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Vishay Asia榮獲北京西門子西伯樂斯電子有限公司2020年度供應(yīng)商最佳支持獎(jiǎng)
在BSCE舉行的2020年度供應(yīng)商大會(huì)頒獎(jiǎng)儀式上,三家杰出供應(yīng)商被授予最佳支持獎(jiǎng),該獎(jiǎng)項(xiàng)的評(píng)審依據(jù)是物流及采購(gòu)表現(xiàn)。
Vishay推出小型鋁電容器,可提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性,并節(jié)省電路板空間
汽車級(jí)器件紋波電流高達(dá)3.8 A,可在+105 °C高溫下工作,105°C條件下使用壽命長(zhǎng)達(dá)10,000小時(shí)。
Vishay推出集成式40 V MOSFET半橋功率級(jí),RDS(ON)和FOM達(dá)到業(yè)界出色水平,提高功率密度和效率
節(jié)省空間的器件采用小型PowerPAIR? 3x3S封裝,最大RDS(ON)導(dǎo)通電阻降至8.05 m,Qg為6.5 nC
Vishay推出新款高飽和電流電感,提高系統(tǒng)飽和及溫度穩(wěn)定性
徑向固定IHVR-4024KE-51電感器采用4024外形尺寸超薄封裝,DCR比一般功率電感器低50 %,同時(shí)節(jié)省電路板空間
2020-10-26 標(biāo)簽:電感器VishayDC-DC轉(zhuǎn)換器 1026 0
Vishay推出NTC熱敏電阻,采用加長(zhǎng)PEEK絕緣鎳鐵引線實(shí)現(xiàn)快速、高精度測(cè)量
器件符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用,精度達(dá)到± 0.5 °C,空氣中響應(yīng)時(shí)間小于3秒
Vishay推出汽車級(jí)PIN光電二極管,高度低至0.7 mm,提高信噪比
日前發(fā)布的光電二極管經(jīng)過 AEC-Q101 認(rèn)證,適合各種應(yīng)用進(jìn)行光探測(cè),包括陽光負(fù)載傳感器,車用雨量、日光和隧道傳感器,電梯、車庫門、工業(yè)設(shè)備光幕,...
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2
Vishay推出B和C外殼代碼新產(chǎn)品擴(kuò)充EP1高能量密度濕鉭電容器
增強(qiáng)型EP1采用Vishay成熟的SuperTan? 技術(shù),B外殼代碼和C外殼代碼器件超高容量分別達(dá)到3,600 μF~40,000 μF和5,300...
Vishay發(fā)布全新企業(yè)品牌:The DNA of tech.?
Vishay新的品牌主張,The DNA of tech?(科技基因),涵蓋二極管、MOSFET、功率IC、光電子產(chǎn)品、電阻器、電感器和電容器 — 包括...
Vishay推出可在高濕環(huán)境下確保穩(wěn)定容量和ESR的汽車級(jí)DC-Link 薄膜電容器
日前發(fā)布的徑向灌封電容器確保惡劣工作環(huán)境條件下極為穩(wěn)定的容量和ESR值,延長(zhǎng)使用壽命。
Vishay推出超小型高性能器件,擴(kuò)充TNPW e3系列高穩(wěn)定性薄膜扁平片式電阻器
該器件適用于自動(dòng)SMD組裝系統(tǒng)貼片加工以及自動(dòng)焊接。電阻器無鹵素,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),純錫電鍍兼容無鉛(Pb)和含鉛(Pb)焊接工藝。
Vishay microBRICK?系列模塊榮獲2020年“中國(guó)人工智能卓越創(chuàng)新獎(jiǎng)‘最具創(chuàng)新價(jià)值產(chǎn)品’”
今年首次舉辦的“中國(guó)人工智能卓越創(chuàng)新獎(jiǎng)”,旨在表彰過去一年推出的對(duì)AI行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響的產(chǎn)品和技術(shù)。
Vishay推出新型汽車級(jí)2525外形雙電感器——IHLD-2525GG-5A
器件通過AEC-Q200認(rèn)證,工作溫度達(dá)+155 °C,采用2525外形尺寸,降低失真,減小串?dāng)_。
Vishay推出首款-30 Vp溝道場(chǎng)效應(yīng)管
MOSFET的低導(dǎo)通電阻與市場(chǎng)上第二好的產(chǎn)品相比,降低了43%,可降低電壓降并將傳導(dǎo)功率損耗降至最低,從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
2020-08-21 標(biāo)簽:Vishay場(chǎng)效應(yīng)管 617 0
Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET,可提高能效和功率密度
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%,降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗,從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
貿(mào)澤電子推出Microchip和Vishay電阻式電流傳感解決方案網(wǎng)站
貿(mào)澤網(wǎng)站上的Microchip和Vishay電流傳感解決方案參考網(wǎng)站提供了涵蓋各種應(yīng)用的Microchip和Vishay精選產(chǎn)品鏈接,這些鏈接指向的頁面...
Vishay推出卡扣式功率鋁電容器提高功率密度,延長(zhǎng)使用壽命
日前發(fā)布的器件紋波電流高達(dá)3.27 A,因此設(shè)計(jì)人員可以使用更少的元件,從而節(jié)省電路板空間并降低成本。
Vishay推出七款外形尺寸更小的ENYCAP?儲(chǔ)能電容器
外型尺寸更小的ENYCAP電容器現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨供貨周期為六周。
Vishay推出新款30V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊---SiZF300DT
SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導(dǎo)通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間,是市場(chǎng)上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。
Vishay 提供廣泛的電阻技術(shù),其在性能和可靠性極其重要的極端應(yīng)用和惡劣環(huán)境下具有杰出的表現(xiàn)。
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