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SYN6288E 中文語(yǔ)音合成芯片是北京宇音天下科技有限公司在 2010 年初推出的一款性/價(jià)比更高的 SYN6288 芯片的基礎(chǔ)上更改封裝方式的，效果更自然的一款中高端語(yǔ)音合成芯片。SYN6288E 通過(guò)異步串 口（UART）通訊方式，接收待合成的文本數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)文本到語(yǔ)音（或 TTS 語(yǔ)音）的轉(zhuǎn)換...
當(dāng)你在一個(gè)項(xiàng)目中碰到了微控制器芯片的PWM輸出引腳不夠用的情況，那么這款PCA968516路舵機(jī)就能很快幫助您解決這個(gè)問(wèn)題了。...
? 每個(gè)Cortex-M內(nèi)核都集成了一個(gè)SysTick模塊，那是因?yàn)檫@個(gè)模塊幾乎是單片機(jī)項(xiàng)目必備的一個(gè)（定時(shí)器）功能。 不管是最新的Cortex-M85內(nèi)核，還是經(jīng)典的Cortex-M3內(nèi)核單片機(jī)，都集成了SysTick模塊。 ? cm3.h與cm85.h ? 單片機(jī)開發(fā)者，接觸最多的就是core_...
在研究逆變電路的損耗時(shí)，所使用的功率器件選型也非常重要。不僅要實(shí)現(xiàn)預(yù)期的電路工作和特性，同時(shí)還需要進(jìn)行優(yōu)化以將損耗降至更低。本文將功率器件的損耗分為開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗進(jìn)行分析，以此介紹選擇合適器件的方法。...
一般的產(chǎn)品用的都是直流電源，像手持產(chǎn)品多是5V電源，一些小設(shè)備也是5V，大一些的設(shè)備12V的稍多一些，車載電子產(chǎn)品有12V和24V兩種電源。...
對(duì)于有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC)，占空比是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，會(huì)影響輸出電壓和效率。通常，正激轉(zhuǎn)換器的最大占空比以50%為限。采用有源鉗位技術(shù)，占空比可以高于50%，超越傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的限制。有許多文章都說(shuō)明了最大占空比與ACFC拓?fù)渲g的關(guān)系，但討論如何設(shè)計(jì)最小占空比的文章并不多。...
Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)（ILD）。其核心目標(biāo)是通過(guò)降低金屬互連線間的寄生電容，解決RC延遲（電阻-電容延遲）和信號(hào)串?dāng)_問(wèn)題，從而提升芯片性能和集成度。...
Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。...
類似TTL和CMOS區(qū)別的基礎(chǔ)面試題1，TTL電平：輸出高電平>2.4V,輸出低電平=2.0V，輸入低電平Vih，輸入低電平Vih>Vt>Vil>Vol。6：Ioh：邏輯門輸出為高電平時(shí)的負(fù)載電流（為拉電流）。7：Iol：邏輯門輸出為低電平時(shí)的負(fù)載電流（為灌電流）。8：Iih...
對(duì)于許多電路來(lái)說(shuō)，涌浪電壓會(huì)導(dǎo)致電路系統(tǒng)不穩(wěn)定，因此透過(guò)涌浪保護(hù)電路來(lái)，維持電路的耐受穩(wěn)定性。國(guó)際安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)IEC 61000訂定了對(duì)于電子產(chǎn)品的抗擾度要求，其中IEC 61000-4-5 雷擊突波耐受是針對(duì)產(chǎn)品由于瞬間開關(guān)或閃電瞬變引起的過(guò)電壓，定義了幾個(gè)不同的測(cè)試級(jí)別以適用于不同環(huán)境。本文將討論幾...
添加好ZYNQ7 Processing System IP核后，需要對(duì)其進(jìn)行配置，雙擊彈出如下窗口。綠色部分表示ZYNQ PS部分中可配置的項(xiàng)目，可以雙擊轉(zhuǎn)向相應(yīng)的設(shè)置界面，也可以直接在左邊的導(dǎo)航列表中選擇。...
線網(wǎng)類型表示硬件電路元件之間實(shí)際存在的物理連線，有很多種：wire、tri、wor等等，當(dāng)然日常使用wire最多，其他的都沒遇到過(guò)。...
光刻工藝貫穿整個(gè)芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對(duì)于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對(duì)光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計(jì)。...
安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。...
PCIE協(xié)議下的參考時(shí)鐘基本為100MHz HCSL輸出，要求確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和穩(wěn)定性，解決時(shí)鐘抖動(dòng)、偏移和噪聲問(wèn)題。...
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外，還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。...
多模態(tài)自動(dòng)駕駛混合渲染HRMAD，融合NeRF與3DGS技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超10萬(wàn)㎡場(chǎng)景重建，多傳感器實(shí)時(shí)輸出，仿真更接近真實(shí)數(shù)據(jù)！然而，如何用高保真仿真場(chǎng)景快速驗(yàn)證自動(dòng)駕駛算法？HRMAD已集成至aiSim平臺(tái)，端到端測(cè)試即刻開啟！...
本文介紹了基于小華HC32F334數(shù)字電源控制器的兩路交錯(cuò)無(wú)橋圖騰柱TCM_PFC參考設(shè)計(jì)：著重介紹了工頻過(guò)零點(diǎn)電流畸變控制、工頻過(guò)零點(diǎn)附近的邏輯處理、輕載效率和THD優(yōu)化、準(zhǔn)確負(fù)電流檢測(cè)與防干擾設(shè)計(jì)、變頻交錯(cuò)功能實(shí)現(xiàn)、以及保護(hù)功能設(shè)計(jì)，更多功能期待大家親測(cè)品鑒。...
電池壽命是購(gòu)買者在比較無(wú)線物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備時(shí)首先考慮的特性之一，設(shè)備越省電其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力就越強(qiáng)。根據(jù)NovusLabs進(jìn)行的互操作性和功耗測(cè)試，SiWx917 Wi-Fi 6 SoC在極端網(wǎng)絡(luò)擁堵情況下仍能提供穩(wěn)定且高效的連接。測(cè)試結(jié)果表明，SiWx917可為智能門鎖提供長(zhǎng)達(dá)5年的電池壽命，為設(shè)備制造商帶來(lái)...
EPC91200 演示板是一款三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器板，采用 EPC2305 eGaN FET，具有3 mΩ的最大導(dǎo)通電阻 (R DS(on) ) 和150 V的最大器件電壓，適用于96 V電池。EPC91200能夠提供高達(dá)60 Apk（40 A RMS ）的最大輸出電流。該板支持電...
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