現(xiàn)實(shí)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(VR / AR)頭盔。
Vishay推商用IHSR高溫電感器 高通第3代驍龍8cx計(jì)算平臺加速行業(yè)發(fā)展
基于 Vishay 廣受歡迎的 IHLP ?技術(shù),今天發(fā)布的電感器針對高達(dá) 10 MHz 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的能量存儲和高達(dá)電感器 SRF 的大...
Vishay推新款VRPower?集成式DrMOS功率級解決方案
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,為滿足下一代筆記本電腦、超便攜筆記本和桌面PC對大電流...
Vishay Sprague推出業(yè)內(nèi)首款真正表面貼裝(SMD)液鉭電容器,繼續(xù)保持液鉭和固鉭電容器一直以來的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
Vishay推出高力密度、高分辨的小型觸控反饋執(zhí)行器,適用于觸摸屏、模擬器和操縱桿
IHPT-1411AF-AB0是一款電磁器件,可將電能轉(zhuǎn)換為觸控操作的機(jī)械脈沖或振動信號,隨功率大小和輸入電壓占空比而變化。
Vishay推出SOP-4微型扁平封裝的新型汽車級光電晶體管耦合器
器件電流傳輸比(CTR)高,正向電流僅為1 mA,適用于汽車和高可靠性工業(yè)應(yīng)用。
Vishay推出工作電壓達(dá)1000V的專業(yè)薄膜MELF電阻
器件采用0204和0207外形尺寸,為工業(yè)、照明和醫(yī)療應(yīng)用提供高穩(wěn)定性和高可靠性
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2
Vishay將MCW 0406 AT系列精密寬端子薄膜片式電阻歐姆值降至業(yè)內(nèi)最低
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,將其MCW 0406 AT Precision系列寬端子薄膜片式電阻的歐姆值擴(kuò)展至1...
Vishay推出IHDF邊繞電感器,高度僅為15.4 mm,飽和電流達(dá)230 A
這款通孔器件采用鐵粉磁芯技術(shù),直流電阻低,有助于減少功耗,提高效率。
Vishay提高VJ HVArc Guard MLCC的最小容量
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,提高其VJ HVArc Guard表面貼裝X7R多層陶瓷片式...
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